一、中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要跨過“融入市場”與 “自主可控”兩道門檻

1.發(fā)展傳統(tǒng)存儲器是要快速融入市場，是中國產(chǎn)業(yè) 積累經(jīng)驗的探索之路

在目前的存儲體系中，WUM內(nèi)存和1UND閃存占主導地位，產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過整體存儲產(chǎn)業(yè)的90%。然而全球市場規(guī)模超700億美元的DRAM市場被韓、美企業(yè)所瓜分，NAND市場也被韓、美、日企業(yè)所瓜分，我國存儲產(chǎn)業(yè)嚴重受制于人。

雖然隨著實現(xiàn)摩爾定律的腳步放緩，DRAM和NAND技術發(fā)展都面臨嚴重瓶頸，但未來一定時期內(nèi)仍將占據(jù)市場主導地位。因此，我國此時發(fā)展傳統(tǒng)存儲器DRAM和NAND可以快速融入市場，積累技術和人才的同時，實現(xiàn)國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)全面國產(chǎn)化，縮小和國外龍頭企業(yè)之間的差距，逐步實現(xiàn)存儲產(chǎn)業(yè)彎道超車。

2. 發(fā)展新型存儲器是中國未來具備技術獨立和產(chǎn)業(yè)獨立的必經(jīng)之路

大數(shù)據(jù)、云計算和人工智能的出現(xiàn)要求容量大、速度快的非易失存儲器。然而在現(xiàn)有的存儲體系中，DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問速度快，但容量太小，而且斷電后數(shù)據(jù)丟失。NAND雖然容量大，但訪問速度太慢，無法適應新興產(chǎn)業(yè)的需求。在此情況下，基于新的存儲機理的新型存儲器不斷涌現(xiàn)，目前業(yè)界主要的新型存儲器包括相變存儲器、阻變存儲器以及磁阻存儲器。

對于上述三種新型存儲器類型，各大存儲器大廠也都在紛紛參與布局，不斷推出產(chǎn)業(yè)化產(chǎn)品及測試芯片，都希望能在未來成為存儲產(chǎn)業(yè)新的主導。對于這些有望在未來改 變存儲產(chǎn)業(yè)格局的新型存儲技術，大力加強產(chǎn)業(yè)投入，逐步實現(xiàn)技術自主可控，是我國未來具備技術獨立和產(chǎn)業(yè)獨立的必經(jīng)之路。

3.傳統(tǒng)存儲器關注專利風險防范與化解，新型存儲器關注專利戰(zhàn)略謀劃與布局

目前我國已經(jīng)開始投入大量資金和人力用于研發(fā)制造 DRAM和NAND芯片。之前的分析表明我國NAND產(chǎn)業(yè)存在知識產(chǎn)權(quán)風險。在DRAM存儲器領域，各公司之間專利訴訟非常頻繁，相較于國外DRAM寡頭近萬件的專利儲備，我國企業(yè)的專利儲備相當薄弱。

2017年12月存儲寡頭美國美光已經(jīng)向我國DRAM企業(yè)發(fā)起訴訟，可見我國發(fā)展傳統(tǒng)存儲器DRAM 和NAND專利風險的防范與化解迫在眉睫。

另一方面，新型存儲器可能成為未來產(chǎn)業(yè)新的主導，國內(nèi)發(fā)展該產(chǎn)業(yè)勢在必行。但是，我國目前在新型存儲產(chǎn)業(yè)投入較少，主要是科研院所進行研究，企業(yè)介入程度較低，產(chǎn)業(yè)化進程滯后；同時，新型存儲器類型多，產(chǎn)業(yè)化進程各不相同，產(chǎn)業(yè)路徑和模式還不明確。

如何基于國內(nèi)已有的技術和人才資源，合理進行專利戰(zhàn)略謀劃與布局，在新型存儲時 代逐步實現(xiàn)我國存儲產(chǎn)業(yè)的自主可控是目前亟待解決的問題。

二、傳統(tǒng)DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)化存在風險，需有效化解

1.全球DRAM專利布局基本完成

1）全球?qū)＠暾埩窟_十萬余件，申請由美曰韓主導，技術步入成熟期

圖1：DRAM全球?qū)＠暾堏厔?/p>

圖1是DRAM全球?qū)＠暾堏厔輬D，可以看出，自上世紀六七十年代DRAM技術出現(xiàn)開始，DRAM技術的發(fā)展經(jīng)歷了技術萌芽期，至八十年代進入快速發(fā)展期，形成穩(wěn)定的技術格局。

自本世紀開始，DRAM技術專利申請量呈現(xiàn)斷崖式下降， 在2010年左右，該項技術的申請量有過短時間的波動，但是整體依然呈現(xiàn)下降趨勢。同時，圖1還顯示出美曰韓三國企業(yè)歷年申請趨勢，其與全球整體趨勢基本一致。

此外，雖然當前DRAM主場份額主要由美國美光以及韓國三星、海力士占據(jù)，但是就專利申請來看，曰本企業(yè)仍在布局DRAM專利技術，以維持在該產(chǎn)業(yè)中的威懾力。

2）國內(nèi)專利申請平穩(wěn)有降，國內(nèi)申請人布局力度不足

圖2：DRAM國內(nèi)專利申請趨勢

圖2是DRAM國內(nèi)專利申請趨勢圖，整體專利趨勢平穩(wěn)有降。國內(nèi)申請人從2000年之后才開始進行專利申請，且每年專利申請占比較小，布局力度明顯不足。

3）三星、海力士、美光處于領先地位，我國專利儲備極其薄弱

圖3：DRAM全球重要專利申請人

從全球申請人排名的情況來看，如圖3所示，DRAM存儲寡頭三星、海力士、美光具有接近萬件以上的專利申請，即便已經(jīng)退出市場的廠商依然有至少超過4000件以上的專利儲備，而國內(nèi)申請人專利申請僅在200件以下，專利儲備極其薄弱。

2.專利訴訟一觸即發(fā)，產(chǎn)業(yè)護航勢在必行

我國DRAM產(chǎn)業(yè)處于起步期，與三星起步期相比資金、 政策、人才條件都已經(jīng)初步具備，但缺少來自DRAM大廠的有效授權(quán)。同時由于隨著dram技術趨于成熟，產(chǎn)業(yè)開始進入到訴訟高發(fā)期，與三星起步期相比，外部環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，圖4給出了專利申請量與訴訟量的對比情況。

圖4：專利申請量與訴訟量的對比

隨著時間的推進，包括三巨頭三星、海力士、美光在內(nèi)的國外存儲器廠商積累了大量專利，而我國dram產(chǎn)業(yè)由于還處于起步期，專利積累極為薄弱，在產(chǎn)業(yè)進入訴訟高發(fā)期的背景下，我國既未獲得有效技術授權(quán)，專利儲備又嚴重不足，難以與巨頭形成交叉許可，因此存在專利風險。

1）我國將同時面臨三重專利訴訟風險

DRAM產(chǎn)業(yè)由群雄并起發(fā)展為寡頭壟斷，但是除了三巨頭(三星、海力士、美光）外，退市廠商也持有大量有效專利。如圖5所示，三巨頭在全球存儲器重要市場美國擁有超過2000件授權(quán)有效專利，同時已經(jīng)退出市場的英飛凌、富士通、 IBM、東芝等都持有數(shù)量相當可觀的美國授權(quán)有效專利。

圖5：DRAM美國授權(quán)有效專利持有人分布情況

另一方面，從訴訟的統(tǒng)計情況來看，專利除了成為實體制造商排擠對手的武器外，還是NPE攫取利潤的工具。由此可知，我國將同時面臨來自三巨頭、退出市場的廠商以及NPE的三重專利訴訟風險。

2）制造技術和控制技術訴訟頻發(fā)

圖6：DRAM專利訴訟技術分支分布

圖6給出了DRAM專利訴訟技術分支分布情況，可以看出DRAM訴訟中包括半導體制造技術和控制技術，其中半導體制造技術占比30%，控制技術占比70%，存儲單元結(jié)構(gòu)、架構(gòu)和制造工藝是半導體制造技術的訴訟熱點，占比分別達 到54%、27%、17%。DDR接口技術是控制技術的訴訟熱點，占比達到58%。

3.制造技術鳳險評估

1）存儲單元結(jié)構(gòu)、制造工藝和整體架構(gòu)存在一定數(shù)量的核心專利

對于常規(guī)的半導體制造技術，最重要的晶圓芯片內(nèi)部的陣列整體架構(gòu)變化不大，無電容架構(gòu)雖有專利申請但未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前主流產(chǎn)品均采用1晶體管1電容（1T1R）的架構(gòu)，該基礎專利已經(jīng)過期，架構(gòu)變化嚴重依賴存儲單元結(jié)構(gòu)的變化。

同時，存儲單元結(jié)構(gòu)、制造技術的演進均是為了減小存儲單元面積、增大容量，對于40nm以下DRAM半導體制造技術，存在一定數(shù)量的核心專利。

對于整體封裝架構(gòu)，傳統(tǒng)二維打線封裝架構(gòu)和倒裝封裝架構(gòu)基礎專利均已過期。對于目前產(chǎn)業(yè)應用前景較廣的三維 DRAM封裝架構(gòu)，雖然三維堆疊封裝架構(gòu)基礎專利已經(jīng)過期，但是能實現(xiàn)高帶寬DRAM產(chǎn)品的三維TSV封裝架構(gòu)以及5D/3D封裝架構(gòu)都存在一定數(shù)量的核心專利。

2）40nm以下的核心專利構(gòu)成知識產(chǎn)權(quán)風險

圖7：國內(nèi)企業(yè)專利布局情況

圖7示出了國內(nèi)企業(yè)已公開專利的技術分布情況，其中紅色部分是40mn以下制程專用制造技術，藍色部分為通用制造工藝。由此可知，未來主要采用的是40mn以下的制造技術，對涉及這些技術的核心專利申請人進行分析發(fā)現(xiàn)， DRAM生產(chǎn)廠商半導體制造核心專利占比達到66%，風險專利主要被DRAM生產(chǎn)廠商美光、三星、海力士掌握，如圖8所示。

加上H1R的整體架構(gòu)基礎專利已經(jīng)過期，對于DRAM大廠而言，當前幾乎壟斷了市場，而我國企業(yè)則屬于新進入的競爭者，這些DRAM大廠很有可能利用手中的專利武器發(fā)起訴訟從而達到排除竟爭者的目的。

因此這些大廠所掌握的40mn以下的制造技術和相應的存儲單元結(jié)構(gòu)核心專利對我國產(chǎn)業(yè)構(gòu)成較高知識產(chǎn)權(quán)風險。此外，退出市場的廠商也持有相當比例的核心制造技術專利，其專利風險也同樣不可忽視。

圖8：核心制造技術專利權(quán)人分布

4.控制技術風險評估

1）DRAM的DDR接口標準必要專利成為訴訟利器

DRAM發(fā)展的歷史上發(fā)生過大量的專利訴訟，圖9給出了DRAM發(fā)展史上主要的訴訟發(fā)起者的訴訟規(guī)模（訴訟規(guī)模=訴訟專利件數(shù)*被告數(shù)量）排名情況。

圖9：主要訴訟發(fā)起者規(guī)模排名

其中Rambus發(fā)起的專利訴訟規(guī)模最大。對Rambus涉訴的專利進行分析發(fā)現(xiàn)，全部的21項專利都屬于DDR接口標準必要專利，其中US7287109B2、US6591353BKUS6470405B2 涉訴規(guī)模最大，被告企業(yè)達29家。由于標準必要專利的控制力強，取證容易，成為了DRAM領域的訴訟利器。

2）DDR接口標準必要專利已發(fā)展至DDR4

DDR接口從DDR1發(fā)展到DDR4已歷經(jīng)4代，DDR2-DDR4 在DDR1的基礎上引入了 一系列特征從而實現(xiàn)帶寬的不斷增加和電壓的不斷降低。因此，DDR接口標準必要專利由DDR1 基礎型專利和DDR2-4改進型專利構(gòu)成。

3） DDR2-DDR4改進型專利構(gòu)成知識產(chǎn)權(quán)風險

由于DDR的基礎專利已經(jīng)過期，對DDR2-DDR4改進型專利進行分析，主要權(quán)利人排名情況如圖10所示。

圖10：DDR核心專利權(quán)利人排名

DDR2-DDR4改進型專利主要掌握在現(xiàn)存的DRAM廠商海力士、三星、美光和CPU廠商英特爾手中，占比達到53%，因此被這些DRAM廠商所掌握的DDR核心專利對我國DRAM產(chǎn)業(yè)構(gòu)成了較大的專利風險。此外，已經(jīng)退出市場的廠商、NPE和小型存儲企業(yè)也持有相當部分的DDR核心專利，其風險也不可忽視。

5. 建議積極引進合作，化解專利風險

1）尋求專利許可，合理控制授權(quán)許可費

國內(nèi)企業(yè)在尋求專利許可時，應通過談判將授權(quán)許可費控制在合理范圍內(nèi)，不應超過該許可費最高估值。

2） 尋求核心專利收儲

DRAM歷史上發(fā)生過專利收購的價格并不統(tǒng)一，但專利的價值主要取決于市場上是否存在侵權(quán)的產(chǎn)品，同時這些侵權(quán)產(chǎn)品的侵權(quán)證據(jù)是否容易收集。除此之外，專利許可買賣歷史及價格、專利的壽命、市場容量以及消費需求等也是影響專利價值評估的至關重要的因素。

6.布局核心專利，參與標準制定，化解專利風險

積極布局易于侵權(quán)判定的存儲單元結(jié)構(gòu)及DDR接口技術核心專利，跟隨JEDEC標準組織的DDR接口標準加強專利布局。

雖然DRAM半導體制造和控制技術核心專利主要被國外存儲廠商把控，我國DRAM企業(yè)仍需要在存儲單元結(jié)構(gòu)、DDR 接口技術等易于侵權(quán)判定的專利技術上積極布局，增加可以進行反訴甚至可以主動訴訟的專利，即具備進攻屬性的專利儲備。

一方面，半導體制造上布局垂直晶體管、杯狀電容、 高K電容、蜂巢電容結(jié)構(gòu)等40nm以下存儲單元結(jié)構(gòu)核心技術。另一方面，如圖11所示>DDR技術產(chǎn)業(yè)的布局重點是 SRT、ODT、ASR等降低功耗的技術，我國應加強這些分支的研究和專利布局，最終努力參與DDR接口技術新標準的制定。

圖11：控制技術專利布局

三、新型存儲器格局未定，各國爭先布局

1.全球存儲寡頭加大新型存儲器投入，相變、磁阻、阻變存儲器并行研發(fā)

國際存儲器巨頭對新型存儲器體現(xiàn)出了巨大的熱情，紛紛加大研發(fā)投入。如圖12所示，從專利申請數(shù)量上來看，國際存儲器巨頭，例如三星、美光、海力士等，均在相變、 阻變、磁阻存儲器上投入了較大的研究力量，布局大量專利。

圖12：國際存儲器巨頭新型存儲器專利布局情況

2.全球相變存儲器主要分為三大陣營，中國具備一定的研發(fā)實力

通過梳理相變存儲器全球技術發(fā)展路線，發(fā)現(xiàn)存儲材料趨向三元合金材料GST;存儲單元結(jié)構(gòu)趨向集成度高的1S1R; 存儲陣列趨向?qū)崿F(xiàn)大容量的垂直堆疊；制造工藝包括光刻、 掩膜等工藝，控制技術集中在讀寫性能的提高和多值控制。

如圖13，通過對相變存儲器的專利按照聯(lián)合申請和轉(zhuǎn)讓的情況進行共現(xiàn)分析。根據(jù)專利體現(xiàn)出的關聯(lián)度并結(jié)合產(chǎn)業(yè)信息，相變存儲器的申請人主要集中為三大陣營。

分別是三星和相關科研機構(gòu)組成的三星陣營，英特爾、美光聯(lián)合意法半導體和OVONYX組成的英特爾、美光陣營，以及以IBM、英飛凌、旺宏電子和奇夢達為代表的IBM陣營，當然還存在如海力士、東芝等其他研究力量。中國方面，中科院也與中芯國際聯(lián)合進行研發(fā)，具備一定實力。

圖13：相變存儲器申請人聯(lián)合申請與許可關聯(lián)圖

1）英特爾與美光陣營善用全球資源，共享優(yōu)質(zhì)人才， 把控核心專利，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)領先

英特爾與美光密切關注掌握核心技術的小型創(chuàng)新型企業(yè)。如圖14所示，1970年英特爾和能源轉(zhuǎn)換裝置公司合作研發(fā)了世界上第一個256位半導體相變存儲器。1999年，能量轉(zhuǎn)換裝置公司則與美光前副主席建立了新的子公司 0V0NYX。

圖14：莢特爾/美光與其它公司的合作關系

2000年，英特爾與OVONYX發(fā)表了合作與許可協(xié)議; 2012年美光收購破產(chǎn)的能量轉(zhuǎn)換公司，獲得其下OVONYX關于相變存儲器的所有知識產(chǎn)權(quán)。

英特爾與美光共享優(yōu)質(zhì)人才，深度合作。如圖15所示，在相變存儲器領域英特爾與美光的主要發(fā)明人存在著大量交叉的現(xiàn)象，這說明英特爾與美光進行了深度合作研發(fā)。

圖15：英特爾與美光的相變存儲器專利中發(fā)明人的交叉情況

英特爾與美光基于收購的原型技術持續(xù)改進，搶占關鍵節(jié)點。英特爾在存儲材料中全面進行布局。在存儲單元結(jié)構(gòu)中，英特爾主要在存儲單元結(jié)構(gòu)中的控制單元上進行深入研究，提出了以雙向閾值開關（OTS)為基礎的存儲單元結(jié)構(gòu)。

在存儲陣列中，英特爾先后在平面堆疊和垂直堆疊上進行專利布局，并基于1D1R結(jié)構(gòu)的三維平面堆疊方式為大容量奠定基礎。在存儲材料和存儲單元結(jié)構(gòu)相繼得到突破后，英特爾注重制造工藝以及控制技術的專利布局。

和英特爾的專利布局策略相似，在存儲材料方面，美光同時在二元合金和三元合金積極進行布局。在存儲單元結(jié)構(gòu)上，基于Ovonyx的雙向閾值開關技術進行改進，申請雙向閾值開關以及1S1R相關專利技術。為了提高相變存儲器的存儲容量，美光主要專注于垂直堆疊技術。

圖16：美光與英特爾收儲OTS核心專利，加以改進并實現(xiàn)技術突破

如圖16所示，美光還進一步在與英特爾的合作研發(fā)過程中對核心專利加以改進，進行繼續(xù)研發(fā)，布局了多篇OTS選通管改進型專利，實現(xiàn)技術突破。

基于在多個重要技術節(jié)點上取得的突破和技術的全面性，英特爾和美光于2015年率先量產(chǎn)容量為128Gb的相變存儲器一3DXPoint,在新型存儲領域占得優(yōu)勢。

2）三星關鍵技術節(jié)點研發(fā)受挫，當前重新跟隨英特爾、美光腳步

三星僅實現(xiàn)較小容量的相變存儲器產(chǎn)品。2008年，三星公司基于90nm工藝成功制備了 512Mb相變存儲器芯片，2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片，2012年基于20nm工藝制備8Gb相變存儲器芯片，而隨后幾年沒有在相變存儲器實現(xiàn)更大容量的突破。

三星產(chǎn)品容量受限，后續(xù)緊跟英特爾美光步伐。在相變材料上三星布局較為均勻，在二元合金、三元 金材料中均有布局。在存儲單元結(jié)構(gòu)方面，三星的專利技術主要集中在1T1R以及1D1R結(jié)構(gòu)，并在這兩種結(jié)構(gòu)上廣泛布局，直到2013年開始追隨英特爾美光在1S1R結(jié)構(gòu)上有所申請。

三星在2012年以前主要采用了傳統(tǒng)的晶體管或二極管作為相變存儲器的選擇器件，限制了相變存儲器容量的提升。在英特爾與美光宣布3DXPoint技術實現(xiàn)了相變存儲器的技術突破后，三星在2016年以后分別對3DXPoint的存儲單元、熱絕緣層、0TS控制管等結(jié)構(gòu)布局了一批3DXPoint的外圍技術。

3）我國有望實現(xiàn)大容量相變存儲器

中科院微系統(tǒng)所是我國相變存儲器產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新主體。相變存儲器領域，我國創(chuàng)新主體的專利申請量排名如下圖所示。中科院上?；障到y(tǒng)與信息所合作中芯國際研發(fā)生產(chǎn)Kb級打印機用相變存儲器芯片，是目前我國相變存儲器發(fā)展的主要力量。

圖17：我國相變存儲器申請人排名

中科院微系統(tǒng)所技術有望實現(xiàn)大容量產(chǎn)品，但部分核心技術被英特爾、美光搶先布局。

中科院徽系統(tǒng)所作為我國相變存儲器領域申請量排名第一的創(chuàng)新主體，具有深厚的專利技術儲備，其專利布局特點在于：（1)規(guī)模性：在相變存儲器各技術分支上均有完備的布局，能夠形成大容量相變存儲器的完整技術鏈；（2)多樣性：在相變材料等關鍵技術分支上具有差異化的布局，具有多種技術路徑，具有規(guī)避知識產(chǎn)權(quán)風險的可能。

但相變存儲器三大核心技術存儲材料、存儲單元結(jié)構(gòu)和存儲陣列的基礎專利都牢牢掌握在英特爾和美光手中，釆用上述技術均會導致知識產(chǎn)權(quán)風險。

其中，僅相變材料具有多種可選的獨立自主技術路徑，一方面，我國應當在自主技術的基礎上努力尋求專利許可來發(fā)展相變存儲器產(chǎn)業(yè)；同時，還應當加大研發(fā)投入，在結(jié)構(gòu)及陣列技術領域形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術。

3.全球半導體制造企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新研發(fā)主體，共同推進阻變存儲器產(chǎn)業(yè)化

1）存儲器巨頭美光聯(lián)手索尼，海力士聯(lián)手惠普

如圖18所示，國外阻變存儲器產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀是，各大存儲器行業(yè)巨頭已經(jīng)分別生產(chǎn)出各自的測試芯片，但至今沒有一家公司實現(xiàn)量產(chǎn)。為了實現(xiàn)技術的優(yōu)勢互補和強強聯(lián)合， 國外各大存儲器公司釆用公司合作的方式進行阻變存儲的研發(fā)。

具體地，惠普的材料技術聯(lián)合海力士先進的半導體制造工藝，共同實現(xiàn)技術突破；索尼借助美光制造技術，共同研發(fā)推出16Gb (2GB)阻變存儲器芯片；閃迪和東芝共同 進行專利申請，率先推出32GB阻變存儲器測試晶片； CROSSBAR利用自主研發(fā)結(jié)合中芯國際的制造力量，產(chǎn)出1TB 存儲器。

圖18：國外主要公司合作態(tài)勢

2）中芯國際合作創(chuàng)新企業(yè)CROSSBAR

CROSSBAR公司借助密歇根大學盧偉教授團隊的阻變存儲器研發(fā)力量，實現(xiàn)阻變存儲器快速發(fā)展的同時，與中芯國際達成合作。中芯國際利用自家低溫BE0L制程，幫助CROSSBAR代工試產(chǎn)阻變存儲器，將多層阻變存儲器單元結(jié)構(gòu)整合至CMOS晶圓之上，正式出樣的40ntn工藝的阻變存儲器芯片實現(xiàn)級存儲，是目前阻變存儲器領域離商業(yè)化進程最近的產(chǎn)品。

但在與創(chuàng)新企業(yè)CROSSBAR合作過程中，中芯國際沒有在相關技術的核心節(jié)點上進行專利布局。

4.全球半導體巨頭聯(lián)合小型創(chuàng)新企業(yè)，共推磁阻存儲器產(chǎn)業(yè)化

1）三星收購磁阻存儲創(chuàng)新型公司GRANDIS，快速切入磁阻存儲產(chǎn)業(yè)

如圖19所示，三星在2010年轉(zhuǎn)入磁阻存儲器領域，在2018年即將實現(xiàn)磁阻存儲器（STT-MRAM類型）的量產(chǎn)，三 星短時間內(nèi)切入磁阻存儲器領域并實現(xiàn)量產(chǎn)的原因之一在于其尋找到合適的收購目標GRANDIS。通過收購，三星獲得磁阻存儲器（STT-MRAM類型）核心專利一百佘件。

圖19：Grandis 合作以及被并購情況

2）制造巨頭格羅方德合作創(chuàng)新主體EVERSPIN，共享專利技術

Everspin成立于2008年，是一家專業(yè)從事磁阻存儲器研發(fā)的創(chuàng)新型企業(yè)，目前市場上有兩種類型的磁阻存儲器已經(jīng)量產(chǎn)，均為Everspin公司的產(chǎn)品。

如圖20所示，Everspin和半導體制造大廠格羅方德從2014年就STT-MRAM類型磁阻存儲器技術進行合作推動 STT-MRAM商業(yè)化進程，Everspin提供芯片技術，格羅方德則提供生產(chǎn)線以及制造工藝，并為Everspin注資2900萬美元進行STT-MRAM 的研發(fā)，二者之間共享所有知識產(chǎn)權(quán)。

圖20：Everspin 以及格羅方德合作模式

5.小結(jié)

1）國際存儲巨頭紛紛聯(lián)手創(chuàng)新型科技機構(gòu)

圖21：國外相變存器產(chǎn)業(yè)發(fā)模式

如圖21所示，相變存儲器三大陣營中的英特爾、美光 陣營和IBM陣營都釆取研發(fā)型科技機構(gòu)+存儲器制造廠的合作模式。英特爾、美光通過合作、并購獲取了 OVONYX和能 源轉(zhuǎn)換公司的核心技術，并在此基礎上加以改進實現(xiàn)技術領先，同時進行相應專利布局；旺宏電子通過與IBM進行合作， 充分利用兩家企業(yè)的研發(fā)優(yōu)勢，通過聯(lián)合申請大量布局專利。

此外，在磁阻、阻變存儲器領域，該模式也被廣泛采用，如圖22所示。在磁阻領域，三星收購了 Grandis，獲取其關鍵技術，格羅方德則與Everspin簽署了合作協(xié)議。在阻變領域，中芯國際則與Crossbar取得了合作，并推出了樣片。

圖22：國外磁阻、阻變存儲器產(chǎn)模式

在新型存儲器領域，一些研發(fā)型科研機構(gòu)有能力在技術上取得突破，但存儲器的制造，甚至僅僅是研發(fā)產(chǎn)品的流片都具有十分高的門檻，因此僅僅靠科研機構(gòu)無法讓新型存儲器跨越實驗室與產(chǎn)業(yè)化之間的鴻溝。而對于存儲器大廠而言，由于新型存儲技術路線還不明朗，研發(fā)投入巨大且技術產(chǎn)出成果難以預計，研發(fā)風險大。

因此業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的科研機構(gòu)均樂于與存儲器制造廠合作，存儲器制造廠也常常通過收 購、并購科研機構(gòu)，以將原型技術進行產(chǎn)業(yè)化，占據(jù)新的領域高點。

通過這種合作模式，業(yè)內(nèi)的創(chuàng)新主體們在新型存儲領域取得了一個又一個的突破，甚至有的已經(jīng)率先實現(xiàn)大容量新型存儲器產(chǎn)業(yè)化，如圖23所示，“研發(fā)型科研機構(gòu)+存 儲器制造廠”這種模式已成為業(yè)內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的主流模式。

圖23：新型存儲國際主流合作模式

依托這種合作模式，存儲器廠通過專利收儲、聯(lián)合申請等方式，獲取了研發(fā)型科研機構(gòu)的核心技術，同時也增強了自身的專利布局，提升產(chǎn)業(yè)控制力。比如，在三星收購Grandis的同時也收儲了其100余件專利；英特爾和美光在收購能源轉(zhuǎn)換公司（ECD)的同時也收儲其20余件專利，實現(xiàn)了技術突破，并基于收儲專利進行進一步專利布局；旺宏電子和其合作伙伴IBM也進行了100余件專利的聯(lián)合申請， 實現(xiàn)技術的互利共贏。

國際存儲器制造大廠與研發(fā)型科研機構(gòu)合作的這種方式，迅速搶占專利高地，完善自身布局結(jié)構(gòu)，為今后產(chǎn)業(yè)控制力的較量奠定基礎。

2）我國初步形成半導體廠聯(lián)合創(chuàng)新型機構(gòu)的新型存儲研發(fā)模式

在我國，中芯國際也開始嘗試這種“研發(fā)型科研機構(gòu)+ 存儲器制造廠”的合作模式，如圖24所示，中芯國際在三個存儲器領域均有涉獵，在相變、磁阻、阻變分別與中科院徽系統(tǒng)所、中科院物理所以及國外企業(yè)CROSSBAR進行合作。

但我國的這種合作模式與國外相比仍存在一些問題。下面將以相變領域中芯國際和中科院微系統(tǒng)所的合作與英特爾和 0V0NYX的合作進行對比，分析國內(nèi)合作存在的問題。

圖24：中芯國際新型存儲合作情況

如圖25所示，中芯國際的申請量僅為英特爾的不足四分之一，獨立權(quán)利要求特征較多，保護范圍較小，同時權(quán)利要求數(shù)量不多，未形成層次化保護。

圖25：中芯國際、英特爾專利情況對比

不僅僅是在專利數(shù)量和質(zhì)量上，在專利布局結(jié)構(gòu)上也有較大的缺失，如圖26所示，中芯國際的專利布局主要分布在制造工藝，占比近一半，而在存儲陣列和控制技術方面缺失嚴重。

圖26：中芯國際專利布局情況

如圖27所示，在專利數(shù)量上中科院微系統(tǒng)所雖然有一定的積累，但仍僅為0V0NYX的一半不到，在保護范圍和權(quán)利要求數(shù)量方面也暴露了高校申請專利的短板，保護范圍小，權(quán)利要求數(shù)量少，未能形成層次化保護。

圖27：中科院微系統(tǒng)所、OVONYX專利情況對比

因此，在我國“研發(fā)型科研機構(gòu)+存儲器制造廠”的合作模式并未充分地運轉(zhuǎn)起來，存儲器廠并未真正有效地消化、吸收科研機構(gòu)的技術，并借此完善專利布局，提升產(chǎn)業(yè)控制力。具體表現(xiàn)為存儲器廠和科研機構(gòu)的專利數(shù)量少、質(zhì)量低、布局結(jié)構(gòu)不合理等。

四、我國存儲器產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略規(guī)劃

1.科學制定分階段知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略目標

1）傳統(tǒng)DRAM存儲器采取“防守進攻”專利策略

目前存儲寡頭全球擁有超過萬件專利申請，在國內(nèi)擁有接近400件的專利申請?；诖?，為保障我國DRAM產(chǎn)業(yè)安全，先力求國內(nèi)市場實現(xiàn)與存儲寡頭企業(yè)在專利上的抗衡，累積專利申請，國內(nèi)申請總量和有效專利數(shù)量基本與存儲寡頭達到同一竟爭體量。

隨后力求在全球市場實現(xiàn)與存儲寡頭企業(yè)在專利上的抗衡。增強專利海外布局，力爭在我國涉及存儲產(chǎn)品的主要貿(mào)易目的地實現(xiàn)與存儲寡頭專利量達到同 一競爭體量。

2）新型存儲器采取“攻守兼?zhèn)洹睂＠呗?/p>

對于新型存儲器，我國必須從現(xiàn)在開始有計劃地進行戰(zhàn)略專利儲備。

2.多措并舉，提升關鍵技術專利質(zhì)量，培育高價值專利

通過加強地方專利申請扶持政策的方向性引導、強化專利質(zhì)量監(jiān)控和反饋等多種方式培育dram、新型存儲器高價值專利。

重點培育涉及dram易于侵權(quán)判定技術、高帶寬產(chǎn)品封 裝架構(gòu)的高價值專利；重點培育新型存儲核心技術分支的高價值專利。

3.引導建立我國存儲器產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟，應對專利風險，增強產(chǎn)業(yè)控制力

引導建立我國存儲器產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟，通過聯(lián)盟應對風險。力爭在未來的新型存儲時代確立知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢，產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟完成從“風險防御”階段向“產(chǎn)業(yè)主導”階段轉(zhuǎn)型。