chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索LMG3622:GaN FET在電源設(shè)計中的卓越之選

lhl545545 ? 2026-03-01 15:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索LMG3622:GaN FET在電源設(shè)計中的卓越之選

電子工程師的日常工作中,尋找高性能、高集成度的電源管理解決方案是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)。今天,我們要深入探討的是德州儀器(TI)的LMG3622,一款具有700V耐壓、106mΩ導(dǎo)通電阻的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),它集成了驅(qū)動器電流感應(yīng)仿真功能,為開關(guān)電源應(yīng)用帶來了新的可能性。

文件下載:lmg3622.pdf

一、LMG3622的關(guān)鍵特性

1. 高耐壓與低導(dǎo)通電阻

LMG3622采用700V GaN FET,能夠承受高電壓,適用于離線電源開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(典型值106mΩ)有效降低了傳導(dǎo)損耗,提高了電源效率。而且,隨著溫度升高,導(dǎo)通電阻的變化相對較小,確保了在不同工作條件下的穩(wěn)定性。從數(shù)據(jù)手冊中的“Normalized On-Resistance vs Junction Temperature”圖可以看到,在-40°C至140°C的溫度范圍內(nèi),導(dǎo)通電阻的變化幅度是可預(yù)測的,這為工程師在設(shè)計熱管理方案時提供了便利。

2. 集成驅(qū)動器和電流感應(yīng)仿真

集成的門極驅(qū)動器具有低傳播延遲和可調(diào)的開通壓擺率控制功能。通過調(diào)節(jié)RDRV引腳與AGND之間的電阻,可以將GaN FET的開通壓擺率編程為四個離散設(shè)置之一。這一特性為工程師在設(shè)計中提供了靈活性,可以根據(jù)具體應(yīng)用需求平衡功率損耗、開關(guān)引起的振鈴和電磁干擾(EMI)。例如,在對EMI要求較高的應(yīng)用中,可以選擇較慢的開通壓擺率;而在追求高開關(guān)速度的場景下,則可以選擇較快的設(shè)置。 電流感應(yīng)仿真功能則通過在CS引腳輸出GaN FET漏極電流的縮放副本,取代了傳統(tǒng)的電流感應(yīng)電阻。這不僅節(jié)省了功率和空間,還允許將低側(cè)散熱焊盤直接連接到PCB電源地,提高了系統(tǒng)的熱性能和布線靈活性。

3. 全面的保護(hù)功能

LMG3622具備多種保護(hù)功能,包括欠壓鎖定(UVLO)、逐周期過流保護(hù)和過溫保護(hù)。欠壓鎖定功能確保當(dāng)AUX電壓低于設(shè)定閾值時,GaN FET不會開啟,避免了在低電壓下的異常工作。逐周期過流保護(hù)能夠在每個IN邏輯高電平周期內(nèi)監(jiān)測GaN FET的漏極電流,一旦超過過流閾值,立即關(guān)閉GaN FET,減少了系統(tǒng)故障的風(fēng)險。過溫保護(hù)則在芯片溫度過高時,通過FLT引腳報告故障并關(guān)閉GaN FET,防止芯片因過熱而損壞。

4. 低靜態(tài)電流

AUX引腳的靜態(tài)電流非常低,正常工作時為240μA,待機模式下可降至50μA。這種低靜態(tài)電流特性使得LMG3622非常適合需要滿足政府輕載效率要求的應(yīng)用,如移動充電器和輔助電源等。

二、LMG3622的引腳配置與功能

LMG3622采用8mm × 5.3mm的QFN封裝,具有38個引腳。每個引腳都有其特定的功能,以下是幾個關(guān)鍵引腳的介紹:

  • EN引腳:用于在活躍模式和待機模式之間切換。當(dāng)EN引腳為邏輯高電平時,設(shè)備處于活躍模式,此時功率FET由IN引腳控制;當(dāng)EN引腳為邏輯低電平時,設(shè)備進(jìn)入待機模式,IN引腳被忽略,GaN FET關(guān)閉,AUX靜態(tài)電流降低。
  • IN引腳:用于控制GaN FET的開啟和關(guān)閉。它具有高輸入阻抗、低輸入閾值電壓和最大輸入電壓等于AUX電壓的特點,能夠支持低電壓和高電壓輸入信號,并且可以由低功率輸出驅(qū)動。
  • CS引腳:電流感應(yīng)仿真輸出引腳。通過在該引腳連接一個電阻到AGND,可以創(chuàng)建一個電流感應(yīng)電壓信號,作為外部電源控制器的輸入。
  • AUX引腳:內(nèi)部電路的輸入電源引腳。需要在AUX和AGND之間連接一個本地旁路電容,以提供穩(wěn)定的電源。

三、應(yīng)用場景與設(shè)計要點

1. 應(yīng)用場景

LMG3622適用于多種開關(guān)電源應(yīng)用,如AC/DC適配器和充電器、移動壁式充電器設(shè)計、USB壁式電源插座、輔助電源、電視用開關(guān)電源(SMPS)和LED電源等。其集成的特性和高性能使得它能夠簡化設(shè)計并減少元件數(shù)量,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

2. 設(shè)計要點

開通壓擺率設(shè)計

在設(shè)計過程中,開通壓擺率的選擇是一個重要的考慮因素。較慢的開通壓擺率可以減少EMI和振鈴問題,但可能會增加開關(guān)損耗;而較快的開通壓擺率則相反。在準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,由于開關(guān)在零變壓器電流時進(jìn)行谷值開關(guān),理論上沒有開關(guān)交叉損耗,只有開關(guān)節(jié)點電容損耗。因此,開通壓擺率的選擇需要綜合考慮準(zhǔn)諧振控制器對開關(guān)開通延遲的補償能力。如果控制器能夠補償開關(guān)開通延遲,那么可以選擇最慢的開通壓擺率設(shè)置;否則,需要在開關(guān)噪聲問題和開關(guān)損耗之間進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計。

電流感應(yīng)設(shè)計

電流感應(yīng)電阻(R{CS1})的計算需要先進(jìn)行傳統(tǒng)電流感應(yīng)電阻的設(shè)計計算(R{CS(trad)}),然后乘以電流感應(yīng)仿真的逆增益。由于(R{CS1})的值通常比傳統(tǒng)電流感應(yīng)電阻大得多,因此在設(shè)計時需要注意其對電路的影響。如果使用了(R{CS2}),需要確保其設(shè)計計算考慮到(R_{CS1})的顯著值。

電源推薦

LMG3622由連接到AUX引腳的單個輸入電源供電,其推薦的AUX電壓范圍為10V至26V,與常見的電源控制器供電引腳的開啟和UVLO電壓限制重疊。因此,可以使用與電源控制器相同的電源進(jìn)行供電,方便了設(shè)計。同時,建議在AUX引腳上連接至少0.03μF的陶瓷電容,以提供穩(wěn)定的電源。

布局設(shè)計

在PCB布局方面,需要注意以下幾點:

  • 焊點應(yīng)力釋放:遵循NC1、NC2和NC3錨定引腳的焊接說明,使用非阻焊定義(NSMD)的焊盤,并確保連接到NSMD焊盤的板跡線寬度小于焊盤寬度的三分之二,直到跡線被阻焊層覆蓋。
  • 信號地連接:設(shè)計電源時應(yīng)使用獨立的信號地和電源地,并僅在一處連接。將LMG3622的AGND引腳連接到信號地,S引腳和PAD散熱焊盤連接到電源地,以實現(xiàn)信號地和電源地的單點連接。
  • CS引腳信號:由于電流感應(yīng)信號的阻抗比傳統(tǒng)電流感應(yīng)信號高三個數(shù)量級,因此需要盡量避免將其路由到靠近任何嘈雜的跡線,并將電流感應(yīng)電阻和任何濾波電容放置在跡線的遠(yuǎn)端,靠近控制器的電流感應(yīng)輸入引腳。

四、總結(jié)

LMG3622憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻、集成的驅(qū)動器和電流感應(yīng)仿真功能以及全面的保護(hù)特性,成為開關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。電子工程師在使用LMG3622進(jìn)行設(shè)計時,需要充分考慮其特性和設(shè)計要點,特別是開通壓擺率的選擇、電流感應(yīng)電阻的計算、電源的選擇和PCB布局等方面,以實現(xiàn)最佳的性能和可靠性。希望本文能夠為工程師們在使用LMG3622進(jìn)行設(shè)計時提供有價值的參考。你在實際應(yīng)用中是否使用過LMG3622呢?遇到過哪些問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗,歡迎在評論區(qū)分享!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源設(shè)計
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1774

    瀏覽量

    69681
  • GaN FET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    37

    瀏覽量

    3907
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)

    LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過將
    的頭像 發(fā)表于 02-24 11:04 ?1166次閱讀
    技術(shù)資料#<b class='flag-5'>LMG3622</b> 650V 120mΩ <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b>,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)

    具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-29 09:18 ?0次下載
    具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>FET</b> <b class='flag-5'>LMG3622</b>數(shù)據(jù)表

    LMG3622EVM-082:LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊

    LMG3622EVM-082 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電 (PD) 離線適配器的高效率和高密度。輸入
    的頭像 發(fā)表于 02-24 10:37 ?758次閱讀
    <b class='flag-5'>LMG3622</b>EVM-082:<b class='flag-5'>LMG3622</b>用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊

    LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動器的卓越

    LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動器的卓越
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?483次閱讀

    探索LMG365xR025:650V 25mΩ GaN FET卓越性能與應(yīng)用

    探索LMG365xR025:650V 25mΩ GaN FET卓越性能與應(yīng)用 在當(dāng)今的電子領(lǐng)域,功率轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷發(fā)展,對高效、高功率密度的
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?482次閱讀

    探索LMG365xR035:高性能GaN FET卓越

    探索LMG365xR035:高性能GaN FET卓越
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:10 ?476次閱讀

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能 開關(guān)模式
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?468次閱讀

    深入解析LMG3624:700V GaN FET集成驅(qū)動的卓越

    深入解析LMG3624:700V GaN FET集成驅(qū)動的卓越
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:25 ?471次閱讀

    探索LMG3100R017與LMG3100R044:100V GaN FET集成驅(qū)動的卓越選擇

    探索LMG3100R017與LMG3100R044:100V GaN FET集成驅(qū)動的卓越選擇
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?511次閱讀

    探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力

    探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力 在當(dāng)今的電子世界,高效、緊湊的電源
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?510次閱讀

    LMG3522R030-Q1:高性能GaN FET卓越

    LMG3522R030-Q1:高性能GaN FET卓越
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?509次閱讀

    探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動器的卓越性能

    探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動器的卓越性能
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:45 ?794次閱讀

    探索LMG3626:700V GaN FET卓越性能與應(yīng)用

    探索LMG3626:700V GaN FET卓越性能與應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:45 ?849次閱讀

    探索LMG3612:650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力

    探索LMG3612:650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力 電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:45 ?885次閱讀

    深度解析LMG341xR150:高性能GaN FET卓越

    深度解析LMG341xR150:高性能GaN FET卓越 在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域,功率密度和
    的頭像 發(fā)表于 03-01 17:15 ?982次閱讀