想當(dāng)年TLC閃存剛剛出現(xiàn)的時(shí)候，眾人嗤之以鼻的態(tài)度，而如今3D TLC終歸還是成為了市場(chǎng)的絕對(duì)主流。而將目光看向眼前的未來(lái)，QLC閃存是否也會(huì)最終取代TLC成為新一代的主流閃存？

QLC即Quad-Level Cell，每單元存儲(chǔ)4位的數(shù)據(jù)，容量上是SLC的四倍。為了達(dá)到如此大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量，其控制難度和精確度需求相當(dāng)之高，因此其性能和耐久度與前代相比會(huì)有一定程度降低，但是每GB存儲(chǔ)空間的成本也隨著單顆粒的容量密度提高而降低，從而降低成本。

對(duì)于大家都關(guān)心的QLC的性能下降問(wèn)題，到底是不是真的很嚴(yán)重呢？著名半導(dǎo)體公司美光給出了參考。圖上分別是使用美光TLC和QLC閃存顆粒的7680GB固態(tài)硬盤(pán)。兩者讀取性能相當(dāng)，都頂?shù)搅?a target="_blank">SATA接口的極限，寫(xiě)入性能上QLC只有360MB/s，IOPS下降接近一半。總體看來(lái)，性能有一定程度的下降。

除了性能，耐久度也是QLC顆粒被詬病的一點(diǎn)。相比于美光給出的1000P/E，另一閃存大牌在閃存峰會(huì)上表示96層的3D QLC可以達(dá)到1500P/E。實(shí)際使用測(cè)試中，即使超過(guò)1500P/E也沒(méi)有明顯劣化。所以壽命還是可以的。

回到一開(kāi)始的問(wèn)題上，QLC是否會(huì)取代TLC？以目前的發(fā)展趨勢(shì)，與其說(shuō)取代TLC，QLC的任務(wù)更應(yīng)該是取代機(jī)械硬盤(pán)。結(jié)合復(fù)雜、高負(fù)載情況下的寫(xiě)入性能下降嚴(yán)重而讀取性能依然不錯(cuò)的特點(diǎn)以及容量遠(yuǎn)超其他固態(tài)硬盤(pán)的特性，QLC固態(tài)硬盤(pán)更適合用作寫(xiě)入少，讀取多的倉(cāng)庫(kù)盤(pán)而并非頻繁讀寫(xiě)的系統(tǒng)盤(pán)，TLC固態(tài)硬盤(pán)則不會(huì)受影響，依然是系統(tǒng)盤(pán)中的消費(fèi)級(jí)主流。