SGM8714A-1/SGM8714B-1:納米功耗、小尺寸低壓比較器的卓越之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,對(duì)于功耗、尺寸和性能的要求日益嚴(yán)苛。SG Micro Corp推出的SGM8714A-1和SGM8714B-1納米功耗、小尺寸低壓比較器,為工程師們提供了出色的解決方案。下面,我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這兩款比較器。
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一、產(chǎn)品概述
SGM8714A-1和SGM8714B-1是單通道、納米功耗、小尺寸的比較器。它們專為1.6V至5.5V的單電源低壓操作而優(yōu)化,靜態(tài)電流僅為300nA。這兩款器件采用了節(jié)省空間的1mm×1mm XTDFN封裝,非常適合智能電池供電設(shè)備。同時(shí),它們?cè)诘凸暮透咚僦g取得了很好的平衡,傳播延遲僅為6μs,能夠在不消耗過(guò)多電池電量的情況下實(shí)現(xiàn)連續(xù)的系統(tǒng)監(jiān)控和對(duì)故障條件的快速響應(yīng)。
二、產(chǎn)品特性
1. 超低功耗
靜態(tài)電流僅300nA(典型值),這使得它們?cè)陔姵毓╇娫O(shè)備中具有顯著的優(yōu)勢(shì),能夠大大延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
2. 高速響應(yīng)
傳播延遲僅6μs(典型值),可以快速響應(yīng)輸入信號(hào)的變化,確保系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性。
3. 寬電源電壓范圍
支持1.6V至5.5V的電源電壓,具有良好的兼容性,適用于各種不同的電源環(huán)境。
4. 軌到軌輸入共模電壓
允許輸入信號(hào)在電源電壓范圍內(nèi)變化,提高了信號(hào)處理的靈活性。
5. 不同輸出結(jié)構(gòu)
- SGM8714A-1采用推挽輸出結(jié)構(gòu),能夠輕松驅(qū)動(dòng)LED、電阻或電容負(fù)載,具有毫安級(jí)的電流源和吸收能力。
- SGM8714B-1采用開(kāi)漏輸出結(jié)構(gòu),需要外部上拉電阻來(lái)輸出高電平(V{S})或低于(V{S})的電壓,可實(shí)現(xiàn)雙極性到單端信號(hào)的轉(zhuǎn)換和電平轉(zhuǎn)換。
6. 內(nèi)部遲滯
典型值為6mV,可減少對(duì)噪聲輸入電壓的敏感度,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
7. 寬工作溫度范圍
-40℃至+125℃,適用于各種惡劣的工作環(huán)境。
8. 環(huán)保封裝
采用綠色XTDFN-1×1-6L封裝,符合環(huán)保要求。
三、引腳配置與描述
| 引腳名稱 | 功能 |
|---|---|
| +IN | 非反相輸入 |
| -VS | 負(fù)電源 |
| -IN | 反相輸入 |
| OUT | 輸出 |
| NC | 未連接 |
| +VS | 正電源 |
四、電氣特性
1. 輸入特性
- 輸入失調(diào)電壓:在不同溫度和電源電壓下有一定的變化范圍,典型值在1 - 10mV之間。
- 輸入偏置電流:在(VS = 5V),(VCM = VS/2),(+25℃)時(shí)為15pA。
- 輸入失調(diào)電流:在(VS = 5V),(VCM = VS/2),(+25℃)時(shí)為20pA。
2. 輸出特性
- 輸出高電壓(僅SGM8714A-1):在(VS = 5V),(IOUT = 3mA),(+25℃)時(shí)為4.79 - 4.855V。
- 輸出低電壓:在(VS = 5V),(IOUT = -3mA),(+25℃)時(shí)為85 - 150mV。
- 開(kāi)漏輸出泄漏電流(僅SGM8714B-1):在(VS = 5V),(VID = +0.1V)(輸出高),(VPULL - UP = VS),(+25℃)時(shí)為30pA。
3. 其他特性
- 共模抑制比(CMRR):在不同溫度和電源電壓下,典型值在45 - 69dB之間。
- 電源抑制比(PSRR):在(VS = 1.6V)至5.5V,(VCM = VS/2)時(shí),典型值為61dB。
- 短路電流:在不同條件下有不同的值,例如在(VS = 5V),源電流(僅SGM8714A-1)時(shí)為27 - 60mA。
- 靜態(tài)電流:在(VS = 5V),(IOUT = 0A),(VID = -0.1V)(輸出低),(+25℃)時(shí)為300 - 540nA。
五、開(kāi)關(guān)特性
1. 傳播延遲時(shí)間
- 高到低傳播延遲時(shí)間(僅SGM8714B-1在(RP = 2.5kΩ)時(shí)):(+25℃)時(shí)為4μs。
- 低到高傳播延遲時(shí)間(僅SGM8714B-1在(RP = 2.5kΩ)時(shí)):(+25℃)時(shí)為6μs。
2. 上升時(shí)間和下降時(shí)間
- 上升時(shí)間(僅SGM8714A-1):20%到80%,(+25℃)時(shí)為6ns。
- 下降時(shí)間:80%到20%,(+25℃)時(shí)為6ns。
3. 上電時(shí)間
(+25℃)時(shí)為1ms。
六、典型性能特性
1. 傳播延遲與輸入過(guò)驅(qū)動(dòng)的關(guān)系
不同電源電壓和溫度下,傳播延遲隨輸入過(guò)驅(qū)動(dòng)的變化而變化。例如,在(VS = 3.3V)和(VS = 5V)時(shí),不同溫度下的傳播延遲曲線不同。
2. 遲滯與溫度、輸入共模電壓的關(guān)系
遲滯受溫度和輸入共模電壓的影響,不同電源電壓下的曲線也有所不同。
3. 輸入失調(diào)電壓與溫度、輸入共模電壓的關(guān)系
輸入失調(diào)電壓同樣受溫度和輸入共模電壓的影響,在不同條件下有不同的變化趨勢(shì)。
4. 輸出電壓與輸出短路電流的關(guān)系
輸出高電壓和輸出低電壓與輸出短路電流有關(guān),不同電源電壓和溫度下的曲線不同。
5. 靜態(tài)電流與溫度、電源電壓、輸入共模電壓的關(guān)系
靜態(tài)電流隨溫度、電源電壓和輸入共模電壓的變化而變化。
6. 輸入偏置電流與溫度的關(guān)系
輸入偏置電流隨溫度的升高而增加。
7. 上升/下降時(shí)間與負(fù)載電容的關(guān)系
上升/下降時(shí)間隨負(fù)載電容的增加而增加。
七、應(yīng)用信息
1. 反相比較器(SGM8714A-1)
通過(guò)外部遲滯電路,當(dāng)(V{IN})低于(V{A})時(shí),(Vout)為高電平;當(dāng)(V{IN})達(dá)到(V{A1})并繼續(xù)增加時(shí),(Vout)變?yōu)榈碗娖?。可以通過(guò)公式計(jì)算高到低和低到高轉(zhuǎn)換的閾值以及遲滯。
2. 同相比較器(SGM8714A-1)
當(dāng)輸入低于閾值(V{IN1})時(shí),輸出為低電平;當(dāng)輸入大于(V{IN1})時(shí),輸出變?yōu)楦唠娖剑划?dāng)輸入低于(V_{IN2})時(shí),輸出又回到低電平。同樣可以通過(guò)公式計(jì)算閾值和遲滯。
3. 窗口比較器(SGM8714B-1)
用于檢測(cè)欠壓或過(guò)壓情況。當(dāng)輸入信號(hào)低于1.1V或高于2.2V時(shí),輸出為低電平;當(dāng)輸入電壓在1.1V和2.2V之間時(shí),輸出保持高電平。
4. 方波振蕩器
通過(guò)(R{4}C{1})的時(shí)間常數(shù)來(lái)確定方波的振蕩頻率。當(dāng)(V{OUT})為高電平時(shí),電容(C{1})充電;當(dāng)(V{C})達(dá)到(V{A1})時(shí),輸出變?yōu)榈碗娖?,電?C{1})放電;當(dāng)(V{C})達(dá)到(V{A2})時(shí),輸出又變?yōu)楦唠娖健U袷庮l率可以通過(guò)公式(f = 1 / (2 × R{4} × C_{1} × ln 2))計(jì)算。
八、電源與電源去耦
1. 電源
推薦使用1.6V至5.5V的單電源,在電平轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也可以使用雙極性電源。
2. 電源去耦
建議選擇100nF的旁路電容,以提高在長(zhǎng)走線、噪聲和高電源輸出阻抗情況下的性能。當(dāng)比較器輸出需要驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載和長(zhǎng)走線時(shí),也建議使用旁路電容。
九、總結(jié)
SGM8714A-1和SGM8714B-1納米功耗、小尺寸低壓比較器具有超低功耗、高速響應(yīng)、寬電源電壓范圍、不同輸出結(jié)構(gòu)等諸多優(yōu)點(diǎn),適用于手機(jī)、電池供電設(shè)備、紅外接收器等多種應(yīng)用場(chǎng)景。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí),可以根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào),并合理應(yīng)用其特性,以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類似比較器的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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