電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)自1998年以來,Power Integrations(以下簡稱PI)標志性的TOPSwitch產(chǎn)品在過去的二十多年里,已經(jīng)進入各種家電產(chǎn)品中。數(shù)據(jù)顯示,全球每個普通家庭平均擁有兩顆TOPSwitch芯片。這款集成度極佳的反激式開關IC,奠定了PI離線式電源設計的基石。
隨著不斷的技術迭代,PI在近期推出TOPSwitchGaN?反激式IC系列產(chǎn)品,結合了PowiGaN?氮化鎵技術與TOPSwitch架構,將反激式電源轉換器的功率范圍擴展至 440W,更在許多高功率應用場景下實現(xiàn)了無需散熱片的設計,極大地簡化了系統(tǒng)架構,縮短了設計周期,并降低了總成本。
不再受限于250W功率瓶頸,空載功耗<50mW
在電源設計中,功率密度與拓撲結構的選擇始終是一道難題。PI資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan表示,基于傳統(tǒng)硅MOSFET的反激方案,受限于開關損耗和熱管理,其功率輸出通常被限制在250W以內(nèi)。
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為了突破功率瓶頸,工程師們在過去幾十年間主要依賴三種方案:
一是基于FET的反激方案:通常用于20W-200W范圍,結構簡單但功率受限。例如PI此前發(fā)布的TinySwitch 5集成了725V 功率MOSFET,輸出功率提升到200W。
二是當輸出功率大于250W后,就會采用半橋電路,雖然功率提升,但元件數(shù)增多,設計復雜。
三是諧振變換器(如LLC):用于更高效率或更高功率需求,但成本高昂且控制復雜,且有散熱挑戰(zhàn)。
GaN技術的出現(xiàn)拓展了反激式電源的功率范圍,PI最新的TOPSwitchGaN IC通過集成800V PowiGaN開關,將反激拓撲的功率范圍擴展到了400W以上。這意味著,原本必須采用半橋或LLC諧振拓撲的高功率應用,現(xiàn)在僅需一顆IC即可解決。
Jason Yan介紹,TOPSwitchGaN IC有以下五大核心技術優(yōu)勢:
一是集成了800V PowiGaN開關,能夠?qū)崿F(xiàn)極致的熱管理。傳統(tǒng)的硬開關反激拓撲在高功率下會產(chǎn)生巨大的開關損耗,TOPSwitchGaN利用氮化鎵極低的開關損耗特性,可以做到50W至200W的功率段,客戶可以選擇無散熱片的設計。
在300W-400W的高功率段,可以采用PCB散熱方式或安裝散熱片進行散熱。eSOPTM-12封裝采用薄型表面貼裝的封裝型式,適合超薄設計,支持波峰焊或回流焊,通過源極引腳和裸焊盤,利用PCB板進行散熱;eSIPTM-7封裝是立式封裝形式,使用夾片可簡化散熱片的安裝,可提供更大輸出功率。
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二是專有的控制方式,可以實現(xiàn)230VAC、160W負載時效率達92.8%。相比舊款 TOPSwitch的空載功耗約 80-100mW,控制電流為毫安級,新款芯片結合控制器革新,將空載功耗降低至 50mW 以下。此外通過導通時間延長技術 ,提高了低輸入電 壓情況下的功率輸出能力,以及故障檢測等特點。
三是TOPSwitchGaN IC的開關頻率可達150kHz,這一設計為工程師提供了極大的設計裕量。在EMI(電磁干擾)與變壓器尺寸之間,工程師可以根據(jù)需求靈活進行權衡,既可以選擇小體積的高頻設計,也可以選擇EMI更易處理的低頻設計。
四是快速的動態(tài)響應特性。在動態(tài)響應方面,TOPSwitchGaN IC采用傳統(tǒng)的二極管整流,因為同步整流的優(yōu)勢不明顯針對特定應用場景(如高電壓、小電流或?qū)Τ杀久舾械膽茫﹥?yōu)勢不夠明顯。沿用成熟的光耦反饋方式,并且在內(nèi)部進行了優(yōu)化。
五是芯片內(nèi)部集成了高壓電流源供電技術,無需外圍啟動元件,利用漏極電流源即可啟動,極大地簡化了電路設計。
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與LLC諧振變換器效率隨負載劇烈波動不同,TOPSwitchGaN IC能夠在整個負載范圍(10%—100%)內(nèi)保持效率恒定,變化幅度小于1%。此外,其輸出電壓精度可達±0.5%,這意味著在批量生產(chǎn)中,產(chǎn)線的一致性極佳,通常無需額外增加二次穩(wěn)壓電路,從而降低了系統(tǒng)成本。
效率可達92%,碾壓LLC+PFC
隨著電動自行車、無人機、工業(yè)自動化設備的普及,市場對50W至400W功率段的電源需求激增。特別是電動自行車領域,為了增加續(xù)航里程,電池容量和母線電壓不斷提升,這就要求充電器必須具備更高的功率密度和更寬的輸出電壓范圍。
在這一功率段,LLC諧振變換器長期以來被視為“高效率”的代名詞。然而,TOPSwitchGaN IC的出現(xiàn),重新定義了這一領域的競爭格局。
反激式變換器拓撲結構簡單,元件數(shù)目少,只需要一個功率開關,無需PFC變換級,簡單且易于實現(xiàn)多路輸出的設計,只不過輸出功率受到初級開關的限制,適用于低至中功率應用。
LLC屬于軟開關技術,雖然在固定電壓下效率極高,但它需要兩個功率開關管,且必須配合PFC級和輔助供電電源使用。其設計和生產(chǎn)過程復雜,且對元件參數(shù)極其敏感,適合單路輸出。
而在實際工程應用中,TOPSwitchGaN IC的綜合效率已可超越配備PFC級的LLC變換器。Jason Yan給出一組對比數(shù)據(jù):
無前級PFC的LLC方案雖然在高輸入電壓(如 230VAC 以上)時,其效率略高于 TOPSwitchGaN,但其在低輸入電壓(如 90VAC - 115VAC)下無法正常工作。
LLC+PFC完整方案一旦計入 PFC 級的損耗(95% x 97% 的級聯(lián)效率),LLC 方案的整體系統(tǒng)效率會大幅下降,甚至在大部分電壓范圍內(nèi)都低于 TOPSwitchGaN 方案。
而TOPSwitchGaN IC方案在整個交流輸入電壓范圍(90VAC 至 265VAC)內(nèi),效率呈現(xiàn)出隨電壓升高而穩(wěn)步提升的趨勢,并在 230VAC 和 265VAC 時達到92%。
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目前,PI已經(jīng)打造了覆蓋20W到400W功率段的完整解決方案。
20W - 50W的低功率段可以使用TinySwitch 1-4系列,適合對成本敏感且功率要求不高的應用。
50W - 200W中功率交叉段有較多的選擇,如果工程師偏向追求極致的結構簡化,無散熱片設計,可以使用TOPSwitchGaN,如果是成本敏感型或傳統(tǒng)設計可以使用TinySwitch-5,但是在100W-200W功率段工作,須外接散熱片。
那在200W - 400W的高功率階段就可以使用TOPSwitchGaN。且采用了GaN器件之后,電源的魯棒性會更好,更容易耐受過壓沖擊。
長期以來,50W至400W的高功率電源市場主要由半橋和LLC諧振拓撲主導,但這些方案元件繁多、設計復雜且成本高昂。PI發(fā)布的TOPSwitchGaN IC系列產(chǎn)品,憑借集成的PowiGaN氮化鎵技術,不僅填補了傳統(tǒng)反激與復雜諧振電路之間的市場空白,也提升了在寬電壓范圍內(nèi)的綜合效率,從而在電動自行車、工業(yè)設備等新興領域,為工程師提供了更簡單、更具成本效益的高性能替代方案。
隨著不斷的技術迭代,PI在近期推出TOPSwitchGaN?反激式IC系列產(chǎn)品,結合了PowiGaN?氮化鎵技術與TOPSwitch架構,將反激式電源轉換器的功率范圍擴展至 440W,更在許多高功率應用場景下實現(xiàn)了無需散熱片的設計,極大地簡化了系統(tǒng)架構,縮短了設計周期,并降低了總成本。
不再受限于250W功率瓶頸,空載功耗<50mW
在電源設計中,功率密度與拓撲結構的選擇始終是一道難題。PI資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan表示,基于傳統(tǒng)硅MOSFET的反激方案,受限于開關損耗和熱管理,其功率輸出通常被限制在250W以內(nèi)。
?為了突破功率瓶頸,工程師們在過去幾十年間主要依賴三種方案:
一是基于FET的反激方案:通常用于20W-200W范圍,結構簡單但功率受限。例如PI此前發(fā)布的TinySwitch 5集成了725V 功率MOSFET,輸出功率提升到200W。
二是當輸出功率大于250W后,就會采用半橋電路,雖然功率提升,但元件數(shù)增多,設計復雜。
三是諧振變換器(如LLC):用于更高效率或更高功率需求,但成本高昂且控制復雜,且有散熱挑戰(zhàn)。
GaN技術的出現(xiàn)拓展了反激式電源的功率范圍,PI最新的TOPSwitchGaN IC通過集成800V PowiGaN開關,將反激拓撲的功率范圍擴展到了400W以上。這意味著,原本必須采用半橋或LLC諧振拓撲的高功率應用,現(xiàn)在僅需一顆IC即可解決。
Jason Yan介紹,TOPSwitchGaN IC有以下五大核心技術優(yōu)勢:
一是集成了800V PowiGaN開關,能夠?qū)崿F(xiàn)極致的熱管理。傳統(tǒng)的硬開關反激拓撲在高功率下會產(chǎn)生巨大的開關損耗,TOPSwitchGaN利用氮化鎵極低的開關損耗特性,可以做到50W至200W的功率段,客戶可以選擇無散熱片的設計。
在300W-400W的高功率段,可以采用PCB散熱方式或安裝散熱片進行散熱。eSOPTM-12封裝采用薄型表面貼裝的封裝型式,適合超薄設計,支持波峰焊或回流焊,通過源極引腳和裸焊盤,利用PCB板進行散熱;eSIPTM-7封裝是立式封裝形式,使用夾片可簡化散熱片的安裝,可提供更大輸出功率。
?二是專有的控制方式,可以實現(xiàn)230VAC、160W負載時效率達92.8%。相比舊款 TOPSwitch的空載功耗約 80-100mW,控制電流為毫安級,新款芯片結合控制器革新,將空載功耗降低至 50mW 以下。此外通過導通時間延長技術 ,提高了低輸入電 壓情況下的功率輸出能力,以及故障檢測等特點。
三是TOPSwitchGaN IC的開關頻率可達150kHz,這一設計為工程師提供了極大的設計裕量。在EMI(電磁干擾)與變壓器尺寸之間,工程師可以根據(jù)需求靈活進行權衡,既可以選擇小體積的高頻設計,也可以選擇EMI更易處理的低頻設計。
四是快速的動態(tài)響應特性。在動態(tài)響應方面,TOPSwitchGaN IC采用傳統(tǒng)的二極管整流,因為同步整流的優(yōu)勢不明顯針對特定應用場景(如高電壓、小電流或?qū)Τ杀久舾械膽茫﹥?yōu)勢不夠明顯。沿用成熟的光耦反饋方式,并且在內(nèi)部進行了優(yōu)化。
五是芯片內(nèi)部集成了高壓電流源供電技術,無需外圍啟動元件,利用漏極電流源即可啟動,極大地簡化了電路設計。
?與LLC諧振變換器效率隨負載劇烈波動不同,TOPSwitchGaN IC能夠在整個負載范圍(10%—100%)內(nèi)保持效率恒定,變化幅度小于1%。此外,其輸出電壓精度可達±0.5%,這意味著在批量生產(chǎn)中,產(chǎn)線的一致性極佳,通常無需額外增加二次穩(wěn)壓電路,從而降低了系統(tǒng)成本。
效率可達92%,碾壓LLC+PFC
隨著電動自行車、無人機、工業(yè)自動化設備的普及,市場對50W至400W功率段的電源需求激增。特別是電動自行車領域,為了增加續(xù)航里程,電池容量和母線電壓不斷提升,這就要求充電器必須具備更高的功率密度和更寬的輸出電壓范圍。
在這一功率段,LLC諧振變換器長期以來被視為“高效率”的代名詞。然而,TOPSwitchGaN IC的出現(xiàn),重新定義了這一領域的競爭格局。
反激式變換器拓撲結構簡單,元件數(shù)目少,只需要一個功率開關,無需PFC變換級,簡單且易于實現(xiàn)多路輸出的設計,只不過輸出功率受到初級開關的限制,適用于低至中功率應用。
LLC屬于軟開關技術,雖然在固定電壓下效率極高,但它需要兩個功率開關管,且必須配合PFC級和輔助供電電源使用。其設計和生產(chǎn)過程復雜,且對元件參數(shù)極其敏感,適合單路輸出。
而在實際工程應用中,TOPSwitchGaN IC的綜合效率已可超越配備PFC級的LLC變換器。Jason Yan給出一組對比數(shù)據(jù):
無前級PFC的LLC方案雖然在高輸入電壓(如 230VAC 以上)時,其效率略高于 TOPSwitchGaN,但其在低輸入電壓(如 90VAC - 115VAC)下無法正常工作。
LLC+PFC完整方案一旦計入 PFC 級的損耗(95% x 97% 的級聯(lián)效率),LLC 方案的整體系統(tǒng)效率會大幅下降,甚至在大部分電壓范圍內(nèi)都低于 TOPSwitchGaN 方案。
而TOPSwitchGaN IC方案在整個交流輸入電壓范圍(90VAC 至 265VAC)內(nèi),效率呈現(xiàn)出隨電壓升高而穩(wěn)步提升的趨勢,并在 230VAC 和 265VAC 時達到92%。
?目前,PI已經(jīng)打造了覆蓋20W到400W功率段的完整解決方案。
20W - 50W的低功率段可以使用TinySwitch 1-4系列,適合對成本敏感且功率要求不高的應用。
50W - 200W中功率交叉段有較多的選擇,如果工程師偏向追求極致的結構簡化,無散熱片設計,可以使用TOPSwitchGaN,如果是成本敏感型或傳統(tǒng)設計可以使用TinySwitch-5,但是在100W-200W功率段工作,須外接散熱片。
那在200W - 400W的高功率階段就可以使用TOPSwitchGaN。且采用了GaN器件之后,電源的魯棒性會更好,更容易耐受過壓沖擊。
長期以來,50W至400W的高功率電源市場主要由半橋和LLC諧振拓撲主導,但這些方案元件繁多、設計復雜且成本高昂。PI發(fā)布的TOPSwitchGaN IC系列產(chǎn)品,憑借集成的PowiGaN氮化鎵技術,不僅填補了傳統(tǒng)反激與復雜諧振電路之間的市場空白,也提升了在寬電壓范圍內(nèi)的綜合效率,從而在電動自行車、工業(yè)設備等新興領域,為工程師提供了更簡單、更具成本效益的高性能替代方案。
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3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項
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5,GaN驅(qū)動電路設計走線參考
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