通過一次射頻連接完成全面的射頻組件表征。

您的任務(wù)

射頻組件表征通常包括測(cè)量調(diào)制精度、匹配度或完整的 S 參數(shù)。調(diào)制精度通過誤差矢量幅度 (EVM) 或誤碼率 (BER) 等參數(shù)測(cè)量設(shè)備的傳輸性能。射頻組件表征還會(huì)測(cè)量組件是否符合帶外發(fā)射和鄰道泄漏比 (ACLR) 等監(jiān)管要求。匹配測(cè)量可確保組件在系統(tǒng)中按設(shè)計(jì)運(yùn)行，例如在特定天線阻抗下實(shí)現(xiàn)額定功率傳輸。測(cè)試時(shí)間是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，提高測(cè)試速度可有效降低成本。

羅德與施瓦茨解決方案

調(diào)制精度測(cè)量需要使用全調(diào)制信號(hào)來(lái)激勵(lì)被測(cè)設(shè)備 (DUT)，以確保其性能與實(shí)際應(yīng)用中一致。測(cè)試系統(tǒng)中的寬帶矢量信號(hào)發(fā)生器 (VSG) 為 DUT 提供輸入信號(hào)。

要測(cè)量EVM或BER等真實(shí)性能指標(biāo)，需要使用寬帶矢量信號(hào)分析儀(VSA)，并搭配一個(gè)或一組符合被測(cè)設(shè)備(DUT)使用場(chǎng)景的測(cè)量應(yīng)用(符合標(biāo)準(zhǔn)或自定義)。盡管可以基于窄帶測(cè)量結(jié)果估算EVM，但要獲得符合標(biāo)準(zhǔn)的真實(shí)EVM、BER或數(shù)字預(yù)失真(DPD)指標(biāo)，通常仍需借助寬帶VSA和配套測(cè)量應(yīng)用。

ACLR 等監(jiān)管測(cè)量通常只需使用具備大動(dòng)態(tài)范圍的窄帶頻譜分析儀。在一些測(cè)試場(chǎng)景中，測(cè)試速度比動(dòng)態(tài)范圍更重要。信號(hào)與頻譜分析儀組合可以平衡速度和動(dòng)態(tài)范圍，滿足特定測(cè)試場(chǎng)景的需求。和監(jiān)管測(cè)量一樣，匹配測(cè)量和 S 參數(shù)測(cè)量通常也需要權(quán)衡動(dòng)態(tài)范圍和速度。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 (VNA) 提供了所需的靈活性。

應(yīng)用

如前所述，射頻組件測(cè)試至少需要三種不同的測(cè)試與測(cè)量功能(EVM、ACLR 和 S 參數(shù))，而且通常具有不同的性能要求。除此之外，測(cè)試時(shí)間也是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。更換射頻線纜既耗時(shí)，又需要人工操作，是導(dǎo)致測(cè)量誤差的常見原因。

因此，減少射頻連接次數(shù)能夠顯著降低測(cè)試成本。下圖展示了一種滿足上述所有要求的測(cè)試架構(gòu)：

單次射頻連接

VNA 適用于高度靈活的匹配測(cè)量

VSG/VSA 組合適用于真實(shí)場(chǎng)景測(cè)量，包括 EVM、DPD 和 BER 測(cè)量

整個(gè)測(cè)試架構(gòu)還包括兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)耦合器。耦合器可根據(jù)動(dòng)態(tài)范圍和頻率范圍要求進(jìn)行選擇。

耦合器1將VSG與其中一個(gè)VNA端口連接到被測(cè)設(shè)備(DUT)的輸入端，耦合器2將VSA與另一個(gè)VNA端口連接到DUT的輸出端。耦合器的直通端口用于進(jìn)行寬帶測(cè)量，因?yàn)榇祟悳y(cè)量對(duì)信噪比(SNR)的要求極為嚴(yán)格。利用連續(xù)波(CW)激勵(lì)信號(hào)，VNA可通過減小濾波器帶寬等方式來(lái)補(bǔ)償降低的SNR。

VNA 測(cè)量和校準(zhǔn)以輸入端的 3/4 校準(zhǔn)平面和輸出端的 5/6 校準(zhǔn)平面為參考。VSG 和 VSA 均支持去嵌(例如用于外部耦合器)。

使用三個(gè)獨(dú)立儀器可進(jìn)一步提升測(cè)量架構(gòu)的靈活性：VSG 和 VSA 可以選擇具備最大帶寬與最高性能的高端儀器，而 VNA 測(cè)量只需使用中檔儀器，反之亦然。

總結(jié)

上述測(cè)試架構(gòu)能夠靈活滿足不同的測(cè)試需求，還具備一個(gè)附加優(yōu)勢(shì)，只需通過一個(gè)射頻接口連接至 DUT。

用于連續(xù)波和 EVM 矢量校準(zhǔn)測(cè)量的測(cè)試架構(gòu)