貝嶺捷報

IIC 2026 「功」獲殊榮，車規(guī)芯聲引關注

2026 IIC Shanghai 國際集成電路展覽會暨研討會盛大啟幕，上海貝嶺攜硬核實力亮相，一舉斬獲行業(yè)重磅獎項，更在峰會上發(fā)表車規(guī)級半導體專題演講，盡顯本土企業(yè)技術底蘊！

展會期間，2026中國IC設計成就獎頒獎典禮圓滿舉行，汽車電子市場總監(jiān)張飛代表公司登臺領獎。本次上海貝嶺150V屏蔽柵金屬氧化物半導體場效應管BLP038N15，榮獲2026年度中國IC設計成就獎之熱門IC產品類：功率器件/寬禁帶器件，這份榮譽是行業(yè)對該產品在技術創(chuàng)新、市場應用及行業(yè)影響力等方面卓越表現(xiàn)的高度認可，更是對公司深耕功率半導體賽道成果的充分肯定。

同期，在2026中國IC領袖峰會上，其發(fā)表《新趨勢、新變局，國產車規(guī)級半導體的挑戰(zhàn)與應對策略》主題演講。演講深度剖析了國產車規(guī)級半導體行業(yè)發(fā)展新趨勢與新變局，系統(tǒng)梳理產業(yè)面臨的多重挑戰(zhàn)及破局思路，并以上海貝嶺為例，分享車規(guī)級電子產品布局、車規(guī)服務體系建設等實踐經驗與前瞻思考，內容扎實干貨滿滿，獲得現(xiàn)場高度關注與熱烈反響。

核心功率器件推薦

BLP038N15

產品定位

關鍵詞：SGT MOSFET、150V、 超低導通電阻、低FOM值、車規(guī)級可靠性

核心應用場景：

上海貝嶺BLP038N15產品憑借超低導通電阻、高可靠性、高雪崩能量和低開關損耗的核心優(yōu)勢，廣泛適配以下領域：

· 通信和數(shù)據中心服務器電源

· 叉車和輕型電動車電機驅動器

· 光伏儲能以及電池管理系統(tǒng) (BMS)

· 不間斷電源 (UPS)

核心技術與性能

上海貝嶺BLP038N15產品采用業(yè)界先進工藝，結合深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結構，使得器件具有極低的導通電阻和優(yōu)異的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結構，器件獲得優(yōu)良的開關性能，使得該產品具有極低的開關損耗。其器件優(yōu)勢具體如下：

超低導通電阻Rds(on)

BLP038N15的導通電阻典型值僅為2.9mΩ，相比于市場主流廠商同類低導通電阻產品，導通電阻降幅高達23%，可有效地降低功率器件在導通期間的損耗，顯著提升系統(tǒng)整機效率。貝嶺產品具有優(yōu)良的Rds(on) 一致性，適合大功率并聯(lián)場景。

圖1 導通電阻Rds(on)

低FOM 值

性能品質因數(shù)Figure of Merit（FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on)為器件導通電阻，Qg為器件柵極總電荷），簡稱FOM值，是評估MOSFET綜合性能的一個重要指標。較低的導通電阻代表SGT MOSFET在導通狀態(tài)下具有更低的損耗和更高的效率。較低的柵極總電荷代表SGT MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。上海貝嶺BLP038N15在保證超低的導通電阻優(yōu)勢下，極力控制器件柵極總電荷，使得該器件FOM值相較國內廠商同電壓等級產品具有顯著優(yōu)勢。

圖2 FOM值

優(yōu)良的抗電流沖擊能力

貝嶺BLP038N15產品具有高雪崩能力、低熱阻的特點，在電機應用中可以滿足電機短路大電流關斷的需求。

封裝與適配性

器件封裝

為了滿足客戶在不同應用場景下的使用需求，上海貝嶺150V SGT產品在封裝選擇上，可以提供TO-220，TO-247為代表的插件安裝形式。與此同時，還提供以TOLL和TO-263、TO-263-7、TOLT-16LW為代表的貼片安裝形式。對于高功率密度、電流密度設計，貝嶺推薦使用TOLL封裝的150V SGT 產品。TOLL封裝為高功率密度封裝，其典型占位面積為9.8mm*11.73mm與TO-263封裝相比，PCB面積可節(jié)省30%。TOLL封裝的外形高度僅為2.3mm，占用的體積較TO-263減少60%，實現(xiàn)節(jié)省用戶PCB空間，使客戶產品更具成本優(yōu)勢。

圖3 貝嶺TOLL-8 封裝圖

BLP038N15應用表現(xiàn)

貝嶺針對大功率電機控制應用，基于貝嶺150V SGT產品, 設計20kW電機控制器驗證平臺，最高可支持96V電池應用，控制器實物如圖4左所示。貝嶺電機控制器驗證平臺采用疊層設計，上層為控制級，下層為功率級。功率級布局如圖4右所示，采用TO-263-7封裝，單相5管并聯(lián)。

圖4 貝嶺150V SGT 電機控制器驗證平臺（左），功率板卡（右）

圖5 單管100A下應用中開通波形(左) 關斷波形(右)

車規(guī)級功率半導體系列

BLQP038N15-TT(TOLT封裝）

核心性能優(yōu)勢：

超低導通電阻:

導通電阻典型值：2.9mΩ（@Vgs=10V）

高雪崩耐受:

雪崩能量>1200mJ（@L=0.5mH, Ias=70A, Start TJ =25℃）

體二極管反向恢復快：

Qrr僅395nC（@Is=50A, VGS=0, di/dt=100A/us），有效降低開關損耗

核心應用場景

150V SGT MOSFET BLQP038N15-TT憑借極致低導通與高可靠性的核心優(yōu)勢，廣泛適配電動兩輪車和輕摩72V以上高功率驅動器、雙電機獨立驅動平臺、新國標及出口歐盟平臺等高續(xù)航、高負載領域。

產品價值

該產品在48V~96V電池平臺上，可實現(xiàn)BOM成本優(yōu)化8%~15%。其超低導通電阻能顯著降低導通損耗、提升系統(tǒng)效率；相比TO-263封裝，還可節(jié)省30%的PCB面積。兼具高效率、高可靠性與高性價比，是150V SGT方案的優(yōu)選。