FDMS7602S雙N溝道PowerTrench? MOSFET：特性與應(yīng)用解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能對電路的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來深入了解一下FDMS7602S雙N溝道PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些獨特之處。

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一、ON Semiconductor的整合說明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的零件命名法，F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線（）將改為破折號（-）。大家可以通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗證更新后的設(shè)備編號。若對系統(tǒng)集成有任何疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

二、FDMS7602S MOSFET概述

1. 基本信息

FDMS7602S是一款雙N溝道PowerTrench? MOSFET，采用雙MLP封裝，包含兩個專門的N溝道MOSFET。開關(guān)節(jié)點內(nèi)部連接，便于同步降壓轉(zhuǎn)換器的放置和布線?？刂芃OSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）經(jīng)過精心設(shè)計，可提供最佳的功率效率。

2. 主要參數(shù)

• Q1：30 V，30 A，最大導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 時為7.5 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=10 A) 時為12 mΩ。
• Q2：30 V，30 A，最大導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=17 A) 時為5.0 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=14 A) 時為6.8 mΩ。

三、產(chǎn)品特性

1. 電氣特性

（1）關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（(BVDSS)）：Q1和Q2在 (I{D}=250 mu A)、(V{GS}=0 V) 時均為30 V。
• 溫度系數(shù)（(ABVDSS ATJ)）：Q1和Q2在 (I_{D}=250 mu A) 、參考溫度 (25^{circ}C) 時為15 mV/°C。
• 零柵壓漏電流：最大為1 aA AA 。
• 柵源泄漏電流（(IGSS)）：在 (V{GS}=20 V)、(V{DS}=0 V) 時，Q2最大為100 nA。

  （2）導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（(VGS(th))）：Q1和Q2在 (V{GS}=V{DS})、(I_{D}=250 mu A) 時，典型值為1.8 V，最大值為3 V。
• 漏源導(dǎo)通電阻（(r_{DS(on)})）：不同條件下有不同取值，如Q1在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 時最大為7.5 mΩ 。

  （3）動態(tài)特性

• 輸入電容（(Ciss)）：Q1為1315 - 2690 pF，Q2為2020 - 2690 pF。
• 輸出電容：Q1為445 - 600 pF，Q2為860 - 1145 pF。
• 柵電阻：Q1和Q2均為0.9 Ω。

  （4）開關(guān)特性

• 上升時間（(tr)）：Q1為27 - 43 ns，Q2為2.5 - 10 ns。
• 下降時間（(tf)）：Q1為2.3 - 3.2 ns。
• 總柵電荷（(Qg)）：不同條件下Q1和Q2有不同取值。

  2. 熱特性

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（(R_{θJA})）：有不同情況，如在特定條件下Q1為57 °C/W或125 °C/W，Q2為50 °C/W或120 °C/W。
• 結(jié)到外殼熱阻（(R_{θJC})）：Q1為3.5 °C/W，Q2為2 °C/W。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS7602S適用于多個領(lǐng)域，包括計算、通信、通用負載點以及筆記本VCORE等。在這些應(yīng)用中，其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性能夠有效提高電路的效率和性能。

五、注意事項

1. 零件編號更改

由于整合原因，需注意零件編號中符號的變化，及時通過官網(wǎng)驗證更新后的編號。

2. 應(yīng)用限制

ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若買家將產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔相應(yīng)責任。

3. 參數(shù)驗證

“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間改變。所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進行驗證。

大家在使用FDMS7602S進行設(shè)計時，一定要充分考慮上述特性和注意事項，以確保設(shè)計的電路能夠穩(wěn)定、高效地運行。你在使用MOSFET的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。