深入解析FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench? MOSFET

一、引言

在電子工程師的日常工作中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天我們要詳細探討的是FAIRCHILD（現(xiàn)屬于ON Semiconductor）的FDMS5672 N - Channel UltraFET Trench? MOSFET。這款MOSFET在功率轉換應用中具有出色的性能，下面將從多個方面對其進行深入分析。

文件下載：FDMS5672-D.pdf

二、產品背景與系統(tǒng)整合

（一）品牌整合

FAIRCHILD現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，具體來說，F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線（_）將改為破折號（ - ）。大家可通過ON Semiconductor網站核實更新后的設備編號，最新的訂購信息可在www.onsemi.com上找到。

（二）知識產權與責任聲明

ON Semiconductor擁有眾多專利、商標、版權等知識產權。同時，該公司保留對產品進行更改的權利，并且不承擔產品在特定用途中的適用性保證和相關責任。用戶需自行負責產品應用的合規(guī)性，特別是在使用ON Semiconductor產品用于非授權應用時，需承擔相應的法律責任。

三、FDMS5672 MOSFET特性

（一）基本參數(shù)

FDMS5672是一款60V、22A、11.5mΩ的N - Channel UltraFET Trench? MOSFET。在VGS = 6V、ID = 8A時，最大rDS(on) = 16.5mΩ，具有低米勒電荷的特點，在高頻下實現(xiàn)了優(yōu)化效率，并且符合RoHS標準。

（二）應用領域

這款MOSFET主要應用于DC - DC轉換，其UltraFET器件結合了多種特性，能在功率轉換應用中實現(xiàn)基準效率，非常適合高頻DC - DC轉換器。

四、電氣特性

（一）最大額定值

（二）熱特性

（三）電氣參數(shù)

1. 關斷特性

包括漏源擊穿電壓（BVDSS）、擊穿電壓溫度系數(shù)（?BVDSS/?TJ）、零柵壓漏極電流（IDSS）和柵源泄漏電流（IGSS）等參數(shù)。

2. 導通特性

如柵源閾值電壓（VGS(th)）、柵源閾值電壓溫度系數(shù)（?VGS(th)/?TJ）、漏源導通電阻（rDS(on)）和正向跨導（gFS）等。

3. 動態(tài)特性

涵蓋輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）、反向傳輸電容（Crss）和柵極電阻（Rg）等。

4. 開關特性

包含導通延遲時間（td(on)）、上升時間（tr）、關斷延遲時間（td(off)）、下降時間（tf）、總柵極電荷（Qg(TOT)）、柵源柵極電荷（Qgs）和柵漏“米勒”電荷（Qgd）等。

5. 漏源二極管特性

有源漏二極管正向電壓（VSD）、反向恢復時間（trr）和反向恢復電荷（Qrr）等參數(shù)。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，如導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、歸一化導通電阻與結溫的關系、導通電阻與柵源電壓的關系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關系、非鉗位電感開關能力等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。

六、封裝與訂購信息

（一）封裝標記

器件標記為FDMS5672，采用Power 56封裝。

（二）訂購信息

七、總結

FDMS5672 N - Channel UltraFET Trench? MOSFET在DC - DC轉換等功率轉換應用中具有顯著的優(yōu)勢，其低導通電阻、低米勒電荷和高頻優(yōu)化效率等特性使其成為電子工程師的理想選擇。在實際設計中，工程師需要根據具體的應用需求，結合該MOSFET的各項參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件。同時，要注意ON Semiconductor的相關責任聲明和系統(tǒng)整合要求，確保設計的可靠性和合規(guī)性。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。