解析COP8CBE9/CCE9/CDE9：多功能8位CMOS閃存微控制器

一、引言

在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域，高度集成、功能豐富且性能卓越的微控制器是眾多設(shè)計的核心需求。National Semiconductor的COP8CBE9/CCE9/CDE9便是這樣一款極具競爭力的8位CMOS閃存微控制器，它擁有8k內(nèi)存、虛擬EEPROM、10位A/D轉(zhuǎn)換器和掉電復(fù)位等一系列出色特性，能廣泛應(yīng)用于多種對內(nèi)存大小、功能完整性和低電磁干擾（EMI）有要求的場景。

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二、產(chǎn)品概述

2.1 整體特性

COP8CBE9/CCE9/CDE9屬于高度集成的COP8?Feature核心設(shè)備，具備8k閃存程序內(nèi)存，還集成了虛擬EEPROM、A/D轉(zhuǎn)換器、高速定時器、通用同步異步收發(fā)器（USART）和掉電復(fù)位等先進功能。這款單芯片CMOS設(shè)備適用于需要全功能、可在系統(tǒng)內(nèi)重新編程、大內(nèi)存且低EMI的應(yīng)用場景。并且，它可用于開發(fā)、預(yù)生產(chǎn)和批量生產(chǎn)階段，搭配一系列COP8軟硬件開發(fā)工具使用。

2.2 具體型號參數(shù)

三、關(guān)鍵特性

3.1 存儲相關(guān)特性

• 閃存程序內(nèi)存：擁有8k字節(jié)的閃存程序內(nèi)存，具備安全特性，能有效保護程序數(shù)據(jù)。
• 虛擬EEPROM：利用閃存程序內(nèi)存實現(xiàn)虛擬EEPROM功能，可通過在閃存內(nèi)存中初始化非易失性變量并偶爾將這些變量恢復(fù)到閃存內(nèi)存，來模擬可變數(shù)量的EEPROM。
• RAM：配備256字節(jié)的易失性RAM，為數(shù)據(jù)處理提供臨時存儲空間。

3.2 轉(zhuǎn)換與通信特性

• A/D轉(zhuǎn)換器：10位逐次逼近型模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器，最多支持16個通道，具有100%精確的模擬仿真能力。
• USART：帶有片上波特率發(fā)生器的通用同步異步收發(fā)器，方便與外部設(shè)備進行通信。

3.3 時鐘與電源管理特性

• 雙時鐘操作：支持雙時鐘操作，具備HALT/IDLE省電模式。用戶可通過指定的轉(zhuǎn)換序列在高速和低速振蕩器之間切換執(zhí)行，未使用的振蕩器可關(guān)閉以降低功耗。
• 時鐘加倍器：可從10 MHz振蕩器實現(xiàn)20 MHz的操作，指令周期為0.5 μs。

3.4 定時器特性

• 兩個16位定時器：定時器T2可高速運行（分辨率為50 ns），具備處理器獨立PWM模式、外部事件計數(shù)器模式和輸入捕獲模式。

3.5 其他特性

• 掉電復(fù)位：COP8CBE9/CCE9具備掉電復(fù)位功能，可在電源電壓過低時確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
• 高電流I/O：部分引腳具有高電流輸出能力，如B0 - B3在0.3V時可輸出10 mA，其他引腳在1.0V時可輸出10 mA。
• 多輸入喚醒：支持多輸入喚醒功能，并可選擇中斷。
• MICROWIRE/PLUS接口：兼容串行外設(shè)接口，方便與其他設(shè)備進行串行通信。
• 中斷服務(wù)：提供十一個多源向量中斷服務(wù)，包括外部中斷、USART中斷、空閑定時器中斷等。
• 軟件可選I/O選項：支持TRI - STATE輸出/高阻抗輸入、推挽輸出、弱上拉輸入等多種I/O模式。
• 施密特觸發(fā)器輸入：I/O端口采用施密特觸發(fā)器輸入，增強抗干擾能力。

四、技術(shù)優(yōu)勢

4.1 EMI降低

該系列設(shè)備采用了National的專利EMI降低技術(shù)，包括低EMI時鐘電路、漸進式開啟輸出驅(qū)動器（GTOs）和內(nèi)部Icc平滑濾波器，能有效降低電磁干擾，相比傳統(tǒng)設(shè)計可實現(xiàn)15 dB - 20 dB的EMI傳輸降低。

4.2 系統(tǒng)內(nèi)編程與虛擬EEPROM

通過MICROWIRE/PLUS串行接口，設(shè)備可在系統(tǒng)內(nèi)對閃存內(nèi)存進行擦除、編程和讀取操作。同時，引導(dǎo)ROM中包含的額外例程允許用戶在不需要MICROWIRE/PLUS時自定義系統(tǒng)軟件更新功能，還能在RAM和閃存內(nèi)存之間復(fù)制數(shù)據(jù)塊，實現(xiàn)虛擬EEPROM功能。

4.3 雙時鐘與時鐘加倍器

雙時鐘系統(tǒng)提供了高速和低速兩種振蕩器，用戶可根據(jù)需求切換，未使用的振蕩器可關(guān)閉以節(jié)省功耗。時鐘加倍器能將所選振蕩器的頻率加倍，提高CPU的運行速度。

4.4 真正的系統(tǒng)內(nèi)仿真

芯片具備片上仿真能力，用戶可使用最終生產(chǎn)板和設(shè)備進行真正的系統(tǒng)內(nèi)仿真，簡化了軟件在實際環(huán)境條件下的測試和評估過程。

4.5 架構(gòu)優(yōu)勢

基于改進的哈佛架構(gòu)，允許直接從程序內(nèi)存訪問數(shù)據(jù)表，指令提取和內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸可通過兩級流水線重疊進行，提高了指令執(zhí)行效率。同時，支持軟件堆棧方案，方便用戶進行多個子程序調(diào)用。

4.6 指令集優(yōu)勢

• 單字節(jié)/單周期代碼執(zhí)行：大多數(shù)指令為單字節(jié)指令，占用程序空間小，且多數(shù)指令為單周期執(zhí)行，提高了代碼和I/O效率，加快了代碼執(zhí)行速度。
• 單字節(jié)多功能指令：指令集包含許多單字節(jié)多功能指令，可同時執(zhí)行多個功能，如DRSZ、DCOR、JID等指令。
• 位級控制：可對微控制器的I/O端口進行位級控制，方便布局設(shè)計，節(jié)省電路板空間。
• 寄存器集：三個內(nèi)存映射指針處理寄存器間接尋址和軟件堆棧指針功能，15個內(nèi)存映射寄存器可優(yōu)化特定指令的實現(xiàn)。

4.7 封裝與引腳效率

提供多種封裝形式，如44 PLCC、44 LLP和48 TSSOP，且不浪費引腳，滿足不同設(shè)計對空間和引腳的需求。

五、電氣特性

5.1 直流電氣特性

在不同溫度范圍（0?C - +70?C和?40?C - +125?C）下，對設(shè)備的工作電壓、電源上升時間、電源紋波、供電電流、輸入輸出電平、內(nèi)部偏置電阻等參數(shù)進行了詳細(xì)規(guī)定。例如，在0?C - +70?C時，工作電壓范圍為2.7V - 5.5V；在?40?C - +125?C時，工作電壓范圍為4.5V - 5.5V。

5.2 交流電氣特性

包括指令周期時間、閃存內(nèi)存頁擦除時間、MICROWIRE/PLUS的頻率和時序參數(shù)等。例如，指令周期時間在不同電壓范圍內(nèi)有不同的要求，閃存內(nèi)存頁擦除時間典型值為1 ms。

5.3 A/D轉(zhuǎn)換器電氣特性

在單端模式下，規(guī)定了A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率、DNL、INL、偏移誤差、增益誤差、輸入電壓范圍、模擬輸入泄漏電流等參數(shù)。分辨率為10位，在不同電源電壓下，各項誤差指標(biāo)有所不同。

六、引腳描述

COP8CBE/CCE/CDE的I/O結(jié)構(gòu)允許設(shè)計師通過單條指令重新配置微控制器的I/O功能。每個I/O引腳可獨立配置為低輸出、高輸出、高阻抗輸入或帶弱上拉的輸入。例如，可將I/O引腳用作鍵盤矩陣輸入線，通過內(nèi)部弱上拉使輸入線在按鍵未按下時讀取為邏輯高，按下按鍵時讀取為邏輯零，無需外部上拉電阻。同時，部分引腳具有高電流輸出能力，可用于驅(qū)動LED、電機和揚聲器等。

七、總結(jié)

COP8CBE9/CCE9/CDE9微控制器憑借其豐富的功能、出色的性能和靈活的設(shè)計，為電子工程師提供了一個強大的解決方案。無論是在降低EMI、系統(tǒng)內(nèi)編程、時鐘管理還是指令集效率方面，都展現(xiàn)出了卓越的優(yōu)勢。在實際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的型號和封裝，充分發(fā)揮該系列微控制器的潛力，設(shè)計出更加高效、穩(wěn)定的電子系統(tǒng)。大家在使用這款微控制器時，是否遇到過一些獨特的應(yīng)用場景或挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。