onsemi ECH8690功率MOSFET：設計與應用的理想之選

在電子工程領域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件。今天我們來深入探討一下onsemi推出的ECH8690功率MOSFET，它在眾多低導通電阻要求的應用中表現(xiàn)出色。

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產(chǎn)品概述

ECH8690采用了onsemi的 trench技術(shù)，專門設計用于降低導通電阻。它是一款互補雙MOSFET，包含N溝道和P溝道MOSFET，并且該器件是無鉛、無鹵且符合RoHS標準的，充分體現(xiàn)了環(huán)保理念。其封裝為SOT - 28FL/ECH8，引腳電氣連接和標記圖等詳細信息在數(shù)據(jù)手冊中有說明。

產(chǎn)品特性

低導通電阻

這是該產(chǎn)品的一大亮點，低導通電阻能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。在不同的測試條件下，N溝道和P溝道的導通電阻都有出色的表現(xiàn)。例如，N溝道在(I{D}=2A)，(V{GS}=10V)時，典型導通電阻(R{DS(on)})為42mΩ，最大為55mΩ；P溝道在(I{D}=-1A)，(V{GS}=-10V)時，典型導通電阻(R{DS(on)})為73mΩ，最大為94mΩ。

保護二極管內(nèi)置

內(nèi)置的保護二極管可以為電路提供額外的保護，防止反向電壓對MOSFET造成損壞，增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4V驅(qū)動能力

支持4V驅(qū)動，這意味著在一些低電壓驅(qū)動的應用場景中，該MOSFET能夠很好地適配，為設計帶來了更多的靈活性。

電氣參數(shù)

絕對最大額定值

在(T{A}=25^{circ}C)的條件下，N溝道的漏源電壓(V{DSS})最大為60V，P溝道為 - 60V；柵源電壓(V{GSS})最大為±20V；N溝道的直流漏極電流(I{D})最大為4.7A，P溝道為 - 3.5A；脈沖漏極電流(I{DP})在PW≤10μs，占空比≤1%的條件下，N溝道和P溝道均為30A。此外，在安裝在特定陶瓷基板（(1200mm^2×0.8mm)）上時，允許的功率耗散(P{D})為1.5W，總耗散(P{T})為1.8W，通道溫度(T{ch})最大為150°C，存儲溫度(T_{stg})范圍為 - 55°C到 + 150°C。需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

在不同的測試條件下，N溝道和P溝道呈現(xiàn)出不同的電氣特性。以N溝道為例，漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)，(V{GS}=0V)時為60V；零柵壓漏極電流(I{loss})在(V{DS}=60V)，(V{GS}=0V)時最大為1μA；柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}=±16V)，(V_{DS}=0V)時最大為±10μA等。P溝道也有相應的類似參數(shù)。這些參數(shù)為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據(jù)。

典型特性

數(shù)據(jù)手冊中給出了一系列典型特性曲線，如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲線。這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同電壓、電流和溫度條件下的性能表現(xiàn)。例如，(R{DS(on)}-V{GS})曲線可以幫助工程師了解導通電阻隨柵源電壓的變化情況，從而在設計時選擇合適的柵源電壓來獲得所需的導通電阻。

應用與注意事項

應用

由于其低導通電阻和良好的電氣性能，ECH8690適用于各種需要低導通電阻的應用，如電源管理、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等領域。

注意事項

因為ECH8690是MOSFET產(chǎn)品，在使用時要避免在高電荷物體附近使用。如果用于指定應用以外的場景，需要聯(lián)系銷售部門。

總之，onsemi的ECH8690功率MOSFET以其出色的性能和環(huán)保特性，為電子工程師在電路設計中提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師們可以根據(jù)具體的設計需求，結(jié)合其電氣參數(shù)和典型特性，充分發(fā)揮該MOSFET的優(yōu)勢。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享。