FDS86540 N - Channel PowerTrench? MOSFET：高效開關(guān)的理想之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入了解一下 FDS86540 N - Channel PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些出色的特性和應(yīng)用場景。

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一、公司背景與產(chǎn)品編號變更

Fairchild Semiconductor 現(xiàn)已成為 ON Semiconductor 的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分 Fairchild 可訂購的產(chǎn)品編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將替換為破折號（-）。大家可以訪問 ON Semiconductor 網(wǎng)站（www.onsemi.com）來驗(yàn)證更新后的設(shè)備編號。

二、FDS86540 MOSFET 特性

（一）電氣特性

1. 低導(dǎo)通電阻：在 VGS = 10 V、ID = 18 A 時，最大 rDS(on) 為 4.5 mΩ；在 VGS = 8 V、ID = 16.5 A 時，最大 rDS(on) 為 5.4 mΩ。這種低導(dǎo)通電阻特性能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。大家在設(shè)計(jì)電源電路時，是否會優(yōu)先考慮低導(dǎo)通電阻的 MOSFET 呢？
2. 高耐壓：漏源電壓 VDS 最大可達(dá) 60 V，柵源電壓 VGS 為 ±20 V，能夠適應(yīng)多種不同的工作電壓環(huán)境。
3. 大電流處理能力：連續(xù)漏極電流 ID 可達(dá) 18 A，脈沖電流更是高達(dá) 120 A，可滿足高功率應(yīng)用的需求。

（二）技術(shù)優(yōu)勢

采用高性能溝槽技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的 rDS(on)。同時，它在廣泛使用的表面貼裝封裝中具備高功率和電流處理能力，并且經(jīng)過了 100% UIL 測試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保又可靠。

三、應(yīng)用場景

（一）隔離式 DC - DC 中的主開關(guān)

在隔離式 DC - DC 轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DS86540 能夠憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

（二）同步整流

作為同步整流器，它可以優(yōu)化整流過程，降低整流損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。

（三）負(fù)載開關(guān)

在負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用中，其低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)特性能夠確保負(fù)載的穩(wěn)定供電。

四、參數(shù)詳解

（一）最大額定值

（二）電氣特性參數(shù)

1. 擊穿電壓溫度系數(shù)：ID = 250 μA 時，參考 25 °C，為 28 mV/°C。
2. 柵源閾值電壓：VGS = VDS，ID = 250 μA 時，范圍為 2 - 4 V。
3. 柵源閾值電壓溫度系數(shù)：ID = 250 μA，參考 25 °C 時，為 -11 mV/°C。
4. 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：VGS = 10 V，ID = 18 A 時，為 3.7 - 4.5 mΩ；VGS = 8 V，ID = 16.5 A 時，為 4.2 - 5.4 mΩ；VGS = 10 V，ID = 18 A，T = 125 °C 時，為 5.9 - 7 mΩ。
5. 電容參數(shù)：輸入電容 Ciss 在 VDS = 30 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz 時，為 4820 - 6410 pF；輸出電容 Coss 為 1610 - 2145 pF；反向傳輸電容 Crss 為 67 - 130 pF；柵極電阻為 0.6 Ω。
6. 開關(guān)時間：開啟延遲時間為 28 - 45 ns，上升時間為 15 - 27 ns，關(guān)斷延遲時間為 33 - 53 ns，下降時間為 7.1 - 15 ns。
7. 柵 - 漏“米勒”電荷：為 13 nC。
8. 源 - 漏二極管正向電壓：VGS = 0 V，IS = 18 A 時，為 0.8 - 1.3 V；VGS = 0 V，IS = 2 A 時，為 0.7 - 1.2 V。
9. 反向恢復(fù)時間：為 57 - 92 ns。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源 - 漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與環(huán)境溫度的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及結(jié)到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能夠幫助工程師更直觀地了解 FDS86540 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、產(chǎn)品狀態(tài)與相關(guān)政策

（一）產(chǎn)品狀態(tài)定義

文檔中對產(chǎn)品狀態(tài)進(jìn)行了明確的定義，包括提前信息（設(shè)計(jì)中）、初步（首次生產(chǎn)）、無需標(biāo)識（全面生產(chǎn)）和過時（停產(chǎn)）等不同狀態(tài)，方便工程師根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的產(chǎn)品。

（二）反假冒政策

Fairchild Semiconductor 采取了強(qiáng)有力的措施來保護(hù)自身和客戶免受假冒零件的侵害，強(qiáng)烈建議客戶直接從 Fairchild 或其授權(quán)經(jīng)銷商處購買產(chǎn)品，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可追溯性。

總之，F(xiàn)DS86540 N - Channel PowerTrench? MOSFET 憑借其出色的電氣特性和廣泛的應(yīng)用場景，是電子工程師在設(shè)計(jì)電源電路、開關(guān)電路等方面的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，大家可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，結(jié)合其參數(shù)和特性曲線，充分發(fā)揮該 MOSFET 的優(yōu)勢。你在使用 MOSFET 時，有沒有遇到過一些特殊的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。