chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光耦合V-MOS場效應(yīng)管甲類音頻功率放大電路,Audio power amplifier

454398 ? 2018-09-20 19:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

光耦合V-MOS場效應(yīng)管甲類音頻功率放大電路,Audio power amplifier

關(guān)鍵字:音頻放大電路圖

作者:李順復
電子管放大器的音色之所以優(yōu)美,是因電子管的高輸入阻抗和恒流輸出特性而決定的。但電子管有它固有的缺點:隨著使用時間的增長,陰極物質(zhì)不斷揮發(fā),其跨導逐漸降低,且降低的程度各管不一。用電子管測試儀嚴格配對的兩只功率管,使用一段時間后再測試,會發(fā)現(xiàn)跨導明顯下降且兩管還會有明顯差別。此外電子管輸出阻抗高,用它作的音頻功率放大器,需繞制工藝復雜的輸出變壓器。
場效應(yīng)管具有電子管的高輸入阻抗和恒流輸出特性,且輸出阻抗低可直接與喇叭匹配,之前已有不少文章介紹相關(guān)的音頻功率放大器。但此類放大器末級場效應(yīng)管大多采用源極輸出,為恒壓輸出放大器,其音質(zhì)不太理想。V-MOS場效應(yīng)管為大功率場效應(yīng)器件,具有非常好的大電流特性。由于P型V-MOS場效應(yīng)管極難尋找,相關(guān)音頻功率放大器的資料甚少。下面介紹一款由普通同極性N型V-MOS場效應(yīng)管組成的音頻功率放大器。
右圖為典型的變壓器耦合OCL輸出音頻功率放大器。如果將圖中的2只晶體三極管換為V-MOS場效應(yīng)管,再用2只光耦代替輸入變壓器,即成本文的光耦合V-MOS場效應(yīng)管甲類音頻功率放大器。
一、電路原理

整機電路如下圖所示。UIaL和UIbL分別為兩只輸入光耦,MosaL和MosbL分別為兩只V-MOS場效應(yīng)功率放大管。由于V-MOS場效應(yīng)功率放大管的輸入電容較大,電路中加入了由QIaL、QZaL和IQIbL、QZbL組成的射隨器來驅(qū)動它。
U2aL、R8aL、DIaL、C2aL和U2bL、R8bl、OIbl、C2bl構(gòu)成光耦和射隨器的+15V供電電路,由于該電源受輸出電壓影響,因此濾波電容的容量用得較大。
輸入光耦由U2lA驅(qū)動,當U2LA的輸入電壓上升時,U2lA的輸出電壓也上升,光耦UIaL的輸入電壓增加,導致光耦UIaL的輸出電壓上升,經(jīng)兩級射隨器耦合,使MosaL的柵極電壓升高,從而使Mos8l的內(nèi)阻下降。另外,當U2LA輸出電壓上升時,光耦UIbL的輸入電壓減小,導致光耦UlbL的輸出電壓下降,經(jīng)兩級射隨器耦合,使MosbL的柵極電壓下降,從而使MosbL的內(nèi)阻上升。Masal和MoshL的共同結(jié)果、使音頻功率放大器輸出電壓上升。同理,當U2LA輸入電壓下降時,音頻功率放大器輸出電壓也下降。
ROaL、U3al、Q4aL~Q6aL和RObL、U3bL、Q4bIL~Q6bL等元件構(gòu)成放大器靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路。電路工作原理如下:以MosaL為例,當MosaL的靜態(tài)電流增加時,ROaL上的電壓升高,使Q4aL的Ie上升,光耦U3aL的輸出電壓上升,Q5saL的內(nèi)阻下降,Q6al的內(nèi)阻增加,從而使Q6aL的發(fā)射極輸出電壓減小,使加在光耦UIal上的輸入電壓減小。根據(jù)前面分析,此時加在MoseL柵極上的電壓下降.從而導致流過M0saL的靜態(tài)電流下降,達到了工作點的穩(wěn)定。MosbL的靜態(tài)工作點穩(wěn)定原理類似,不再贅述。
U2LB為常見的直流伺服電路,可確保放大器靜態(tài)輸出電壓為零伏。
CIaL和CIbL是防止自激而加的校正電容。COL、ROL是防止超音頻自激而加的頻率校正網(wǎng)絡(luò)。
C3aL和C3bL為開機防沖擊電容,可確保開機瞬間,流過功放管的電流小于0.4A。
Q3aL和Q3bL構(gòu)成大信號限制電路,當輸出快削峰時,Q3al和Q3bL導通,使MosaL和MosbL的柵極電壓下降,使音頻功率放大器輸出電壓下降,從而避免了輸出出現(xiàn)硬削峰狀態(tài),使功率放大器具有較強的過載能力。
Rlal和R1bL,是為降低光耦靈敏度,使其能較好地工作在線性區(qū)而加的電阻。
二、元件選擇及電路裝配

MosaL和MosbL宜選30A耐壓450V以上的V-MOS場效應(yīng)管,如IRF360、IRF2404、2SKIOIS、2SKIO2O等。其中IRF36O、IRF2404為金封管,2SKI0I92SX1020為塑封管,塑封管裝配方便。本文用的是IRF360,用IRF2404、2SKI0I9、2SK1020可直接代換。
通常光耦都是作為開關(guān)器件.而席文要求它工作在線性區(qū),因此U1al和UlbL應(yīng)選擇靈敏度較低、線性區(qū)較好、頻響寬的作為輸入耦合光耦,經(jīng)對比測試發(fā)現(xiàn)TILI13較為理想。如用4N25,則RlaL、Rlbl應(yīng)改為II0kΩ;如用4N35,則RIal、RIbl應(yīng)改為82kΩ。U3aL、U3bL要求較低,可用4N25、4N35等類型光耦。
CIL、C2l、CIR、C2R宜選用4.7μF/6V的鉭電解電容。CIaL、CIbL宜選用CCI型高頻瓷介電容。COL、C3al、C3bL宜選用0.22μF/63V的小型金屬化滌綸電容。其余電解電容可選用普通小型鋁電解電容。
本電路所用的運放全部采用NE5532。電路中的其余元件無特殊要求。
為獲得高質(zhì)量音質(zhì),本放大器工作在甲類狀態(tài),靜態(tài)電流一般調(diào)試為200mA-250mA。因此要求散熱器要足夠大,散熱器的表面積應(yīng)不小于l770平方厘米,否則應(yīng)進行風冷。
整個電路裝配在一塊130mm×180mm的單面敷銅板上,主要元件布局如下圖所示。
用于穩(wěn)定靜態(tài)工作點的4只901 4三極管:Q4aL、Q4bL、Q4aR、Q4bR應(yīng)用3芯排線將引腳延長后,壓于各自的場效應(yīng)管附近的散熱器上(Q4aL對應(yīng)MosaL、Q4bL對應(yīng)MosbL…).如圖3所示。這樣可保持V-MOS場效應(yīng)管,在冷態(tài)和熱態(tài)情況下靜態(tài)電流不變。
三、電路調(diào)試(以L聲道為例)

1、各場效應(yīng)管的源極引線從印電板上焊開,用一只51Ω/5W的電阻代替揚聲器YL。用51 k0電位器代替R9bL。
2.接通電源,用數(shù)字萬用表測量各穩(wěn)壓集成塊78I 2、7912、7BLI 5的輸出電壓應(yīng)符合要求。
3、將U2LA的③腳對地短路,并將R9aL、R9bL的阻值調(diào)至最大。測R4 aL和R4bL上的電壓應(yīng)為3.2V~3.8V左右。否則應(yīng)更換相應(yīng)的光耦TILII 3或改變相應(yīng)跨接于TIlII 3的④-⑥腳之間的220kΩ電阻值。此電阻值增加,相應(yīng)的電壓也增加,相反減小此電阻值,相應(yīng)的電壓也減小。調(diào)節(jié)R9aL,RgbL的阻值,相對應(yīng)的電壓值應(yīng)有變化。
4、關(guān)閉電源,焊上MosbL的源極引線。并將數(shù)字萬用表置直流l0A擋,串接于MosbL的源極。接通電源,調(diào)節(jié)R9bl的阻值,使萬用表的指示為0.220A。關(guān)閉電源,焊好MosbL的源極引線,焊下代替R9bL的電位器,用萬用表測量其阻值,選一相近阻值的固定電阻代替它,并焊于R9bL的相應(yīng)位置上。
5、焊上Mosal的源極引線,并將數(shù)字萬用表置直流20V擋,跨接于代替揚聲器YL的51 Ω/5W電阻兩端。接通電源,調(diào)節(jié)R9aL的阻值,使萬用表的指示為0V,關(guān)閉電源。
6、將L12 LA的③腳對地短路點焊開,接通電源,將數(shù)字萬用表跨接于代替揚聲器YL的51Ω/5W電阻兩端,萬用表的指示應(yīng)為0V。
7、用同樣方法調(diào)試好R聲道。
8、上述步驟調(diào)完后,即可焊下51Ω/5W電阻,接上音箱試聽了。
四、幾點說明

1.本音頻功率放大器的靈敏度較低,增益僅為37dB,為此在其前面加了一級20dB的前置放大器,由UI A和UI B擔任。
2.V-MOS場效應(yīng)管的輸入信號是加在源極和柵極之間,輸出信號取自源極和漏極之間,因此本電路中的V—MOS場效應(yīng)管是作為一個典型的電壓一電流控制器件在使用。本功放與電子管音頻功率放大器一樣,為典型的恒流源放大器,宜選用高阻抗的8Ω音箱,而不適合低阻抗的4Ω音箱。
3.本音頻功率放大器的不削峰輸出功率為2×90W,頻響為20Hz~20000Hz±0.8dB。
4.本機閉環(huán)負反饋量為24dH。阻尼系數(shù)為7.3,與電子管放大器近似,高音純真細膩,中音亮麗、清澈透明,低音深沉柔和的音色,具有電子管功放韻味。
5.為了增加本機的阻尼系數(shù),可減小R9L的阻值,然后再增加R4l的阻值,使整個電路的增益滿足要求即可。
6.本音頻功率放大器由于工作在甲類狀態(tài),散熱器夏天較為燙手,但本機工作穩(wěn)定,筆者用了近十年未出現(xiàn)任何故障。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    飛虹MOSFHP100N08V在不間斷電源電路中的應(yīng)用

    不間斷電源(UPS)電路中,MOS因其高開關(guān)速度、低導通電阻和易于驅(qū)動的特性,被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS選型專題,MOS
    的頭像 發(fā)表于 12-22 16:28 ?533次閱讀
    飛虹<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHP100N08<b class='flag-5'>V</b>在不間斷電源<b class='flag-5'>電路</b>中的應(yīng)用

    模擬電路入門的知識點

    0.7V。 13、頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的情況下,輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 15、N型半導體中的多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴。 16、按一個周期內(nèi)一只三極的導通角區(qū)分,功率放大
    發(fā)表于 12-05 08:21

    音頻放大器特點,音頻功率放大器是什么

    音頻功率放大器是一種將低功率音頻信號放大至足以驅(qū)動揚聲器的電子設(shè)備。音頻
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:50 ?935次閱讀

    中科微電:場效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者

    在半導體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天,場效應(yīng)管(MOSFET)作為電子設(shè)備的核心功率控制單元,其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),自成立以來便以
    的頭像 發(fā)表于 11-03 16:18 ?783次閱讀
    中科微電:<b class='flag-5'>場效應(yīng)管</b>領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者

    PD快充MOS高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案

    標準更為嚴苛。 產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動效應(yīng):快充技術(shù)的普及不僅推動了充電器產(chǎn)品的更新,也帶動了如 MOSFET(金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)等核心元器件的市場需求增長,這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
    發(fā)表于 11-03 09:28

    合科泰MOSHKTD15N10在功率放大器的應(yīng)用

    音頻功率放大、工業(yè)控制和電源管理等電子系統(tǒng)里,對功率放大器的設(shè)計需要多方平衡,既要覆蓋足夠的帶寬范圍,又要保證在工作頻段內(nèi)的增益穩(wěn)定性。因此,對于MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-16 09:43 ?907次閱讀
    合科泰<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD15N10在<b class='flag-5'>功率放大</b>器的應(yīng)用

    FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-23 15:03 ?2次下載

    微碩WINSOK場效應(yīng)管新品 助力戶外音響性能升級

    場效應(yīng)管WSF85P06以P溝道、60V/85A、10mΩ超低導通電阻和TO-252-2L封裝,在100-800W戶外音響中可同時滿足?高功率輸出?、?環(huán)境適應(yīng)性
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:15 ?1333次閱讀
    微碩WINSOK<b class='flag-5'>場效應(yīng)管</b>新品 助力戶外音響性能升級

    合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢

    在工業(yè)自動化的精密控制系統(tǒng)中,變頻器作為電機調(diào)速的核心部件,其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導體針對中小功率變頻驅(qū)動場景,推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng)管,以 500V 耐壓、低導通損耗及快速開關(guān)特性,成為風機、水
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:57 ?1290次閱讀

    貼片MOS場效應(yīng)管型號如何識別?

    貼片MOS場效應(yīng)管型號的識別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M行,以下是具體方法: 一、型號命名規(guī)則解析 貼片MOS的型號通常由制造商標識、基本型號、功能標識、封裝形式及技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 14:31 ?3318次閱讀
    貼片<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>場效應(yīng)管</b>型號如何識別?

    飛虹MOSFHP140N08V在24V車載高頻逆變器的應(yīng)用

    工程師在研發(fā)24V車載高頻逆變器的DC-DC推挽升壓電路中,MOS就是控制能量流動的“高速開關(guān)閥門”。在電路
    的頭像 發(fā)表于 07-01 16:52 ?2124次閱讀

    飛虹FHP70N11V場效應(yīng)管在音響功放中的應(yīng)用

    放大音頻信號是MOS在音響功放的主要作用,意味著好的MOS能夠直接影響產(chǎn)品的品質(zhì)。對于
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:42 ?1097次閱讀

    《電子電路原理第七版》電子教材

    本資料介紹電子電路和器件的基本概念、原理及分析方法。內(nèi)容從半導體器件到功能電路,從電路結(jié)構(gòu)到故障診斷,從理論分析到實際應(yīng)用。半導體器件包括:二極、雙極型晶體
    發(fā)表于 04-11 15:55

    一周搞定系列之模電全集—PPT版

    資料介紹: 內(nèi)容涵蓋了二極,電容、三極、場效應(yīng)管介紹,耦、發(fā)聲器件、繼電器、數(shù)碼、瞬態(tài)抑制器,基本
    發(fā)表于 03-22 15:50

    如何區(qū)分場效應(yīng)管mos三個引腳

    場效應(yīng)管mos三個引腳怎么區(qū)分
    發(fā)表于 03-07 09:20 ?0次下載