FGD5T120SH：1200V、5A FS Trench IGBT的技術解析

從Fairchild到ON Semiconductor

Fairchild Semiconductor如今已成為ON Semiconductor的一部分。隨著整合的進行，部分Fairchild可訂購的部件編號為滿足ON Semiconductor系統(tǒng)要求需要更改，例如Fairchild部件編號中的下劃線“_”需改為破折號“ - ”。大家可通過ON Semiconductor官網（www.onsemi.com）核實更新后的設備編號。

文件下載：FGD5T120SH-D.pdf

FGD5T120SH IGBT的特性

先進技術與性能優(yōu)勢

FGD5T120SH采用了新穎的場截止IGBT技術，屬于場截止第三代IGBT系列。其具備FS Trench技術、正溫度系數和高速開關的特點，飽和電壓低（$V{CE (sat) }=2.9 ~V @ I{C}=5 ~A$），所有部件都經過$I_{LM}(1)$測試，并且具有高輸入阻抗，還符合RoHS標準。

應用領域廣泛

這款IGBT適用于多種場景，包括浪涌電流限制、照明以及家用電器等領域。在這些應用中，它能憑借自身特性提供穩(wěn)定的性能。

關鍵參數解讀

絕對最大額定值

熱特性

電氣特性

關斷特性

• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓$BV{CES}$在$V{GE} = 0 V$，$I_{C} = 250 mu A$時為1200V。
• 擊穿電壓的溫度系數$Delta BV_{CES} / Delta TJ$在$V{GE} = 0 V$，$I_{C} = 250 mu A$時典型值為1.2 $V/^{circ}C$。
• 集電極截止電流$I{CES}$在$V{CE} = V{CES}$，$V{GE} = 0 V$時最大為250 $mu A$。
• 柵 - 發(fā)射極泄漏電流$I{GES}$在$V{GE} = V{GES}$，$V{CE} = 0 V$時最大為± 400 nA。

導通特性

• 柵 - 發(fā)射極閾值電壓$V{GE(th)}$在$I{C} = 5 mA$，$V{CE} = V{GE}$時，最小值為2.5V，典型值為3.5V，最大值為4.5V。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓$V{CE(sat)}$在$I{C} = 5 A$ ，$V{GE} = 15 V$時，典型值為2.9V，最大值為3.6V；在$I{C} = 5 A$ ，$V{GE} = 15 V$，$T{C} = 150^{circ}C$時，典型值為4.5V。

動態(tài)特性

• 輸入電容$C{ies}$在$V{CE} = 30 V$ ，$V_{GE} = 0 V$，$f = 1 MHz$時典型值為209 pF。
• 輸出電容$C_{oes}$典型值為11 pF。
• 反向傳輸電容$C_{res}$典型值為2 pF。

開關特性

在不同溫度下，開關特性有所不同。例如，在$V{CC} = 600 V$，$I{C} = 5 A$，$R{G} = 30 Omega$ ，$V{GE} = 15 V$，電感負載條件下：

• $T{C} = 25^{circ}C$時，導通延遲時間$T{d(on)}$典型值為4.8 ns，上升時間$T{r}$典型值為20.8 ns，關斷延遲時間$T{d(off)}$典型值為24.8 ns，下降時間$T{f}$典型值為104 ns，導通開關損耗$E{on}$典型值為247 $mu J$，關斷開關損耗$E{off}$典型值為94 $mu J$，總開關損耗$E{ts}$典型值為341 $mu J$。
• $T{C} = 150^{circ}C$時，導通延遲時間$T{d(on)}$典型值為4.8 ns，上升時間$T{r}$典型值為40 ns，關斷延遲時間$T{d(off)}$典型值為25.6 ns，下降時間$T{f}$典型值為134 ns，導通開關損耗$E{on}$典型值為393 $mu J$，關斷開關損耗$E{off}$典型值為114 $mu J$，總開關損耗$E{ts}$典型值為507 $mu J$。

此外，總柵極電荷$Q{g}$在$V{CC} = 600 V$，$I{C} = 5 A$，$V{GE} = 15 V$時典型值為6.7 nC，柵 - 發(fā)射極電荷$Q{ge}$典型值為1.8 nC，柵 - 發(fā)射極電荷$Q{gc}$典型值為2.6 nC。

封裝與訂購信息

典型性能特性與機械尺寸

文檔中還給出了一系列典型性能特性圖，如典型輸出特性、典型飽和電壓、傳輸特性等。同時，提供了TO252（D - PAK）封裝的機械尺寸圖，但需注意，封裝圖紙可能會隨時更改，大家可訪問Fairchild Semiconductor的在線包裝區(qū)域獲取最新圖紙。

其他重要信息

商標與知識產權

ON Semiconductor擁有眾多專利、商標、版權等知識產權，其產品/專利覆蓋列表可在www.onsemi.com/site/pdf/Patent - Marking.pdf查看。

免責聲明與授權使用

ON Semiconductor保留對產品進行更改的權利，且不承擔產品應用或使用中的任何責任。該產品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備等特定應用，除非得到書面批準。

反假冒政策

Fairchild Semiconductor采取了強有力的措施來防止假冒產品，建議大家從Fairchild或其授權經銷商處購買產品，以確保產品的質量和可追溯性。

產品狀態(tài)定義

產品狀態(tài)分為提前信息（Formative / In Design）、初步（First Production）、無需標識（Full Production）和過時（Not In Production），不同狀態(tài)對應不同的產品階段和數據特點。

在實際設計中，電子工程師們需要綜合考慮這些參數和特性，根據具體的應用場景選擇合適的IGBT。大家在使用FGD5T120SH時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。