W25Q16JV:高性能串行閃存的卓越之選
在當(dāng)今電子設(shè)備小型化、高性能化的發(fā)展趨勢(shì)下,對(duì)于存儲(chǔ)解決方案的要求也越來(lái)越高。華邦電子(Winbond)的W25Q16JV串行閃存,以其出色的性能和豐富的功能,為工程師們提供了一個(gè)理想的選擇。今天,我們就來(lái)深入了解一下這款產(chǎn)品。
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一、產(chǎn)品概述
W25Q16JV是一款16M-bit的串行閃存,專為空間、引腳和功率受限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。它屬于25Q系列,具有遠(yuǎn)超普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。無(wú)論是代碼影子到RAM、直接從雙/四SPI執(zhí)行代碼(XIP),還是存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù),W25Q16JV都能勝任。該設(shè)備采用單一的2.7V至3.6V電源供電,掉電電流低至1μA,非常適合低功耗應(yīng)用。
二、產(chǎn)品特性
1. 大容量存儲(chǔ)與靈活架構(gòu)
W25Q16JV的存儲(chǔ)陣列由8192個(gè)可編程頁(yè)面組成,每個(gè)頁(yè)面為256字節(jié),總共可存儲(chǔ)2M字節(jié)的數(shù)據(jù)。頁(yè)面可以按16個(gè)一組(4KB扇區(qū)擦除)、128個(gè)一組(32KB塊擦除)、256個(gè)一組(64KB塊擦除)或整個(gè)芯片(芯片擦除)進(jìn)行擦除,共有512個(gè)可擦除扇區(qū)和32個(gè)可擦除塊。這種靈活的架構(gòu)使得它在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用中具有更大的靈活性。
2. 高性能SPI接口
該設(shè)備支持標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口(SPI),以及高性能的雙/四輸出和雙/四I/O SPI。支持高達(dá)133MHz的SPI時(shí)鐘頻率,使用快速讀取雙/四I/O指令時(shí),雙I/O的等效時(shí)鐘速率可達(dá)266MHz(133MHz x 2),四I/O的等效時(shí)鐘速率可達(dá)532MHz(133MHz x 4),這種傳輸速率甚至可以超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的異步8位和16位并行閃存存儲(chǔ)器。
3. 高效的“連續(xù)讀取”功能
W25Q16JV支持8/16/32/64字節(jié)的連續(xù)讀取模式,只需8個(gè)時(shí)鐘即可尋址內(nèi)存,能夠?qū)崿F(xiàn)真正的XIP(原地執(zhí)行)操作,性能優(yōu)于X16并行閃存。
4. 低功耗與寬溫度范圍
采用單一的2.7V至3.6V電源供電,工作溫度范圍為 -40°C至+85°C,部分型號(hào)甚至可在 -40°C至+105°C的環(huán)境下工作。掉電電流典型值小于1μA,非常適合電池供電的應(yīng)用。
5. 先進(jìn)的安全特性
提供軟件和硬件寫(xiě)保護(hù)、電源鎖定和特殊的OTP保護(hù),支持頂部/底部、補(bǔ)碼陣列保護(hù)以及單個(gè)塊/扇區(qū)陣列保護(hù)。每個(gè)設(shè)備都有一個(gè)64位的唯一ID,還有可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)寄存器和3個(gè)256字節(jié)的安全寄存器,并且狀態(tài)寄存器位具有揮發(fā)性和非揮發(fā)性兩種特性。
6. 空間高效的封裝
提供多種封裝形式,包括8引腳SOIC 150-mil / 208-mil、8焊盤(pán)USON 2X3mm/4x3-mm、8焊盤(pán)XSON 4x4-mm、8焊盤(pán)WSON 6x5-mm和8球WLCSP,滿足不同應(yīng)用的需求。
三、引腳配置與描述
1. 引腳配置
W25Q16JV提供了多種封裝形式的引腳配置,包括SOIC 150/208-mil、WSON 6x5-mm、USON 2x3-mm/4x3-mm、XSON 4x4-mm和WLCSP等。不同封裝的引腳功能基本一致,但在具體的引腳排列上有所不同。
2. 引腳描述
- 片選(/CS):用于啟用和禁用設(shè)備操作。當(dāng)/CS為高電平時(shí),設(shè)備被取消選擇,串行數(shù)據(jù)輸出引腳處于高阻抗?fàn)顟B(tài);當(dāng)/CS為低電平時(shí),設(shè)備被選中,功耗增加到活動(dòng)水平,可以向設(shè)備寫(xiě)入指令和讀取數(shù)據(jù)。
- 串行數(shù)據(jù)輸入、輸出和IO(DI, DO和IO0, IO1, IO2, IO3):支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI和四SPI操作。標(biāo)準(zhǔn)SPI使用單向的DI引腳在串行時(shí)鐘(CLK)的上升沿寫(xiě)入指令、地址或數(shù)據(jù),使用單向的DO引腳在CLK的下降沿讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。雙SPI和四SPI使用雙向的IO引腳進(jìn)行讀寫(xiě)操作,四SPI指令需要狀態(tài)寄存器2中的非易失性四使能位(QE)置位。
- 寫(xiě)保護(hù)(/WP):用于防止?fàn)顟B(tài)寄存器被寫(xiě)入,與狀態(tài)寄存器的塊保護(hù)位和狀態(tài)寄存器保護(hù)位配合使用,可以對(duì)小至4KB扇區(qū)或整個(gè)存儲(chǔ)陣列進(jìn)行硬件保護(hù)。
- 保持(/HOLD):允許在設(shè)備被選中時(shí)暫停操作。當(dāng)/HOLD為低電平時(shí),DO引腳處于高阻抗?fàn)顟B(tài),DI和CLK引腳的信號(hào)將被忽略;當(dāng)/HOLD為高電平時(shí),設(shè)備操作可以恢復(fù)。
- 串行時(shí)鐘(CLK):為串行輸入和輸出操作提供時(shí)序。
- 復(fù)位(/RESET):僅在SOIC - 16和TFBGA封裝中提供專用的硬件/RESET引腳。當(dāng)該引腳驅(qū)動(dòng)為低電平至少1μS時(shí),設(shè)備將終止任何外部或內(nèi)部操作,并返回上電狀態(tài)。
四、功能描述
1. SPI指令集
W25Q16JV支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI和四SPI指令集,通過(guò)SPI兼容總線進(jìn)行訪問(wèn)。標(biāo)準(zhǔn)SPI指令使用DI輸入引腳在CLK的上升沿寫(xiě)入指令、地址或數(shù)據(jù),DO輸出引腳在CLK的下降沿讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。雙SPI和四SPI指令可以提高數(shù)據(jù)傳輸速率,適用于快速下載代碼到RAM或直接從SPI總線執(zhí)行代碼的應(yīng)用。
2. 軟件復(fù)位和硬件復(fù)位
可以通過(guò)軟件復(fù)位序列將設(shè)備復(fù)位到初始上電狀態(tài),該序列必須包括兩個(gè)連續(xù)的指令:?jiǎn)⒂脧?fù)位(66h)和復(fù)位(99h)。對(duì)于SOIC - 16和TFBGA封裝,還提供了專用的硬件/RESET引腳,驅(qū)動(dòng)該引腳為低電平至少1μS可以中斷任何正在進(jìn)行的外部/內(nèi)部操作,并將設(shè)備復(fù)位到初始上電狀態(tài)。
3. 寫(xiě)保護(hù)
為了保護(hù)數(shù)據(jù)免受意外寫(xiě)入,W25Q16JV提供了多種寫(xiě)保護(hù)措施,包括設(shè)備在VCC低于閾值時(shí)復(fù)位、上電后延時(shí)寫(xiě)禁用、寫(xiě)啟用/禁用指令以及自動(dòng)寫(xiě)禁用、軟件和硬件(/WP引腳)寫(xiě)保護(hù)、單個(gè)塊/扇區(qū)鎖定和掉電指令寫(xiě)保護(hù)等。
4. 狀態(tài)和配置寄存器
提供三個(gè)狀態(tài)和配置寄存器,用于提供閃存陣列的可用性、設(shè)備是否寫(xiě)啟用或禁用、寫(xiě)保護(hù)狀態(tài)、四SPI設(shè)置、安全寄存器鎖定狀態(tài)、擦除/編程暫停狀態(tài)和輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等信息??梢允褂脤?xiě)狀態(tài)寄存器指令配置設(shè)備的寫(xiě)保護(hù)功能、四SPI設(shè)置、安全寄存器OTP鎖定和輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
五、指令集
W25Q16JV的標(biāo)準(zhǔn)/雙/四SPI指令集由48條基本指令組成,通過(guò)SPI總線完全控制。指令的長(zhǎng)度從單字節(jié)到多字節(jié)不等,可能包括地址字節(jié)、數(shù)據(jù)字節(jié)、虛擬字節(jié)等。所有讀取指令可以在任何時(shí)鐘位完成,但所有寫(xiě)、編程或擦除指令必須在字節(jié)邊界完成,否則指令將被忽略。
1. 常用指令
- 寫(xiě)啟用(06h):將狀態(tài)寄存器中的寫(xiě)啟用鎖存器(WEL)位設(shè)置為1,在執(zhí)行頁(yè)面編程、扇區(qū)擦除、塊擦除、芯片擦除、寫(xiě)狀態(tài)寄存器和擦除/編程安全寄存器等指令之前必須設(shè)置該位。
- 寫(xiě)禁用(04h):將WEL位復(fù)位為0,上電后以及執(zhí)行寫(xiě)狀態(tài)寄存器、擦除/編程安全寄存器、頁(yè)面編程、扇區(qū)擦除、塊擦除、芯片擦除和復(fù)位等指令后,WEL位會(huì)自動(dòng)復(fù)位。
- 讀取狀態(tài)寄存器:可以讀取8位的狀態(tài)寄存器,包括狀態(tài)寄存器1(05h)、狀態(tài)寄存器2(35h)和狀態(tài)寄存器3(15h),用于檢查設(shè)備的狀態(tài)。
- 寫(xiě)狀態(tài)寄存器:可以寫(xiě)入狀態(tài)寄存器,包括狀態(tài)寄存器1(01h)、狀態(tài)寄存器2(31h)和狀態(tài)寄存器3(11h),用于配置設(shè)備的寫(xiě)保護(hù)功能、四SPI設(shè)置、安全寄存器OTP鎖定和輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等。
- 讀取數(shù)據(jù)(03h):允許從存儲(chǔ)器中順序讀取一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。
- 快速讀?。?Bh):與讀取數(shù)據(jù)指令類似,但可以在最高可能的頻率下操作。
- 快速讀取雙輸出(3Bh):數(shù)據(jù)通過(guò)兩個(gè)引腳(IO0和IO1)輸出,數(shù)據(jù)傳輸速率是標(biāo)準(zhǔn)SPI設(shè)備的兩倍。
- 快速讀取四輸出(6Bh):數(shù)據(jù)通過(guò)四個(gè)引腳(IO0、IO1、IO2和IO3)輸出,數(shù)據(jù)傳輸速率是標(biāo)準(zhǔn)SPI設(shè)備的四倍。
- 頁(yè)面編程(02h):允許在先前擦除的存儲(chǔ)器位置編程1到256字節(jié)的數(shù)據(jù)。
- 扇區(qū)擦除(20h):將指定扇區(qū)(4KB)內(nèi)的所有存儲(chǔ)器設(shè)置為擦除狀態(tài)(全1)。
- 塊擦除(52h和D8h):分別將指定的32KB和64KB塊內(nèi)的所有存儲(chǔ)器設(shè)置為擦除狀態(tài)。
- 芯片擦除(C7h / 60h):將設(shè)備內(nèi)的所有存儲(chǔ)器設(shè)置為擦除狀態(tài)。
2. 其他指令
還包括擦除/編程暫停(75h)、擦除/編程恢復(fù)(7Ah)、掉電(B9h)、釋放掉電/設(shè)備ID(ABh)、讀取制造商/設(shè)備ID(90h、92h、94h)、讀取唯一ID號(hào)(4Bh)、讀取JEDEC ID(9Fh)、讀取SFDP寄存器(5Ah)、擦除安全寄存器(44h)、編程安全寄存器(42h)、讀取安全寄存器(48h)、單個(gè)塊/扇區(qū)鎖定(36h)、單個(gè)塊/扇區(qū)解鎖(39h)、讀取塊/扇區(qū)鎖定(3Dh)、全局塊/扇區(qū)鎖定(7Eh)和全局塊/扇區(qū)解鎖(98h)等指令。
六、電氣特性
1. 絕對(duì)最大額定值
包括電源電壓(-0.6至4.6V)、任何引腳施加的電壓(相對(duì)于地 -0.6至VCC + 0.4V)、任何引腳的瞬態(tài)電壓(<20nS瞬態(tài)相對(duì)于地 -2.0V至VCC + 2.0V)、存儲(chǔ)溫度(-65至+150°C)、引腳溫度和靜電放電電壓等。
2. 工作范圍
電源電壓在不同的時(shí)鐘頻率下有不同的要求,工作溫度范圍為 -40°C至+85°C(工業(yè)級(jí))或 -40°C至+105°C(工業(yè)增強(qiáng)級(jí))。
3. 上電和掉電時(shí)序及要求
包括VCC(min)到/CS低的時(shí)間(tVSL)、寫(xiě)指令前的時(shí)間延遲(tPUW)和寫(xiě)禁止閾值電壓(VWI)等參數(shù)。
4. 直流電氣特性
包括輸入電容、輸出電容、輸入泄漏電流、I/O泄漏電流、待機(jī)電流、掉電電流、讀取數(shù)據(jù)/雙/四1MHz至104MHz的電流、寫(xiě)狀態(tài)寄存器電流、頁(yè)面編程電流、扇區(qū)/塊擦除電流、芯片擦除電流、輸入低電壓、輸入高電壓、輸出低電壓和輸出高電壓等。
5. 交流電氣特性
包括時(shí)鐘頻率、時(shí)鐘高/低時(shí)間、時(shí)鐘上升/下降時(shí)間、/CS有效設(shè)置時(shí)間、/CS無(wú)效保持時(shí)間、數(shù)據(jù)輸入設(shè)置時(shí)間、數(shù)據(jù)輸入保持時(shí)間、/CS有效保持時(shí)間、/CS無(wú)效設(shè)置時(shí)間、/CS取消選擇時(shí)間、輸出禁用時(shí)間、時(shí)鐘低到輸出有效時(shí)間、輸出保持時(shí)間、寫(xiě)保護(hù)設(shè)置時(shí)間、寫(xiě)保護(hù)保持時(shí)間、/CS高到掉電模式時(shí)間、/CS高到待機(jī)模式時(shí)間、/CS高到下一個(gè)指令時(shí)間、/RESET引腳低電平時(shí)間、寫(xiě)狀態(tài)寄存器時(shí)間、頁(yè)面編程時(shí)間、扇區(qū)擦除時(shí)間、塊擦除時(shí)間和芯片擦除時(shí)間等。
七、封裝規(guī)格
W25Q16JV提供多種封裝形式,包括8引腳SOIC 150-mil、8引腳SOIC 208-mil、8焊盤(pán)USON 2x3x0.6-mm3、8焊盤(pán)WSON 6x5-mm、8焊盤(pán)USON 4x3-mm、8焊盤(pán)XSON 4x4x0.45-mm和8球WLCSP等,每種封裝都有詳細(xì)的尺寸規(guī)格。
八、訂購(gòu)信息
W25Q16JV的型號(hào)由多個(gè)部分組成,包括品牌(W)、產(chǎn)品系列(25Q)、產(chǎn)品編號(hào)/密度(16J)、電源電壓、封裝類型和溫度范圍等。不同的型號(hào)在QE位的設(shè)置、/HOLD功能的支持等方面有所不同,具體的型號(hào)信息可以參考文檔中的表格。
九、總結(jié)
W25Q16JV是一款功能強(qiáng)大、性能卓越的串行閃存,具有大容量存儲(chǔ)、高性能SPI接口、低功耗、寬溫度范圍、先進(jìn)的安全特性和多種封裝形式等優(yōu)點(diǎn)。無(wú)論是在工業(yè)控制、消費(fèi)電子還是其他領(lǐng)域,都能為工程師們提供可靠的存儲(chǔ)解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們可以根據(jù)具體的需求選擇合適的型號(hào)和封裝形式,并合理使用其指令集和寫(xiě)保護(hù)功能,以確保數(shù)據(jù)的安全和系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用W25Q16JV的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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