LED的長(zhǎng)時(shí)間工作會(huì)光衰引起老化，尤其對(duì)大功率LED來(lái)說(shuō)，光衰問(wèn)題更加嚴(yán)重。在衡量LED的壽命時(shí)，僅僅以燈的損壞來(lái)作為 LED顯示屏壽命的終點(diǎn)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，應(yīng)該以LED的光衰減百分比來(lái)規(guī)定LED的壽命，比如5%或10%，這樣更有意義。

光衰：在對(duì)感光鼓表面充電時(shí)，隨著電荷在感光鼓表面的積累，電位也不斷升高，最后達(dá)到 "飽和"電位，就是最高電位。

表面電位會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，一般工作時(shí)的電位都低于這個(gè)電位，這個(gè)電位隨時(shí)間自然降低的過(guò)程，稱(chēng)之為"暗衰"過(guò)程。

感光鼓經(jīng)掃描曝光時(shí)，暗區(qū)（指未受光照射部分的光導(dǎo)體表面）電位仍處在暗衰過(guò)程；亮區(qū)（指受光照射部分的光導(dǎo)體表面）光導(dǎo)層內(nèi)載流子密度迅速增加，電導(dǎo)率急速上升，形成光導(dǎo)電壓，電荷迅速消失，光導(dǎo)體表面電位也迅速下降，稱(chēng)之為"光衰"，最后趨緩。

致衰退效應(yīng)：也稱(chēng)S-W效應(yīng)。

a-Si∶H薄膜經(jīng)較長(zhǎng)時(shí)間的強(qiáng)光照射或電流通過(guò),在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降,稱(chēng)為Steabler-Wronski效應(yīng)。

對(duì)S-W效應(yīng)的起因,至今仍有不少爭(zhēng)議,造成衰退的微觀機(jī)制也尚無(wú)定論,成為迄今國(guó)內(nèi)外非晶硅材料研究的熱門(mén)課題。

總的看法認(rèn)為,S-W效應(yīng)起因于光照導(dǎo)致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài)，這種缺陷態(tài)會(huì)影響a-Si：H薄膜材料的費(fèi)米能級(jí)EF的位置,從而使電子的分布情況發(fā)生變化,進(jìn)而一方面引起光學(xué)性能的變化,另一方面對(duì)電子的復(fù)合過(guò)程產(chǎn)生影響。這些缺陷態(tài)成為電子和空穴的額外復(fù)合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。

在a-Si：H薄膜材料中,能夠穩(wěn)定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類(lèi)似的Si-Si鍵，這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。

由于a-Si：H材料結(jié)構(gòu)上的無(wú)序,使得一些Si-Si鍵的鍵長(zhǎng)和鍵角發(fā)生變化而使Si-Si鍵處于應(yīng)變狀態(tài)。

高應(yīng)變Si-Si鍵的化學(xué)勢(shì)與H相當(dāng),可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強(qiáng)的Si-Si鍵。如果斷裂的應(yīng)變Si-Si鍵沒(méi)有重構(gòu),則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。

為了更好地理解S-W效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理并控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩(wěn)定化處理方法和工藝,20多年來(lái),國(guó)內(nèi)外科學(xué)工作者進(jìn)行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒(méi)有形成統(tǒng)一的觀點(diǎn)。