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三星宣布已正式使用7納米LPP制程來生產(chǎn)晶圓 功耗降低50%效能提升提高20%

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-10-18 16:01 ? 次閱讀
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晶圓代工大廠三星宣布,正式開始使用其7納米LPP制程來生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻(EUV)技術(shù),這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度,同時優(yōu)化其功耗。此外,EUV技術(shù)的使用還能使客戶減少每個芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量,在降低生產(chǎn)成本下,還能縮短其生產(chǎn)的時間。

三星表示,7納米LPP制程在同樣的復(fù)雜度下,相較前一代的10納米FinFET制程,可以減少40%的芯片面積,同時降低50%的功耗,并且使效能提升提高20%。另外,在生產(chǎn)成本上面,因?yàn)?納米LPP制程加入了EUV技術(shù),在采用13.5nm波長來曝光硅晶圓的情況下,相較過去采用193nm波長來進(jìn)行曝光的傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒技術(shù),EUV技術(shù)只需要單個光罩就能完成單層硅晶圓的曝光,而傳統(tǒng)ArF則需要4個光罩來處理。所以,7納米LPP制程不僅降低了生產(chǎn)成本,還縮短了生產(chǎn)時間。

三星進(jìn)一步指出,三星發(fā)展EUV技術(shù)開始于2000年代,透過三星與領(lǐng)先業(yè)界的設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行合作,在其生產(chǎn)設(shè)施中設(shè)計(jì)和安裝全新設(shè)備,以確保EUV技術(shù)生產(chǎn)下的晶圓穩(wěn)定性。目前,最初的EUV技術(shù)生產(chǎn)制程已經(jīng)在三星位于韓國華城的S3 Fab開始,而到2020年之際,三星希望透過內(nèi)建EUV技術(shù)的新制程,為需要大量生產(chǎn)下一代芯片的IC設(shè)計(jì)業(yè)者提供更大的產(chǎn)能。而且,三星還因?yàn)閷?dǎo)入EUV技術(shù),進(jìn)一步開發(fā)了專有設(shè)備。例如獨(dú)特的光罩檢測工具,可在EUV光罩中執(zhí)行早期缺陷檢測,使得可以在制造生產(chǎn)的早期消除缺陷,提升良率。

三星還表示,新一代的7納米LPP制程將瞄準(zhǔn)包括5G、人工智能、企業(yè)和超大規(guī)模資料中心、物聯(lián)網(wǎng)、汽車和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的需求。此外,三星的Advanced Foundry Ecosyste也為導(dǎo)入內(nèi)建EUV技術(shù)的7納米LPP制程做好了準(zhǔn)備。也就是,整個產(chǎn)業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴,將提供包括基礎(chǔ)和高級IP、高級包裝和服務(wù),以使三星客戶能夠在這個新平臺上開發(fā)他們的產(chǎn)品。

目前,提供這些服務(wù)的廠商包括Ansys、ArmCadence、Mentor、SEMCO、Synopsys和VeriSilicon等,供應(yīng)包括HBM2/2E、GDDR6、DDR5、USB 3.1、PCIe 5.0和112G SerDes等介面IP解決方案。

不過,三星這次沒有透露其首個采用其7納米LPP制程的客戶名稱,僅表示使用新制程的第一批芯片將會是針對行動和HPC應(yīng)用為主。不過,依照過去的經(jīng)驗(yàn),三星電子會是半導(dǎo)體代工部門的第一個采用新制程技術(shù)的客戶。

因此,預(yù)計(jì)到2019年,三星將會將推出一款智能手機(jī)使用的自有品牌7納米制程處理器。此外,目前三星代工事業(yè)的重要客戶高通,預(yù)計(jì)也將會采用新的7納米LPP制程技術(shù)來生產(chǎn)“Snapdragon 5G”移動處理器。

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