日本UV-LED先驅Nitride Semiconductors成立了一家名為Micro Nitride的全資子公司。新公司將基于一項正在申請專利的新技術，開發(fā)和銷售用于Micro LED顯示器的Micro UV LED芯片。該公司總資本為1億日元（約600萬人民幣），其中5000萬為儲備金。

目前，業(yè)內有兩種制造Micro LED顯示器的方法：(1) 獨立紅綠藍LED芯片型，使用分別發(fā)紅光、藍光和綠光的三種LED芯片; (2)Micro Blue LED激發(fā)紅光和綠光熒光粉型，使用Micro Blue LED芯片和可以激發(fā)出紅光和綠光的熒光粉。

對于獨立紅綠藍LED芯片型，紅光Micro LED芯片由于材料太過脆弱而不具有生產性。另外，高密度轉移和鍵合不同結構和顏色的Micro LED芯片也非常的困難。每種Micro LED的電流、電壓和反應速度各不相同，因此單獨控制每個芯片存在很大的問題。

相比之下，Micro Blue LED激發(fā)熒光粉的方法只需要將單一的Micro Blue LED芯片集成到顯示基板上就可以，因此轉移和鍵合難度大大降低，電流和電壓也可以統(tǒng)一。不過這種方案中，藍光是芯片發(fā)射光，而紅光和綠光則是激發(fā)光，這意味著紅光和綠光存在反應時間上的滯后。另外還存在一個問題，即由藍色激發(fā)產生的紅色和綠色的亮度都很低，顏色再現性也很差。

Micro Nitride公司正在開發(fā)一種名為Micro UV LED搭配RGB熒光粉的替代技術來解決這個問題。研究發(fā)現，同時在n層和p層內制作SLS結構時，Micro UV LED芯片的發(fā)光效率可以提高一倍（該技術專利在申請中）。

提升發(fā)光效率的原因是電流的擴散距離變短，這使得發(fā)光復合幾率增加，內量子效率提高，同時，從發(fā)光層到外部距離的縮短也進一步提高了外量子效率。

作為母公司的Nitride Semiconductors于2000年在德島大學初創(chuàng)成立，其創(chuàng)始人們在那里開發(fā)出世界上第一顆UV LED。該公司開發(fā)出比藍光LED波長短100nm的紫外光LED，具有許多和晶體生長相關的核心技術。