2018年12月20-22日，由中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)發(fā)起，聯(lián)合國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)，共同主辦的“2018中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)”在南京召開。會(huì)議旨在服務(wù)國(guó)家新材料發(fā)展戰(zhàn)略，服務(wù)新材料特色產(chǎn)業(yè)，服務(wù)新材料創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。除開幕式及大會(huì)報(bào)告外，大會(huì)共設(shè)立了半導(dǎo)體材料、生物醫(yī)用材料、汽車新材料、納米材料、綠色建材、高溫合金等17個(gè)分會(huì)。

導(dǎo)體材料分會(huì)會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）受大會(huì)組委會(huì)委托承辦了半導(dǎo)體材料分會(huì)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京國(guó)聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司作為協(xié)辦單位共同組織了此次分會(huì)。分論壇的主席是中國(guó)工程院屠海令院士、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)吳玲。分論壇秘書長(zhǎng)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山擔(dān)任。半導(dǎo)體材料分會(huì)分碳化硅技術(shù)及應(yīng)用、氮化鎵技術(shù)與應(yīng)用兩個(gè)分部。眾多知名專家學(xué)者介紹了第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)展，就第三代半導(dǎo)體發(fā)展的新動(dòng)力共同進(jìn)行了討論。

徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)教授

盛 況 浙江大學(xué)特聘教授

12月20日下午召開了碳化硅技術(shù)及應(yīng)用分會(huì)，山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授和浙江大學(xué)盛況教授共同主持了會(huì)議。

陳秀芳 山東大學(xué)教授

山東大學(xué)陳秀芳教授做了“SiC 單晶研究進(jìn)展”報(bào)告，主要將講述課題組近期在大尺寸SiC單晶生長(zhǎng)及應(yīng)用方面的成果。

湯曉燕西安電子科技大學(xué)教授

西安電子科技大學(xué)湯曉燕教授做了“SiC 功率MOSFET 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析” 報(bào)告，湯教授針對(duì)SiC功率MOSFET的應(yīng)用前景，目前國(guó)內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀，國(guó)內(nèi)面臨的主要技術(shù)瓶頸，國(guó)內(nèi)外的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)以及主要的技術(shù)問題進(jìn)行分析。相關(guān)的技術(shù)問題包括：閾值電壓的穩(wěn)定性問題，高電流密度高閾值器件的折中困難，高溫高壓工作的可靠性問題等。

張峰中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張峰研究員做了“寬禁帶半導(dǎo)體SiC 器件研究進(jìn)展”的報(bào)告，報(bào)告圍繞第三代半導(dǎo)體SiC功率器件的研究，依次介紹SiC襯底和外延的研究歷程和進(jìn)展，然后著重介紹SiC電力電子器件，主要包括肖特基二極管，MOSFET和IGBT。針對(duì)目前SiC功率器件的研究熱點(diǎn)和最新進(jìn)展，重點(diǎn)介紹SiC基MOSFET器件的發(fā)展過程，及其在SiC功率器件中起到的承上啟下作用。最后給出SiC材料與器件發(fā)展的總結(jié)和展望。

李俊燾中物院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心固態(tài)高壓微系統(tǒng)技術(shù)研究室牽頭副主任

中物院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心固態(tài)高壓微系統(tǒng)技術(shù)研究室牽頭副主任李俊燾做了“SiCGTO 脈沖功率開關(guān)研究進(jìn)展”的報(bào)告，報(bào)告介紹了SiC門極關(guān)斷晶閘管(GTO)器件的器件設(shè)計(jì)及脈沖電流表征。通過實(shí)驗(yàn)完成基于新型結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的GTO器件其擊穿電壓大于8kV，器件在25℃室溫條件下測(cè)試在100A/cm2時(shí)正向壓降為3.7V。通過在低電感的電容放電回路中進(jìn)行脈沖放電實(shí)驗(yàn)獲得其脈沖放電能力，在1000V條件下脈沖放電半正弦周期為1us，峰值電流可達(dá)到5kA，電流上升率為15kA/us。

郭清浙江大學(xué)副教授

浙江大學(xué)郭清副教授做了“新型碳化硅電力電子器件探索研究”的報(bào)告。報(bào)告討論了。國(guó)內(nèi)外SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行介紹，并重點(diǎn)討論SiC超級(jí)結(jié)器件技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)。

李南坤上海巴瑪克電氣技術(shù)有限公司副總經(jīng)理

上海巴瑪克電氣技術(shù)有限公司副總經(jīng)理李南坤做了“SiC-Mosfet 功率模塊在感應(yīng)加熱電源上的應(yīng)用技術(shù)”報(bào)告，報(bào)告著重介紹了應(yīng)用碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用頻率580kHz（100-1100kHz），采用全數(shù)字式DSP+CPLD控制，逆變采用風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，效率、功率因素、可靠性均超過現(xiàn)有IGBT和MOSFET技術(shù)。

楊 霏 國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開發(fā)室主任

國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開發(fā)室主任楊霏做了“電網(wǎng)用高壓大功率SiC 器件研究進(jìn)展”報(bào)告。報(bào)告針對(duì)未來電網(wǎng)中能源互聯(lián)網(wǎng)急需的3.3kV及以上電壓等級(jí)碳化硅電力電子器件（包括二極管、MOSFET、IGBT等）目標(biāo)，提出對(duì)碳化硅襯底、外延、芯片性能、大功率封裝等方面的技術(shù)需求，分析國(guó)內(nèi)外在高性能單晶襯底、厚外延、芯片結(jié)構(gòu)和高電壓大電流封裝等方面的研究進(jìn)展，提出國(guó)內(nèi)的研究思路和取得的成果。

大會(huì)同期還舉辦了“國(guó)家優(yōu)勢(shì)新材料產(chǎn)業(yè)展”、師昌緒誕辰100周年紀(jì)念活動(dòng)、頒發(fā)“第一屆師昌緒新材料技術(shù)獎(jiǎng)”。國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟喜獲第一屆“師昌緒新材料技術(shù)獎(jiǎng)”。聯(lián)盟吳玲秘書長(zhǎng)受邀出席了大會(huì)開幕式，并在大會(huì)上做了“半導(dǎo)體照明新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新的探索與實(shí)踐”的主題報(bào)告。

在“國(guó)家優(yōu)勢(shì)新材料產(chǎn)業(yè)展”上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京國(guó)聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司等單位集中展示了第三代半導(dǎo)體材料方面的組織、研發(fā)進(jìn)展，引起了眾多參會(huì)材料專家們的關(guān)注與好評(píng)。