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采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

電子設計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設計 ? 2019-02-27 09:17 ? 次閱讀
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無論是電信基礎設施還是工業(yè)機器人,系統(tǒng)板都會增加更多功能和特性,從而減少可用電源的空間。以計算機中的分布式電源架構為例,其中負載點(POL)穩(wěn)壓器和DC/DC轉換器要求盡可能小。此外,這些DC/DC轉換器模塊必須使用最少數(shù)量的外部元件,并提供高效率和快速瞬態(tài)響應。這些微型電源的尺寸小于50 mm 2 ,還必須具有出色的電磁干擾(EMI)性能。換句話說,盡管具有高開關頻率,但所使用的集成電感器必須良好屏蔽,以將RF發(fā)射保持在最低限度,以便它們滿足所需的法規(guī)要求?,F(xiàn)在添加工程師對可擴展性的偏好,因為它可以在不改變印刷電路板的情況下輕松升級模塊??偠灾?,這是一個令人生畏的要求清單。

考慮到現(xiàn)代電源產(chǎn)品的這些新需求,德州儀器TI)擴展了其廣受歡迎的Simple Switcher DC/DC轉換器系列,其中包括四個名為Nano Modules的新成員。四個Nano模塊專為空間受限的POL應用而設計,包括高達17 V的DC/DC轉換器,允許設計人員添加新功能,保持高效率,滿足輻射EMI要求,并適應更小的外形尺寸,同時保持設計過程簡單和系統(tǒng)成本低。從本質(zhì)上講,Nano模塊可以最大限度地提高功率密度和散熱性能,同時保持簡單性

納米功率模塊

有兩個版本:5 V部分,包括LMZ20501和LMZ20502,可在0.8 V至3.6 V的可調(diào)輸出電壓下提供高達2 A的輸出電流,較高的17 V版本LMZ21700/01在0.9 V至6.0 V輸出電壓下的額定輸出電流為1A。 Nano模塊的尺寸小至30 mm 2 ,比分立器件小40%,具有低EMI,符合CISPR(B類)輻射和傳導EMI標準。例如,17 V,1 A器件LMZ21701采用3.5 x 3.5 x 1.75 mm的微型封裝,并集成了控制器/邏輯,功率MOSFET高頻電感,以及其他脈沖寬度調(diào)制( PWM)在這個小型封裝中起作用(圖1)。因此,它提供了一個完整的降壓DC/DC轉換器解決方案,能夠在空間受限的應用中驅(qū)動高達1 A的負載,如網(wǎng)絡安全攝像頭,工廠自動化和工業(yè)機器人

雖然LMZ21701的輸入電壓范圍為3至17 V,主要用于5 V或12 V輸入應用。由于Nano模塊是高度集成的,因此只需一個輸入電容,一個輸出電容,一個軟啟動電容和兩個電阻,用于基本的降壓DC/DC轉換,如圖2所示。作為一個快速入門,產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊提供1.2 V至5.0 V輸出電壓的外部元件值。

采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

圖1:17 V納米模塊LMZ21701采用控制器/邏輯,功率MOSFET和微型封裝中的電感器。

采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

圖2:LMZ21701僅需一個輸入電容,一個輸出電容,一個軟啟動電容和兩個基本降壓電阻DC/DC轉換解決方案。

作為示例,表1給出了使用LMZ21701的VOUT為1.2 V的元件值。其他輸出電壓軌的類似表格在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中提供。除了給出精確值外,數(shù)據(jù)手冊還推薦了具有電阻尺寸和公差的陶瓷電容器類型。

采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

表1:使用Nano Module LMZ21701輸出電壓VOUT為1.2 V的外部元件值。

根據(jù)TI的產(chǎn)品線營銷工程師Stephen Ott通過將高頻開關技術與磁性技術的進步相結合,實現(xiàn)了高密度,高性能的納米模塊。為了實現(xiàn)小尺寸解決方案,LMZ21701 Nano模塊采用創(chuàng)新的MicroSiP封裝,具有DFN封裝。該結構由嵌入在FR-4層壓基板內(nèi)的同步降壓轉換器IC組成,功率電感器安裝在基板材料的頂部(圖3)。 Nano Modules系列的其他成員也采用了類似的技術。

圖3:封裝橫截面顯示Nano Module的分立電感器安裝在基板材料的頂部,而同步降壓IC嵌入在FR-內(nèi)部4層壓基板。

Stephen Ott解釋說,LMZ21701架構基于直接控制,可無縫轉換為省電模式或DCS控制。他說,這種架構結合了遲滯型轉換器的快速瞬態(tài)響應和穩(wěn)定性,以及電壓模式和電流模式穩(wěn)壓器的精確直流輸出調(diào)節(jié)。如圖4所示,負載變化的效率也很高。相比之下,對于相同的12 V輸入,1.2 V輸出的滿載效率略低于3.3 V輸出。同樣,在低負載時,與3.3 V相比,1.2 V輸出時效率下降得更快。然而,3.3 V輸出的峰值效率約為90%,而1.2 V輸出時為80%。同樣,在低負載時,3.3 V輸出的效率為72%,而1.2 V輸出的效率為50%。

采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

圖4:納米模塊LMZ21701的效率圖,輸入電壓VIN = 12 V,輸出電壓VOUT范圍為1.2 V至5.0 V.

參考設計

為了證明Nano Module LMZ21701適用于寬輸入,多輸出高密度DC/DC解決方案,TI使用Simple Switcher轉換器創(chuàng)建了參考設計LM46002和納米模塊LMZ21701。它被標記為PMP10618。四個輸出圖如圖5所示。在此設計中,LM46002提供一個15 V至60 V輸入的穩(wěn)壓12 V電壓軌。然后使用12 V電壓軌調(diào)節(jié)至5 V,3.3 V和1.8 V電壓軌。三個LMZ21701模塊。每根導軌可提供高達1 A的負載電流。參考設計提供了包含物料清單(BOM)的完整原理圖。 TI還創(chuàng)建了類似的LMZ20502參考設計。標簽為PMP10595,它提供單輸出DC/DC解決方案,輸入電壓范圍為2.7 V至5.5 V,輸出電壓為1.8 V,2 A。

采用納米功率模塊實現(xiàn)DC/DC轉換器的設計

圖5:使用簡單切換器模塊LM46002和LMZ21701的寬VIN輸入,多軌設計。

總之,四個Nano模塊可實現(xiàn)最小的POL和DC/DC轉換器解決方案,而不會影響性能。廣泛的空間受限應用。

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