本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和
發(fā)表于 07-11 14:49
深度等優(yōu)點(diǎn),在功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文旨在研究利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的方法,為相關(guān)領(lǐng)域的
發(fā)表于 06-12 17:03
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主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
發(fā)表于 04-25 11:34
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功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得功率
發(fā)表于 04-23 11:36
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在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的
發(fā)表于 03-27 14:20
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我們正在研究人形機(jī)器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問(wèn)題:
? 功率器
發(fā)表于 03-12 14:05
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高
發(fā)表于 02-03 14:17
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功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢(shì),例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而,這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細(xì)考慮。本文概述了在飛機(jī)和空間
發(fā)表于 01-23 11:13
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的
發(fā)表于 01-13 17:36
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的
發(fā)表于 01-06 17:05
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樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
發(fā)表于 12-23 17:31
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、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對(duì)較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
發(fā)表于 12-07 09:58
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:RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料,因其開(kāi)關(guān)更快且損耗更低,相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì)。對(duì)于需要關(guān)鍵考量高效率和高
發(fā)表于 09-27 15:05
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三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索,本篇章帶你了
發(fā)表于 07-24 10:17
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IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是
發(fā)表于 07-19 11:21
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評(píng)論