chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

WBG功率器件的仿真技巧研究

TI視頻 ? 來(lái)源:ti ? 2019-04-18 06:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來(lái)提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開(kāi)關(guān)性能,損耗計(jì)算以及測(cè)試,仿真技巧.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ti
    ti
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    8030

    瀏覽量

    214938
  • 仿真
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4289

    瀏覽量

    135871
  • 功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    2100

    瀏覽量

    71719
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和
    發(fā)表于 07-11 14:49

    利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的研究

    深度等優(yōu)點(diǎn),在功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文旨在研究利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的方法,為相關(guān)領(lǐng)域的
    的頭像 發(fā)表于 06-12 17:03 ?211次閱讀
    利用普源示波器進(jìn)行<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的<b class='flag-5'>研究</b>

    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:34 ?363次閱讀
    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的代際跨越與選型策略

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

    功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得功率
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:36 ?396次閱讀
    寬帶隙<b class='flag-5'>WBG</b><b class='flag-5'>功率</b>晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

    逆變電路中功率器件的損耗分析

    研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件
    的頭像 發(fā)表于 03-27 14:20 ?1046次閱讀
    逆變電路中<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的損耗分析

    人形機(jī)器人設(shè)計(jì)中,哪些關(guān)鍵部位需要功率器件?典型電壓/電流參數(shù)如何設(shè)計(jì)?

    我們正在研究人形機(jī)器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問(wèn)題: ? 功率
    發(fā)表于 03-12 14:05

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

    功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:17 ?764次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢(shì),例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而,這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細(xì)考慮。本文概述了在飛機(jī)和空間
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:13 ?1123次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1027次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?795次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?984次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    功率器件封裝新突破:納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

    、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對(duì)較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:58 ?1732次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝新突破:納米銅燒結(jié)連接技術(shù)

    WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)

    :RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料,因其開(kāi)關(guān)更快且損耗更低,相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì)。對(duì)于需要關(guān)鍵考量高效率和高
    發(fā)表于 09-27 15:05 ?1078次閱讀
    <b class='flag-5'>WBG</b> <b class='flag-5'>器件</b>給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)

    三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

    三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索,本篇章帶你了
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:17 ?1145次閱讀
    三菱電機(jī)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>發(fā)展史

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1336次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗