據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，能夠應用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、消費類電子、汽車等，提升數(shù)據(jù)保存的能力。

報道指出，三星MRAM方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以功耗也很優(yōu)秀。

另外，這一方案結(jié)構(gòu)簡單，可以通過在當前基于邏輯流程的設(shè)計中添加最少的層數(shù)來實現(xiàn)，減輕了三星進行新設(shè)計的負擔，并降低了生產(chǎn)成本。

隨著三星大規(guī)模量產(chǎn)首款商用MRAM產(chǎn)品，業(yè)界開始猜測，具有低成本、更優(yōu)速度和功率優(yōu)勢的MRAM是否會在未來取代DRAM與NAND，進而改變半導體產(chǎn)業(yè)格局？

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)認為，MRAM在電信特性上與現(xiàn)有的DRAM與NAND相似，但互有優(yōu)劣。使用MRAM，需要改變平臺的架構(gòu)，因此未來MRAM可能會取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態(tài)的存儲器解決方案，但不會完全取代DRAM/NAND。

此外，DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM與DRAM/NAND配合，可以取得省電以及性能的優(yōu)勢，另一方面，新的存儲器加入，也能夠避免原先存儲器解決方案若有大缺貨發(fā)生時的價格不穩(wěn)定狀況。