16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。

三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。

除了從7nm到5nm的功率性能區(qū)域（PPA）改進(jìn)之外，客戶還可以充分利用三星的高度復(fù)雜的EUV技術(shù)。與其前身一樣，5nm在金屬層圖案化中使用EUV光刻，并減少掩模層，同時(shí)提供更好的保真度。

5nm的另一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是三星可以將所有7nm知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）重用到5nm。因此，7nm客戶過渡到5nm將極大地受益于降低的遷移成本，預(yù)先驗(yàn)證的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，從而縮短了他們的5nm產(chǎn)品開發(fā)。

三星Foundry與其“三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)（SAFE）”合作伙伴密切合作，為三星5納米提供強(qiáng)大的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)，包括工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），設(shè)計(jì)方法（DM），電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和IP，此自2018年第四季度開始提供。另外，三星Foundry已經(jīng)開始向客戶提供5nm多工程晶圓（MPW）服務(wù)。

“成功完成5nm開發(fā)，我們已經(jīng)證明了在基于EUV的節(jié)點(diǎn)中的能力，”三星電子制造業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Charlie Bae說?！盀轫憫?yīng)客戶對(duì)先進(jìn)工藝技術(shù)不斷增長的需求，以區(qū)分其下一代產(chǎn)品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)。”

2018年10月，三星宣布準(zhǔn)備并初步生產(chǎn)7nm工藝，這是其首個(gè)采用EUV光刻技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn)。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品，并于今年初開始量產(chǎn)7nm工藝。

此外，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個(gè)定制的基于EUV的工藝節(jié)點(diǎn)，并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的產(chǎn)品錄像帶。

Bae強(qiáng)調(diào)，“考慮到包括PPA和IP在內(nèi)的各種好處，三星基于EUV的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將對(duì)5G，人工智能（AI），高性能計(jì)算（HPC）等新型創(chuàng)新應(yīng)用有很高的需求，如汽車。利用我們強(qiáng)大的技術(shù)競爭力，包括我們在EUV光刻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，三星將繼續(xù)為客戶提供最先進(jìn)的技術(shù)和解決方案?！?/p>

三星代工廠基于EUV的工藝技術(shù)目前正在韓國華城的S3生產(chǎn)線上生產(chǎn)。此外，三星將把其EUV產(chǎn)能擴(kuò)大到華城的新EUV生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將在2019年下半年完成，并從明年開始增產(chǎn)。