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IGBT基本工作原理

工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2019-04-24 15:38 ? 次閱讀
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IGBT工作原理

IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。由圖2可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

 IGBT的工作原理

圖1 IGBT 結(jié)構(gòu)圖

 IGBT的工作原理

圖2 IGBT電氣符號(hào)(左)與等效的電路圖(右)

如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低則IGBT不能穩(wěn)定的工作,如果過高甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓,則IGBT可能會(huì)永久損壞。同樣,如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值,則流過IGBT的電流會(huì)超限,導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過允許值,此時(shí)IGBT也有可能會(huì)永久損壞。

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