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從SDR到DDR4,連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐?

ACS 安費(fèi)諾信息通信 ? 2019-07-02 15:30 ? 次閱讀
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內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)向來都是系統(tǒng)性能的決定因素,從開始的SDR(單數(shù)據(jù)速率RAM)到最近的DDR(雙數(shù)據(jù)速率),內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)一直與時(shí)俱進(jìn)。

SRAM 到 DDR,標(biāo)準(zhǔn)不斷更新,是為了滿足日新月異的超現(xiàn)代創(chuàng)新需求。DDR4最新系列產(chǎn)品控制功能穩(wěn)健、性能更上一層,贏得市場(chǎng)青睞。不但如此,企業(yè)、平板電腦、微服務(wù)器和超薄客戶端應(yīng)用的能源效率也得以提高。

大多數(shù)應(yīng)用都開始采用使用DDR4更新的版本,因?yàn)楦呒?jí)版本比其他版本具有更多優(yōu)勢(shì)。數(shù)據(jù)速率為2GB至16GB,可實(shí)現(xiàn)大容量子系統(tǒng)。DDR4標(biāo)準(zhǔn)允許的DIMM容量最高可達(dá)64GB,而DDR3的最大容量為16GB/DIMM。

市場(chǎng)上有多種DDR4插座和模塊。超薄型(ULP)垂直DIMM插座最適合超薄應(yīng)用,便于擴(kuò)展臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、工作站、通信和工業(yè)設(shè)備嵌入式應(yīng)用的內(nèi)存。

DDR4拓寬了道路,為大規(guī)模技術(shù)創(chuàng)新奠定基礎(chǔ),并且沒有停下步伐,技術(shù)仍在大步邁前。即將推出的DDR5行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不但更快,性能也更優(yōu)越,目前其設(shè)計(jì)適用于顯卡、游戲機(jī)和高性能計(jì)算。

DDR4 內(nèi)存模塊插槽

Amphenol ICC 的DDR4 DIMM垂直插槽擁有間距為0.85毫米的288個(gè)端子,其設(shè)計(jì)可容納JEDEC MO-309標(biāo)準(zhǔn)的DDR4內(nèi)存模塊。這種插槽允許服務(wù)器、工作站、臺(tái)式電腦、筆記本電腦以及通信和工業(yè)設(shè)備的嵌入式應(yīng)用進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)展。

電阻端子還支持使用RDIMM(寄存DIMM),RDIMM能幫助進(jìn)一步降低數(shù)據(jù)中心硬件(例如服務(wù)器、存儲(chǔ)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備)的功耗。2.4毫米的低模塊底座面和細(xì)長(zhǎng)的彈出器設(shè)計(jì)減小了連接器和安裝模塊的總體尺寸,幫助優(yōu)化氣流。

提供表面封裝(SMT)、電鍍通孔(PTH)焊接和壓接(PF)連接器終端選項(xiàng)。

? 點(diǎn)擊這里,了解更多產(chǎn)品信息>>>

超薄型內(nèi)存模塊插槽

內(nèi)存模塊系列產(chǎn)品


DDR5 Memory Module Sockets (SMT)

DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊插槽



DDR4超薄型內(nèi)存模塊插槽

DDR4 內(nèi)存模塊插槽


DDR3 內(nèi)存模塊插槽

DDR2 SO-DIMM 內(nèi)存模塊插槽



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原文標(biāo)題:從SDR到DDR4,連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐?

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