Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
審稿人:北京大學(xué) 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
審稿人:北京大學(xué) 張興
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10020瀏覽量
141713
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
大多數(shù)電路中,兩種晶體管共用一個柵極,但壁會阻擋這種連接,除非柵極延伸到其上方,這會增加不必要的電容。
最后,內(nèi)壁叉柵僅覆蓋溝道的三面,與 GAA 設(shè)計相比,其控制能力有所減弱,尤其是
發(fā)表于 06-20 10:40
低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個芯片上已經(jīng)可以

無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透

晶體管電路設(shè)計(下)
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路
發(fā)表于 04-14 17:24
集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動電路以及外圍器件選型設(shè)計講解
前言
在MOSFET驅(qū)動電路中,經(jīng)常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動器的情況。這種設(shè)計在PWM控制或電機驅(qū)動中非常常見,尤其是在需要快速開關(guān)和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅(qū)動
發(fā)表于 03-11 11:14
晶體管電路設(shè)計(下) [日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨電路的設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作,柵極接地放大
發(fā)表于 03-07 13:55
集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)介紹
本文介紹了集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù),分別討論了高介電常數(shù)柵極工藝、先柵極工藝和后柵極工藝對比,并詳解了偽柵去除工藝。 高介電常數(shù)金屬柵極工藝 隨著CMOS集成電路特征尺寸的持續(xù)

集成電路的引腳識別及故障檢測
一、集成電路的引腳識別 集成電路是在同一塊半導(dǎo)體材料上,利用各種不同的加工方法同時制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管等電路元器件,并將它
晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項基本技能。 一、晶體管在數(shù)字
浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理
浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲器之中,比如nand flash中的基本單元,本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵

達林頓晶體管概述和作用
達林頓晶體管(Darlington Transistor),或稱達林頓對(Darlington Pair),是電子學(xué)中一種由兩個(甚至多個)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合
基于鐵電晶體管科研,共探集成電路的創(chuàng)新之路
局限性,這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代,鐵電晶體管(FeFET)作為一種新型的信息器件,因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。 泰克科技 與 北京大學(xué)集成電路學(xué)院唐克超課題組 聯(lián)合舉辦

單片集成電路和混合集成電路的區(qū)別
設(shè)計、制造、應(yīng)用和性能方面有著顯著的差異。 單片集成電路(IC) 定義 單片集成電路是指在一個單一的半導(dǎo)體芯片(如硅片)上集成了多個電子元件(如晶體管、電阻、
CMOS晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
CMOS晶體管,全稱為互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組成部分,尤其在計算機處理器和集成電路制造中扮演著核心角色。
評論