動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-10 11:50
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發(fā)布了文章 2025-04-09 10:57
氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場景,并重點介紹即將實現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關(guān)應(yīng)用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關(guān)通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二425瀏覽量 -
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