動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-04 09:59

  浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解

  

  紅外熱成像技術(shù)，如同賦予人類“感知溫度”的視覺，通過捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項(xiàng)技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設(shè)備的精密檢測、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景，探索這項(xiàng)技術(shù)如何將無形的熱能轉(zhuǎn)化

  紅外熱成像 紅外線 紅外輻射

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:23

  ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能

  

  近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對提高電源效率的需求。為

  AI服務(wù)器 MOSFET Rohm

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:20

  電子設(shè)備NMB散熱風(fēng)扇核心技術(shù)：從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計(jì)

  

  散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件，其作用遠(yuǎn)超簡單的“吹風(fēng)”，涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動力學(xué)原理分類：按電源：交流風(fēng)扇(ACFan)：直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功

  散熱 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:52

  東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路

  

  據(jù)報(bào)道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件

  摩爾定律 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:47

  浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案

  

  電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式，大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此，采用了電力電子技術(shù)，供應(yīng)商們開發(fā)了豐富的開關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢是使用半導(dǎo)體開關(guān)器件來整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I

  IGBT MOSFET 電力開關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 10:15

  大基金三期聚焦微影技術(shù)與芯片設(shè)計(jì)工具，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  

  近日，彭博社報(bào)道，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡稱“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對國際巨頭的依賴，尤其是在荷蘭ASML、美國益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國政府推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來

  半導(dǎo)體 芯片設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 10:13

  浮思特 | 當(dāng)前電流傳感器的主要類型有哪些?

  

  電流測量涉及多種傳感器技術(shù)，從傳統(tǒng)的電流互感器到最新的DC-CT?磁通技術(shù)，每種方案都能應(yīng)對不同的測量挑戰(zhàn)。本文將對比各類技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)、成本及應(yīng)用場景。主要電流傳感器類型·電流互感器·DC-CT?Plati?e磁通技術(shù)·磁通門/零磁通技術(shù)·開環(huán)霍爾效應(yīng)·閉環(huán)霍爾效應(yīng)·光纖電流傳感器·分流電阻·羅氏線圈電流互感器(CurrentTransformers)電流變

  測量 電流互感器 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-06-30 11:02

  瑞薩電子推遲營收目標(biāo)至2035年 面對競爭與技術(shù)挑戰(zhàn)

  

  瑞薩電子(RenesasElectronics)近期在一場媒體發(fā)布會上宣布，將其原定于2030年實(shí)現(xiàn)的營收目標(biāo)推遲至2035年。這一決定反映了嵌入式半導(dǎo)體行業(yè)的劇烈變化以及公司在技術(shù)方向上的重要調(diào)整。瑞薩社長柴田英利在發(fā)布會上表示，自2022年設(shè)定營收目標(biāo)以來，行業(yè)內(nèi)外部環(huán)境發(fā)生了顯著變化。尤其是在與中國競爭對手的競爭中，瑞薩面臨著前所未有的壓力。他強(qiáng)調(diào)，盡

  半導(dǎo)體 嵌入式 瑞薩電子

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• 發(fā)布了文章 2025-06-30 11:01

  浮思特 | MCU 和 PSoC 如何使家電更加智能

  

  在洗衣機(jī)、空調(diào)、微波爐、吸塵器和冰箱等許多家用電器中，微控制器(MCU)被用于電機(jī)控制、模擬傳感器測量、前面板按鍵控制以及LED/LCD顯示。家電行業(yè)使用基于8位、16位和32位微控制器的電路來實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制以及TRIAC(三端雙向可控硅)/LED/LCD驅(qū)動應(yīng)用。MCU控制并管理著電器的所有功能和特性。當(dāng)用戶按下啟動按鈕時(shí)，輸入信號會從前端面板鍵盤傳輸?shù)轿⒖?

  mcu PSoC 家電

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• 發(fā)布了文章 2025-06-25 10:26

  浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)‌

  

  在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新的縱向電荷補(bǔ)償機(jī)制，成功打破存在數(shù)十年的"硅極限"定律。硅極限(SiliconLimit)?在功率MOSFET領(lǐng)域，存在著一個(gè)被稱為“硅極限”(理論極限)的瓶頸。其核

  MOSFET 功率半導(dǎo)體 超結(jié)器件

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