動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-03-11 11:34
智能計(jì)算新紀(jì)元：具記憶功能的晶體管問(wèn)世
在當(dāng)今電子工業(yè)中，對(duì)更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們?cè)跀?shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個(gè)晶體管來(lái)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)的場(chǎng)景下。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長(zhǎng)，這種方法變得不可持續(xù)。來(lái)自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究 -
發(fā)布了文章 2025-03-07 11:11
Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)復(fù)雜性挑戰(zhàn)！
隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴(kuò)展的瓶頸。為了解決這一問(wèn)題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，展示了其采用臺(tái)積電最新2納米制程的矽智財(cái)(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片524瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-07 11:10
SiC與GaN技術(shù)專利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進(jìn)通信技術(shù)等應(yīng)用。專利申請(qǐng)通常是一個(gè)領(lǐng)域研發(fā)和商業(yè)活動(dòng)水平的有力指標(biāo)。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)在過(guò)去十年 -
發(fā)布了文章 2025-03-05 13:56
三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應(yīng)對(duì)未來(lái)網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)
近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來(lái)的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準(zhǔn)備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令(PQC)技術(shù)，標(biāo)志著三星在移動(dòng)產(chǎn)品安全領(lǐng)域的又一重要進(jìn)展。量子計(jì)算機(jī)的快速發(fā)展正在對(duì)傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術(shù)構(gòu)成嚴(yán)重威脅?，F(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面586瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-05 13:53
詳解晶閘管工作原理，全面掌握開(kāi)關(guān)控制技術(shù)
晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件?？刂贫朔Q為“門極”(G)。另外兩個(gè)端子，陽(yáng)極(A)和陰極(K)，與負(fù)載串聯(lián)導(dǎo)通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開(kāi)關(guān)。簡(jiǎn)介晶閘管用于直流和交流電路中的開(kāi)關(guān)和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門極信號(hào)可以移除，它們?nèi)詴?huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓，甚至超過(guò)1kV或100A。它們是具有四個(gè) -
發(fā)布了文章 2025-03-04 11:44
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發(fā)布了文章 2025-03-04 11:42
全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域的應(yīng)用。YoleGroup指出，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2024年至2030年間以接近13%的復(fù)合年增長(zhǎng)率迅速增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要得益于多個(gè)因素的驅(qū)動(dòng)，包括電動(dòng)汽車的普及、智能579瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-03 11:43
SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景打造，在熱管理性能和系統(tǒng)集成便利性方面均有顯著提升。圖1核心性能亮點(diǎn)：?總開(kāi)關(guān)損耗降低至1646微焦耳?爬電距離擴(kuò)展至9毫米?柵極驅(qū)動(dòng)電壓優(yōu)化 -
發(fā)布了文章 2025-03-03 11:41
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新！
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過(guò)提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級(jí)功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開(kāi)關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，電動(dòng)汽車的能效、可持續(xù)性和經(jīng)濟(jì)性正不斷提升。這些器件具備抗振動(dòng)、耐高溫及適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境的能力，助力動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊，車身更輕量化。GaN的卓越熱管理能力降低了對(duì)龐大散熱器和冷559瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-24 11:27
臺(tái)積電兩工廠受地震影響，預(yù)計(jì)1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢
近日，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺(tái)積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電位于臺(tái)南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計(jì)將有1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢。本月21日零時(shí)17分，臺(tái)灣嘉義縣發(fā)生了一場(chǎng)里氏6.4級(jí)的地震。這場(chǎng)地震對(duì)臺(tái)積電造成了不小的影響，尤其是其位于臺(tái)南的先進(jìn)制程產(chǎn)線。地震發(fā)生后，為確保人員安全，臺(tái)積電迅速啟動(dòng)了內(nèi)部安全預(yù)防措施，各廠
