動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-26 11:32

  浮思特 | 實現(xiàn)電動汽車牽引逆變器更智能的直流母線放電技術

  

  在汽車逆變器中，高壓直流母線電容的放電通常需要龐大昂貴的外部元件，這不僅顯著推高了物料清單(BOM)成本(每個逆變器約4-6美元)，占用寶貴的PCB空間，更增加了設計復雜度——對于空間緊湊且成本敏感的電動汽車動力系統(tǒng)應用尤為突出。恩智浦GD3162柵極驅(qū)動器帶來了一項高度集成的解決方案，通過將放電功能直接嵌入驅(qū)動IC，重新定義了系統(tǒng)設計者的放電策略實施方式。

  電動汽車 直流母線 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 13:42

  浮思特 | 超導與半導體單光子探測器：量子通信中的技術博弈

  

  近日，英國創(chuàng)新署宣布啟動MARCONI項目，旨在研發(fā)量子密鑰分發(fā)(QKD)接收器。面對當前網(wǎng)絡安全威脅，該機構正通過兩項技術推動QKD網(wǎng)絡建設，以期構建覆蓋英國的全域安全量子通信網(wǎng)絡。作為終端設備，這些接收器通過單光子探測器(圖1)實現(xiàn)量子密鑰的解碼與處理——該裝置能精確測量攜帶加密量子密鑰的單個光子量子態(tài)。圖1SPAD與SNSPD系統(tǒng)對比在QKD網(wǎng)絡的小型

  半導體 探測器 量子通信

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• 發(fā)布了文章 2025-05-21 11:58

  浮思特 | 霍爾效應傳感器：非接觸式電流測量的關鍵技術

  

  霍爾效應由埃德溫·霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)，但直到數(shù)十年后技術發(fā)展才使得集成電路能夠充分利用這一現(xiàn)象。如今，霍爾效應傳感器集成電路為實現(xiàn)精確電流測量提供了便捷方案，同時保持被測電流路徑與測量電路之間的電氣隔離。從洛倫茲力到霍爾效應霍爾效應是洛倫茲力的延伸，后者描述了運動電荷(如電子)在磁場中受到的力。當磁場方向與電子運動方向垂直時，電子將受到一個既垂直于運動方向

  測量電路 電流測量 霍爾效應傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-20 11:59

  霍爾效應電流傳感器技術解析：開環(huán)與閉環(huán)架構的設計

  

  電流傳感器在各類應用場景中廣泛使用。傳統(tǒng)電阻式電流檢測技術通過測量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實現(xiàn)電氣隔離，且在測量大電流時能效較低。另一種主流技術基于霍爾效應原理?；魻栯娏鱾鞲衅魍ㄟ^感應被測電流產(chǎn)生的磁場進行非接觸測量，其電氣隔離特性可提供更高的安全性，同時避免了分流電阻方案中的功率損耗問題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。開環(huán)電

  測量 電流傳感器 霍爾效應

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• 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:30

  歐洲投資銀行計劃籌集700億歐元：致力于AI和半導體發(fā)展

  

  當?shù)貢r間5月17日，歐洲投資銀行(EIB)行長納迪婭·卡爾維尼奧在一次會議上透露，該行正在推進一項雄心勃勃的新計劃，旨在到2027年籌集700億歐元，以提升歐洲在人工智能和半導體等關鍵技術領域的能力。此項計劃被視為“科技歐盟”項目的一部分，標志著歐盟在全球高科技競爭中的進一步發(fā)展和戰(zhàn)略布局。卡爾維尼奧在會議上強調(diào)，面對全球科技競爭的加劇，尤其是在人工智能和半

  AI 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:29

  浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解：原理、計算與應用指南

  

  下拉電阻是電子電路設計中的重要組成部分，尤其在處理數(shù)字邏輯、晶體管和通信接口時。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計算方式、應用場景、選型要點、功耗考量，以及在晶體管和串行通信線路中的實際應用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當信號線無主動驅(qū)動時，能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通

  下拉電阻 電子電路 電路設計

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• 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:09

  AI驅(qū)動半導體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長 2030年全球產(chǎn)值或突破萬億美元大關

  

  全球半導體產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪增長周期。臺積電全球業(yè)務資深副總經(jīng)理張曉強近日透露，在人工智能(AI)技術的強勁推動下，2025年全球半導體產(chǎn)業(yè)同比增長率預計將超過10%。更值得關注的是，到2030年，全球半導體行業(yè)總產(chǎn)值有望達到1萬億美元規(guī)模，其中AI相關應用將貢獻近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年"，生成式AI技術的爆發(fā)性發(fā)展對半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠

  AI芯片 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:08

  浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET：超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術新寵

  

  目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜，2024年市場規(guī)模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續(xù)增長，到2032年將達到約1200億美元。當前冰箱壓縮機驅(qū)動主要采用兩種硅基技術：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機系統(tǒng)的變頻化，通過

  IGBT MOSFET 冰箱

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• 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:20

  PCIM 2025：面向電動汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件

  

  隨著全球電氣化進程加速，工程師們面臨著一個核心難題：如何在更緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高功率密度，同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進工業(yè)設備，傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關速度、更嚴苛的能效要求以及日益復雜的應用場景，都在呼喚性能更強的功率半導體解決方案。為應對這些挑戰(zhàn)，SemiQ、英飛凌、安世半導體和納微半導體四

  SiC 功率器件 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:18

  SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時代

  

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進化。雖然GE最早實現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化，但東芝公司通過解決閂鎖效應問題，大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動該器件在電力轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動等領域的廣泛應用。時至今日，全球已有約20家主要供應商，市場規(guī)模從最初的數(shù)百萬美元擴展

  IGBT SiC 硅基

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