威兆半導體推出的VS3640AA是一款面向 30V 低壓小電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 DFN2x2 封裝,適配小型化低壓電源管理、負載開關等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值14mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值20mΩ,低壓小電流場景下?lián)p耗可控;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時10A,\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為8A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):40A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時小電流沖擊需求。
二、核心特性
- 超小型封裝:采用 DFN2x2 封裝,適配超高密度、微型化電路板設計;
- 快速開關 + 高效率:開關速度優(yōu)異,兼顧低壓小電流場景的能量轉換效率;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 30 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 2.1 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 10;\(T=70^\circ\text{C}\): 8 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 40 | A |
| 最大功耗 | \(P_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 2.5;\(T=70^\circ\text{C}\): 1.6 | W |
| 結 - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 7 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:DFN2x2x0.75-L 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配微型化、高密度電路板設計;
- 典型應用:
- 30V 級低壓微型 DC/DC 轉換器;
- 便攜設備、物聯(lián)網(wǎng)終端的負載開關;
- 小型電子設備的低功耗電源管理。
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
78文章
10382瀏覽量
147170 -
MOS
+關注
關注
32文章
1724瀏覽量
100274 -
威兆半導體
+關注
關注
1文章
110瀏覽量
212
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
選型手冊:VS3640AA N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
評論