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選型手冊:VS3640AA N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-10 11:48 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向 30V 低壓小電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 DFN2x2 封裝,適配小型化低壓電源管理負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值14mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值20mΩ,低壓小電流場景下?lián)p耗可控;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時10A,\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為8A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):40A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時小電流沖擊需求。

二、核心特性

  • 超小型封裝:采用 DFN2x2 封裝,適配超高密度、微型化電路板設(shè)計;
  • 快速開關(guān) + 高效率:開關(guān)速度優(yōu)異,兼顧低壓小電流場景的能量轉(zhuǎn)換效率;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

30V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

2.1A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 10;\(T=70^\circ\text{C}\): 8

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

40A
最大功耗

\(P_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 2.5;\(T=70^\circ\text{C}\): 1.6

W
結(jié) - 殼熱阻

\(R_{thJC}\)

7℃/W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:DFN2x2x0.75-L 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配微型化、高密度電路板設(shè)計;
  • 典型應(yīng)用

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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