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選型手冊:VS320N10AU N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-12 15:26 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向 100V 中壓超大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TO-247 封裝,適配中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):100V,適配中壓供電場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值2.6mΩ,中壓場景下傳導(dǎo)損耗極低;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時320A,\(T=100^\circ\text{C}\)時保持320A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):1280A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時超大電流需求。

二、核心特性

  • 極致低導(dǎo)通電阻:2.6mΩ 的阻性表現(xiàn),大幅降低中壓超大電流場景的傳導(dǎo)損耗;
  • 快速開關(guān) + 高效率:開關(guān)特性優(yōu)異,搭配超大電流承載能力,提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率;
  • 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 600mJ,抗沖擊能力極強(qiáng);
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

100V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

320A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}/100^\circ\text{C}\): 320

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

1280A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

600mJ
最大功耗(結(jié)溫約束)

\(P_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 625;\(T=100^\circ\text{C}\): 250

W
結(jié) - 殼熱阻(Typ/Max)

\(R_{thJC}\)

0.3 / 0.36℃/W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+175

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:TO-247 直插封裝,適配超大電流散熱需求的電路設(shè)計(jì);
  • 典型應(yīng)用
    • 100V 級中壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器主開關(guān)管;
    • 高功率電源管理系統(tǒng)的功率開關(guān);
    • 工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的超大電流負(fù)載通斷控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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