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漢通達(dá)

開發(fā)、生產(chǎn)計(jì)算機(jī)軟硬件,開發(fā)電子測控儀器儀表及配套機(jī)械設(shè)備,以及批發(fā)、零售和售后服務(wù)。

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漢通達(dá)文章

  • MOSFET結(jié)構(gòu)、原理及測試2023-11-18 08:11

    MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕
  • 科學(xué)家意外發(fā)明新材料,可制造更快的芯片2023-11-11 08:11

    化學(xué)家們意外地發(fā)明了一種不尋常的新材料,它所制造的半導(dǎo)體可將運(yùn)算處理速度降低到飛秒(femto-seconds)等級(jí),使下一代計(jì)算機(jī)變得更快。該材料是由錸、硒和氯組成的分子,稱為Re?Se?Cl?。其發(fā)明者表示,用Re?Se?Cl?制成的計(jì)算機(jī)芯片傳輸信息的速度是硅基芯片的兩倍。令人驚訝的是,這是因其會(huì)減慢而非加快電子的速度。哥倫比亞大學(xué)化學(xué)家杰克?圖利亞格
  • 芯片行業(yè),好消息來了2023-11-04 08:11

    在看完分析師對(duì)整個(gè)電子市場的判斷以后,我們認(rèn)為,芯片行業(yè),終于等來了春天。經(jīng)歷了2021年末疫情后的低迷之后,電子設(shè)備的產(chǎn)量終于呈現(xiàn)上升趨勢。根據(jù)IDC的數(shù)據(jù),2021年第三季度智能手機(jī)出貨量與去年同期相比出現(xiàn)負(fù)增長,為-6%。2022年第四季度跌幅觸及-18%的低點(diǎn)。此后,智能手機(jī)一直在復(fù)蘇。IDC數(shù)據(jù)尚未公布,但Canalys預(yù)計(jì)2023年第三季度智能手
  • 標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝尺寸匯總,你或許用得著...2023-10-28 08:11

    最早收集行業(yè)數(shù)據(jù)是從大約2015年開始的,當(dāng)時(shí)就是為了趕時(shí)髦湊熱鬧建了好幾個(gè)封測群,一度非常熱鬧。行業(yè)人脈就是從那個(gè)時(shí)候開始大幅增加的,在群里和行業(yè)朋友交流多了,自然就萌生了收集整理行業(yè)數(shù)據(jù)和信息的念頭。因?yàn)槭欠鉁y群,所以第一步也是從封裝廠和封裝數(shù)據(jù)開始下手的。在一開始整理的數(shù)據(jù)里就有各種標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸信息。我咨詢了好幾家封裝廠的朋友以后,才湊了一個(gè)大概,然
  • 全球半導(dǎo)體格局悄然生變2023-10-21 08:11

    過去幾十年來,半導(dǎo)體制造由中國大陸、韓國和中國臺(tái)灣三個(gè)地區(qū)主導(dǎo),2021年這三個(gè)地區(qū)共計(jì)占全球市場的87%。而今,隨著地緣政治的轉(zhuǎn)變,各國或地區(qū)都在尋求降低對(duì)單一供應(yīng)鏈的依賴,努力發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),確保技術(shù)的獨(dú)立性和安全性,全球半導(dǎo)體格局正在被重塑。地緣政治的變化不僅可能影響供應(yīng)鏈、原材料的獲取和產(chǎn)能的分布,還會(huì)對(duì)全球的科技戰(zhàn)略布局帶來影響。這種轉(zhuǎn)變意味
  • 我國芯片突破!清華大學(xué)全球首枚!2023-10-14 08:11

    10月10日消息,據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào),近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片!一枚芯片,集成記憶和計(jì)算的能力,保護(hù)用戶隱私的同時(shí)還具備類似人腦的自主學(xué)習(xí),能效相較先進(jìn)工藝下的專用集成電路系統(tǒng)有約75倍提升。這是清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)研
  • 測試程序及測試板開發(fā)注意事項(xiàng)2023-09-23 08:13

    測試程序及測試板(loadboard)的開發(fā)是測試工程師最主要的工作,作為一個(gè)測試新手,你開發(fā)的東西也許在工程階段看不出什么問題,但一旦進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段,就有可能會(huì)出現(xiàn)諸如測試不穩(wěn)定、測試良率低、經(jīng)常需要維護(hù)等等各種各樣的問題,究其原因,還是各方面考慮的不是很周到引起,如何才能避免這些問題的發(fā)生,接下來給大家推薦一篇業(yè)界資深測試工程師總結(jié)的、在測試開發(fā)中需
  • 漢通達(dá)攜手VX Instruments針對(duì)高性能半導(dǎo)體的測試需求提供解決方案2023-09-08 08:13

    在測控領(lǐng)域同樣也無時(shí)無刻不在融合創(chuàng)新,為我們提供新的技術(shù)和最前沿的科技應(yīng)用。作為老牌的測試測量貿(mào)易、集成商北京漢通
  • 封測:TSV研究框架2023-09-04 16:26

    1后摩爾時(shí)代,先進(jìn)封裝成為提升芯片性能重要解法1.1摩爾定律放緩,先進(jìn)封裝日益成為提升芯片性能重要手段隨著摩爾定律放緩,芯片特征尺寸接近物理極限,先進(jìn)封裝成為提升芯片性能,延續(xù)摩爾定律的重要手段。先進(jìn)封裝是指處于前沿的封裝形式和技術(shù),通過優(yōu)化連接、在同一個(gè)封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導(dǎo)體集成電路和器件等方式,提升集成電路的連接密度和集成度。當(dāng)前全球芯片制程工
  • MOS管G極與S極之間的電阻作用2023-08-26 08:12

    MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MOS管之所以存在米勒效應(yīng),以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波,當(dāng)Cg