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• 揭秘芯片測(cè)試：如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)晶體管2026-03-06 10:03

  

  微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中，集成了數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管，例如NVIDIA的H100GPU包含800億個(gè)晶體管。要如何確定每一個(gè)晶體管都在正常工作？這是一個(gè)超乎想象的復(fù)雜工程。如果讓人類拿著顯微鏡一個(gè)接一個(gè)地檢查，測(cè)試一顆芯片可能需要數(shù)百年。然而在現(xiàn)代工廠中，這必須在幾秒鐘內(nèi)完成。這就是可測(cè)性設(shè)計(jì)（DFT,DesignforTesta

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• 芯片DFT Scan測(cè)試原理2026-02-27 10:05

  

  在芯片制造過程中，可能會(huì)引入物理缺陷，這些缺陷在電氣層面的表現(xiàn)稱為故障。常見的故障模型包括固定型故障（例如引腳固定連接到電源或地）、跳變故障、路徑延時(shí)故障（如門級(jí)端口信號(hào)上升下降過慢）、以及靜態(tài)電流型故障（表現(xiàn)為異常高電流泄漏）。若某個(gè)故障能在電路中向后傳播并導(dǎo)致芯片輸出與預(yù)期不符，則稱為失效。值得注意的是，并非所有故障都會(huì)引發(fā)失效，只有那些最終影響到功能正

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• 超全的芯片測(cè)試原理講解2026-02-13 10:01

  

  做芯片測(cè)試的同學(xué)經(jīng)常會(huì)涉及到Continuity測(cè)試、Leakage測(cè)試、GPIOdrivecapability測(cè)試、GPIOpullup/pulldownresistor測(cè)試、standbyidd、runidd、IDDQ、MBIST、SCAN等測(cè)試，小編在此帶大家總結(jié)一下這些測(cè)試的基本原理。Continuity測(cè)試（即OS測(cè)試）該測(cè)試主要是測(cè)試芯片的ope

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• 半導(dǎo)體通用測(cè)試文件標(biāo)準(zhǔn)STDF介紹2026-02-06 10:02

  

  對(duì)于半導(dǎo)體測(cè)試特別是集成了復(fù)雜IP的芯片，要完整記錄各項(xiàng)DC,AC,功能性測(cè)試等等生成的龐大數(shù)據(jù)，還要和芯片的生產(chǎn)批次，生成時(shí)間，測(cè)試機(jī)臺(tái)等信息組合起來，那不能無序簡(jiǎn)單地堆砌成一個(gè)文件了事。這樣會(huì)造成后期解析分析非常困難。同時(shí)考慮到各個(gè)EDA大廠生成的測(cè)試pattern的格式不同，ATE的解析和測(cè)試結(jié)果的生成格式不同。那在生產(chǎn)環(huán)境可能就有多種組合產(chǎn)生，如果你

  漢通達(dá) eda 半導(dǎo)體測(cè)試 通用測(cè)試 215瀏覽量

• 半導(dǎo)體行業(yè)知識(shí)專題九：半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備深度報(bào)告2026-01-23 10:03

  

  （一）測(cè)試設(shè)備貫穿半導(dǎo)體制造全流程半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備，涵蓋晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試及功能驗(yàn)證等環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備貫穿于集成電路制造的全生命周期，且因半導(dǎo)體生產(chǎn)流程極其復(fù)雜，為了防止壞品流入下一道高成本工序，測(cè)試必須分段進(jìn)行，主要在晶圓制造后的CP測(cè)試與封裝后的FT測(cè)試兩大核心環(huán)節(jié)發(fā)揮決定性作用：CP測(cè)試（CircuitProbing/Wafe

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• 半導(dǎo)體測(cè)試制程介紹2026-01-16 10:04

  

  半導(dǎo)體產(chǎn)品的附加價(jià)值高、制造成本高，且產(chǎn)品的性能對(duì)于日后其用于最終電子商品的功能有關(guān)鍵性的影響。因此，在半導(dǎo)體的生產(chǎn)過程中的每個(gè)階段，對(duì)于所生產(chǎn)的半導(dǎo)體IC產(chǎn)品，都有著層層的測(cè)試及檢驗(yàn)來為產(chǎn)品的質(zhì)量作把關(guān)。然而一般所指的半導(dǎo)體測(cè)試則是指晶圓制造與IC封裝之后，以檢測(cè)晶圓及封裝后IC的電信功能與外觀而存在的測(cè)試制程。以下即針對(duì)「半導(dǎo)體測(cè)試制程」中之各項(xiàng)制程技術(shù)

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• 芯片可靠性（RE）性能測(cè)試與失效機(jī)理分析2026-01-09 10:02

  

  2025年9月，國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布了六項(xiàng)半導(dǎo)體可靠性測(cè)試國家標(biāo)準(zhǔn)，為中國芯片產(chǎn)業(yè)的質(zhì)量基石奠定了技術(shù)規(guī)范。在全球芯片競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化的今天，可靠性已成為衡量半導(dǎo)體產(chǎn)品核心價(jià)值的關(guān)鍵指標(biāo)。01芯片的“健康指標(biāo)”：半導(dǎo)體可靠性的本質(zhì)半導(dǎo)體可靠性（RE）指的是芯片在規(guī)定條件和時(shí)間內(nèi)，持續(xù)保持其預(yù)定功能的能力。這不僅僅是“能用”，而是在各種復(fù)雜環(huán)境下“穩(wěn)定可靠地

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• 半導(dǎo)體測(cè)試，是“下一個(gè)前沿”2025-12-26 10:02

  

  本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自3dincites利用人工智能進(jìn)行半導(dǎo)體測(cè)試創(chuàng)新，將能夠共享與良率、覆蓋率和成本息息相關(guān)的真實(shí)數(shù)據(jù)。雖然人工智能在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，但半導(dǎo)體測(cè)試是“下一個(gè)前沿”，它是設(shè)計(jì)與制造之間的橋梁，解決了傳統(tǒng)分離領(lǐng)域之間模糊的界限。更具體地說，通過連接設(shè)計(jì)和制造，測(cè)試可以幫助產(chǎn)品和芯片公司更快地生產(chǎn)出

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• 過零檢測(cè)電路，有點(diǎn)意思~2025-12-19 10:01

  

  整體原理圖先說阻容降壓部分，R8、C2、D2、D3、ZD1、ZD2構(gòu)成常見阻容降壓電路，交流電經(jīng)過半波整流阻容降壓后，在兩個(gè)穩(wěn)壓管ZD1、ZD2兩端形成11.2V左右的直流電壓（這個(gè)電壓是提供給后面的12V繼電器使用的）。阻容降壓電路交流電的正負(fù)半周的電流流向分別如下：交流電正半周電流流向交流電負(fù)半周電流流向負(fù)半周時(shí)，D2為C2提供交流通路，D3起到隔離單向

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• 我就是那個(gè)32歲還在點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)的測(cè)試狗！2025-12-12 10:02

  

  2019年入行，如果你問我有沒有后悔選測(cè)試這條路，說實(shí)話，有也沒有。工作前兩年我?guī)缀跏窃诨烊兆?，完全沒方向，機(jī)械點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)、提bug，和現(xiàn)在剛?cè)胄械男氯藳]太大差別。那個(gè)階段沒有成長(zhǎng)、也沒思考，腦子里沒有職業(yè)規(guī)劃，甚至連“測(cè)試到底是干什么”都說不清。直到第三年，一個(gè)項(xiàng)目出了重大線上問題，我被拉去參與復(fù)盤。那次我第一次意識(shí)到：“測(cè)試，不只是找bug，而是保障質(zhì)量的最

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