英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 磁懸浮軸承——電力電子在高速旋轉(zhuǎn)機械領(lǐng)域的應(yīng)用2025-02-08 11:26

  

  本文是生活中的電、電源與電力電子科普征文大賽的二等獎作品，原標題《磁懸浮軸承——電力電子在高速旋轉(zhuǎn)機械領(lǐng)域的應(yīng)用》，作者：蔣棟，孫宏博，楊佶昌，劉自程，帥逸軒，來自華中科技大學(xué)，強電磁工程與新技術(shù)國家重點實驗室。1磁懸浮軸承背景介紹電動機想必大家都有所了解，轉(zhuǎn)子“呼呼呼”旋轉(zhuǎn)，帶動工業(yè)的發(fā)展。在工業(yè)和國防領(lǐng)域，旋轉(zhuǎn)機

  旋轉(zhuǎn)機械 電力電子 磁懸浮 軸承 1328瀏覽量

• 高鐵跑得快，不靠車頭帶2025-02-08 11:25

  

  邀請你一起來創(chuàng)作科普作品，點擊報名火車跑得快，全靠車頭帶。這句有問題嗎？如果擱以前那種“況且、況且、況且。。。”的火車肯定沒毛病。或者呢，如果你是年終總結(jié)會上講給你領(lǐng)導(dǎo)聽，想拍馬屁多要點年終獎，那這句話也是一點兒毛病都沒有。但是如果你想用這句話描述當今高鐵列車的動力系統(tǒng)，那毛病大了。今天就來和大家聊聊，高鐵跑得那么快，既不是車頭帶的，又不是你領(lǐng)導(dǎo)帶的，那到底

  動車組 變壓器 高鐵 779瀏覽量

• 英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目2025-02-08 11:24

  

  英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/DiscreteD

  MOSFET SiC 功率器件 606瀏覽量

• 新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離2025-02-08 08:34

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交

  MOSFET SiC 分立器件 639瀏覽量

• 新品 | 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用全橋變壓器驅(qū)動器評估板2025-02-07 17:02

  

  新品頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用全橋變壓器驅(qū)動器評估板設(shè)計工程師可使用該系列評估板評估全橋變壓器驅(qū)動器IC-2EP1xxR系列。有三種評估板可供選擇：■EVAL-2EP130R-PR：2EP130R變壓器驅(qū)動器評估板，具有雙輸出峰值整流和可定制的輸出電壓，適用于MOSFETS和IGBT?！鯡VAL-2EP130R-PR-SIC：2EP130R變壓器驅(qū)動器評估

  變壓器 評估板 驅(qū)動器 驅(qū)動電源 801瀏覽量

• 新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器2025-01-24 17:04

  

  新品2EP1xxR-頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅(qū)動電源用全橋變壓器驅(qū)動器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優(yōu)化功能，可產(chǎn)生非對稱輸出電壓，為隔離柵極驅(qū)動器供電。由于具有獨特的占空比調(diào)整能力，它針對非對稱柵極驅(qū)動器電源進行了優(yōu)化。2EP1xxR還集成了溫度、短路和UVLO保護

  變壓器 驅(qū)動器 驅(qū)動電源 706瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息2025-01-20 17:33

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大，如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M

  功率器件 熱設(shè)計 驅(qū)動器 1650瀏覽量

• 新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V2025-01-17 17:03

  

  新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)

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• 2025新年啟航，贏取好禮：IPAC直播首秀聚焦光伏行業(yè)新趨勢2025-01-16 17:02

  

  隨著新年的鐘聲敲響，光伏行業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。市場規(guī)模持續(xù)擴大，據(jù)S&PGlobal最新預(yù)測，戶用光伏與中小型工商業(yè)光伏市場有望在2025年迎來筑底反彈，未來五年將以穩(wěn)健的6%年復(fù)合增長率蓬勃發(fā)展。面對這一趨勢，行業(yè)對光伏提出了更高要求：更大電流、更高電壓，更高功率密度，以及更高的可靠性，這已然成為行業(yè)前行的必然趨勢。如何通過英飛凌最新一代CoolS

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• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05

  

  上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且

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