英飛凌工業(yè)半導體文章

• 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅(qū)動器2024-12-13 17:04

  

  新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅(qū)動器650V和300V三相柵極驅(qū)動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產(chǎn)品特點英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0

  BSD 二極管 驅(qū)動器 802瀏覽量

• 新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊2024-12-12 17:03

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進，以滿足牽引和工業(yè)應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產(chǎn)品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發(fā)射極可控EmCon4二極管，功率循環(huán)能力更強，標準封裝

  二極管 模塊 771瀏覽量

• 深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？2024-12-11 17:04

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導體 半導體 開關(guān)電源 1542瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流2024-12-11 01:03

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設計 989瀏覽量

• 英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅(qū)動器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟高效的柵極驅(qū)動器電源2024-12-10 01:00

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅(qū)動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經(jīng)濟高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅(qū)動器 918瀏覽量

• 新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊2024-12-07 01:05

  

  新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術(shù)。DDB2

  變換器 電動汽車 直流 518瀏覽量

• 英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！2024-12-06 01:02

  

  作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術(shù)，是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌 1214瀏覽量

• 新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產(chǎn)品2024-12-04 01:04

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴展了Easy系列在1000VDC系統(tǒng)中產(chǎn)品組合，可以實現(xiàn)高開關(guān)頻率應用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片 1561瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型2024-12-03 01:03

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的

  功率器件 熱設計 等效模型 1669瀏覽量

• 新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝2024-11-29 01:03

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封裝采用D²PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC 689瀏覽量