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浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)2025-07-15 09:57
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件，其長(zhǎng)期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用，往往成為加速器件內(nèi)部劣化、引發(fā)早期失效的關(guān)鍵誘因。本文深入探討該耦合效應(yīng)背后的物理機(jī)制，并基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎(chǔ)IGBT的柵極結(jié)構(gòu)類似于MOSFET，其 -
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)2025-07-14 10:17
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浮思特 | 如何開(kāi)發(fā)高效可靠的人機(jī)界面(HMI)：實(shí)踐與考量2025-07-14 10:16
在復(fù)雜設(shè)備控制系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)中，為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護(hù)人員)設(shè)計(jì)合適的交互界面至關(guān)重要，這便是人機(jī)界面(HMI)的核心任務(wù)。HMI形式多樣，從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業(yè)觸摸屏，乃至支持遠(yuǎn)程操作的Web或App界面，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接影響設(shè)備的易用性、效率和安全性。需求定義：成功的基石敏捷開(kāi)發(fā)模式在HMI設(shè)計(jì)中頗為流行，通過(guò)迭代沖刺推進(jìn)需求、設(shè) -
三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%2025-07-11 10:07
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。業(yè)界普遍認(rèn)為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電抗衡仍然是一個(gè) -
浮思特 | 超越傳統(tǒng)：集成電流傳感器IC的技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)2025-07-11 10:06
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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng) 2025年5月銷售額達(dá)590億美元2025-07-10 10:05
根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2025年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到590億美元，較2024年5月的492億美元增長(zhǎng)了19.8%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)不僅反映了半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇，也顯示出行業(yè)需求的持續(xù)上升。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer表示，5月全球半導(dǎo)體銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠(yuǎn)超去年同期的水平。這一銷售增長(zhǎng)的背后，反 -
浮思特 | (ABOV)現(xiàn)代單片機(jī)在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用與技術(shù)趨勢(shì)2025-07-10 10:03
當(dāng)今，微控制器(MCU)已成為最核心的計(jì)算技術(shù)之一，其存在是所有嵌入式應(yīng)用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無(wú)數(shù)計(jì)算解決方案，有些甚至專為特定應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，例如電機(jī)控制。電機(jī)控制應(yīng)用通常通過(guò)組合專用電機(jī)控制單元和系統(tǒng)控制單元來(lái)實(shí)現(xiàn)，兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時(shí)控制多臺(tái)永磁電機(jī)而設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)等設(shè)備。此外，工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不 -
混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?2025-07-09 09:58
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開(kāi)關(guān)損耗和較慢開(kāi)關(guān)速度會(huì)降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開(kāi)關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG -
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)2025-07-08 10:28
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開(kāi)關(guān)損耗方面的作用，以及開(kāi)爾文源極連接結(jié)構(gòu)對(duì)高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時(shí)間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE -
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單2025-07-07 10:33
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電退出GaN市場(chǎng)的原因主要與中國(guó)大陸市場(chǎng)的低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)。近年來(lái)，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長(zhǎng)，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇。面對(duì)不斷上
