深圳市浮思特科技有限公司文章

• 混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?2025-07-09 09:58

  

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會(huì)降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG

  IGBT SiC 電動(dòng)汽車 逆變器 1271瀏覽量

• 浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)2025-07-08 10:28

  

  本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時(shí)間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封裝 137瀏覽量

• 臺積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單2025-07-07 10:33

  

  近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價(jià)競爭有關(guān)。近年來，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價(jià)格競爭加劇。面對不斷上

  力積電 臺積電 晶圓 氮化鎵 921瀏覽量

• 觸控芯片核心技術(shù)解析與選型指南2025-07-07 10:32

  

  觸摸控制器芯片是一種電路，它將輸入信號(接觸屏幕表面的手指或物體)轉(zhuǎn)換為可測量的信號。該信號經(jīng)過控制器軟件算法的計(jì)算和處理，以確定屏幕上的觸摸位置。觸摸屏控制器芯片設(shè)計(jì)有專用的外設(shè)引腳，以便與觸摸傳感器和主機(jī)處理器連接。通常，該電路安裝在柔性印刷電路板(FPC)上，該電路板將傳感器連接到主機(jī)處理器。觸摸芯片的功能是什么?無論采用何種觸摸技術(shù)(無論是電阻式還是

  控制器芯片 觸控芯片 觸摸控制器 167瀏覽量

• 浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解2025-07-04 09:59

  

  紅外熱成像技術(shù)，如同賦予人類“感知溫度”的視覺，通過捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項(xiàng)技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設(shè)備的精密檢測、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景，探索這項(xiàng)技術(shù)如何將無形的熱能轉(zhuǎn)化

  紅外熱成像 紅外線 紅外輻射 259瀏覽量

• ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能2025-07-03 10:23

  

  近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對提高電源效率的需求。為

  AI服務(wù)器 MOSFET Rohm 352瀏覽量

• 電子設(shè)備NMB散熱風(fēng)扇核心技術(shù)：從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計(jì)2025-07-03 10:20

  

  散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件，其作用遠(yuǎn)超簡單的“吹風(fēng)”，涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動(dòng)力學(xué)原理分類：按電源：交流風(fēng)扇(ACFan)：直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功

  散熱 電子設(shè)備 207瀏覽量

• 東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路2025-07-02 09:52

  

  據(jù)報(bào)道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm²/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件

  摩爾定律 晶體管 332瀏覽量

• 浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案2025-07-02 09:47

  

  電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式，大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此，采用了電力電子技術(shù)，供應(yīng)商們開發(fā)了豐富的開關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢是使用半導(dǎo)體開關(guān)器件來整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I

  IGBT MOSFET 電力開關(guān) 1001瀏覽量

• 大基金三期聚焦微影技術(shù)與芯片設(shè)計(jì)工具，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展2025-07-01 10:15

  

  近日，彭博社報(bào)道，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡稱“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對國際巨頭的依賴，尤其是在荷蘭ASML、美國益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來

  半導(dǎo)體 芯片設(shè)計(jì) 503瀏覽量