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      【功能上線】華秋PCB下單新增“3D仿真預(yù)覽”，讓PCB設(shè)計(jì)缺陷無(wú)處遁形

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      的頭像 向上 發(fā)表于 03-28 14:54 ?1243次閱讀
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      寬帶收發(fā)器IC ADI ADRV9040用戶手冊(cè)文檔詳解

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      的頭像 向上 發(fā)表于 03-25 19:23 ?639次閱讀
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      NVIDIA Blackwell白皮書(shū)：NVIDIA Blackwell Architecture Technical Brief

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      NVIDIA Blackwell數(shù)據(jù)手冊(cè)與NVIDIA Blackwell架構(gòu)技術(shù)解析

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      英偉達(dá)GTC25亮點(diǎn)：NVIDIA Blackwell Ultra 開(kāi)啟 AI 推理新時(shí)代

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      英偉達(dá)GTC2025大會(huì)關(guān)鍵信息點(diǎn)總結(jié) Blackwell Ultra 量子計(jì)算與機(jī)器人

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      英偉達(dá)GROOT N1 全球首個(gè)開(kāi)源人形機(jī)器人基礎(chǔ)模型

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      ADI ADRV9040 具有數(shù)字前端DFE、400MHz iBW射頻收發(fā)器的8T8R SoC

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      簡(jiǎn)化5G基本收發(fā)器電臺(tái)發(fā)射機(jī)陣容的設(shè)計(jì)和評(píng)估

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      MAX15258DL2EVKIT解析：MAX15258評(píng)估套件特性 數(shù)據(jù)表 ODB文件

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      onsemi NCV84090DR2G為汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的可靠負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器

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      ADI MAX15258高壓多相升壓控制器 帶I2C數(shù)字接口 還集成了電流檢測(cè)放大器

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      白皮書(shū)：在HMI應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高精度電容式觸摸傳感器

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      瑞薩電子RX261/RX260 32位觸摸控制MCU數(shù)據(jù)表與技術(shù)手冊(cè)

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      GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

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      GaNPX?和PDFN封裝器件的焊接專業(yè)經(jīng)驗(yàn)

      介紹如何將GaN Systems的GaNPX? 和PDFN封裝下的E-HEMT器件焊接到PCB。
      的頭像 向上 發(fā)表于 03-13 17:38 ?660次閱讀
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      氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

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      GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

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      的頭像 向上 發(fā)表于 03-13 15:52 ?576次閱讀
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      基于LTSpice的GaN開(kāi)關(guān)損耗的仿真

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      基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模

      GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分....
      的頭像 向上 發(fā)表于 03-11 18:32 ?680次閱讀
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      GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

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      mpu6050航向角漂移很嚴(yán)重的原因及解決方法

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      的頭像 向上 發(fā)表于 03-01 11:47 ?2642次閱讀

      氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

      氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).p....
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      高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載

      高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型....
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