碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能....
DT半導體 發(fā)表于 01-20 17:18
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采用氮化鎵的 LED 照明已經大幅減少了全球的用電量,預計十年后節(jié)省的電量可能高達 46%。但在電力....
DT半導體 發(fā)表于 01-11 10:19
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石墨烯是一種單層石墨,由碳原子以六角形蜂巢晶格排列而成。它的特性超薄、超輕、超強,擁有高電荷載流子遷....
DT半導體 發(fā)表于 01-10 10:20
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同為第三代半導體材料,氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久,但氮化鎵依舊憑借....
DT半導體 發(fā)表于 01-10 09:53
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STEM雖然獲得了快速的發(fā)展,但是在實際應用中存在2個突出的瓶頸,即輕重元素原子的同時成像問題和對電....
DT半導體 發(fā)表于 01-09 18:21
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基于二維材料的電子器件展現(xiàn)出巨大潛力,這些材料具有極低的剛度和幾乎為零的內應力,或許能夠完全擺脫傳統(tǒng)....
DT半導體 發(fā)表于 01-09 10:15
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金剛石具有低密度、高彈性模量、高強度、高熱導率、化學惰性和生物相容性等優(yōu)異特性,在聲學領域主要應用于....
DT半導體 發(fā)表于 01-08 11:02
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在過去的幾年里, 鈣鈦礦材料表現(xiàn)出高效率、低成本的絕對優(yōu)勢, 特別是鈣鈦礦材料由于靈活可調的禁帶寬度....
DT半導體 發(fā)表于 01-08 10:50
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研究中,他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導體場效應晶體管結構(Top Gate com....
DT半導體 發(fā)表于 01-05 16:08
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光伏行業(yè)發(fā)展到今天,HJT技術已經成為了備受關注的主流技術路線之一。為推動HJT技術的發(fā)展,通威研發(fā)....
DT半導體 發(fā)表于 01-05 15:59
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由于石墨烯缺乏本征帶隙,半導體石墨烯在石墨烯納米電子學中起著重要作用。在過去的二十年中,通過量子限域....
DT半導體 發(fā)表于 01-05 10:41
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太陽電池封裝成組件后,其實際功率通常會小于理論功率,稱之為功率損失或封裝損失。
DT半導體 發(fā)表于 01-05 10:32
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隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領域中都展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。其中,化學氣相沉積(CVD)金剛石由....
DT半導體 發(fā)表于 01-04 10:17
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太赫茲波處于電磁波譜中電子學與光子學之間的空隙區(qū)域,具有不同于低頻微波和高頻光學的獨特屬性,在無線通....
DT半導體 發(fā)表于 01-04 10:03
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隨著電子技術的不斷發(fā)展,現(xiàn)代電子設備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展,性能和功能越來越強大,集成度越來....
DT半導體 發(fā)表于 01-04 10:02
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金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料,人造金剛石晶體有多種不同的類型,大致可分為單形和聚形,每種類型都具....
DT半導體 發(fā)表于 01-02 15:47
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半導體設備主要應用于集成電路的制造和封測環(huán)節(jié),可細分為晶圓制造設備(前道設備)和封裝、測試設備(后道....
DT半導體 發(fā)表于 12-27 10:57
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TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正....
DT半導體 發(fā)表于 12-26 14:59
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激光微納加工技術利用激光脈沖與材料的非線性作用,可以<100nm精度實現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實現(xiàn)的復雜功能結構和器件的增材制造。而激光直寫(DLW)光刻是一項具有空間三維加工能力的微納加工技術,在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。
DT半導體 發(fā)表于 12-22 10:34
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金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性,廣泛應用于磨料磨具、光學器件、新能源汽車和電子封裝....
DT半導體 發(fā)表于 12-21 15:36
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近日,開源證券發(fā)布研究報告稱,柔性觸覺傳感器又稱為“電子皮膚”,能夠實現(xiàn)與環(huán)境接觸力、溫度、濕度、震....
DT半導體 發(fā)表于 12-13 15:52
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:當石墨烯用作光吸收介質時,傳感器通常只能表現(xiàn)出mA/W級別的弱光學響應度。團隊通過開解單壁碳納米管....
DT半導體 發(fā)表于 12-13 12:33
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鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)是第三代高效薄膜電池的代表,憑借良好的吸光性、電荷傳輸速率、巨大的開發(fā)潛....
DT半導體 發(fā)表于 12-07 16:25
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多巴胺離子是一種強還原性材料,可將鈣鈦礦中的Sn4+還原為Sn2+。同時,多巴胺陽離子作為一種胺基陽....
DT半導體 發(fā)表于 12-06 10:09
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在目前兩端口鈣鈦礦/晶硅疊層電池的互聯(lián)界面可以分為兩種結構:平面和陷光絨面。采用平面結構會提高電池組....
DT半導體 發(fā)表于 12-05 15:55
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阿特斯董事長瞿曉鏵表示,雖然今年的光伏產業(yè)新增裝機量達到預期,但產業(yè)健康發(fā)展不達預期。下半年以來,....
DT半導體 發(fā)表于 12-01 10:38
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此外,由于碳化硅逆變器體積較小,還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng),從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅逆變....
DT半導體 發(fā)表于 11-30 17:35
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可分為鈣鈦礦/PERC、鈣鈦礦/TOPCon、鈣鈦礦/HJT、鈣鈦礦/CIGS與全鈣鈦礦電池等。鈣鈦....
DT半導體 發(fā)表于 11-30 17:31
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該工作為發(fā)展高性能電化學濾波電容提供了新的認識和設計思路,通過電場增強離子遷移動力學行為,實現(xiàn)內阻的....
DT半導體 發(fā)表于 11-27 17:51
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極電光能曾先后4次刷新鈣鈦礦組件效率的世界紀錄,目前是810cm2小試組件及1.2x0.6m2商用尺....
DT半導體 發(fā)表于 11-27 17:50
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