測(cè)試結(jié)果

　　對(duì)于數(shù)字調(diào)制，調(diào)制器準(zhǔn)確度的終極測(cè)試是 EVM。

　　圖 7：LTC5599 0.8% rms 的 EVM 測(cè)量結(jié)果與預(yù)期相吻合。所有的 SPI 寄存器均位于默認(rèn)值 （被設(shè)定在 450MHz 的 LO 頻率除外）。

　　考慮到該系統(tǒng)采用的是 8 位 DAC，因此 EVM 測(cè)量值在 0.8% 左右是不足為奇的，因?yàn)閺母旧险f這大概是可獲得的最佳結(jié)果 （鑒于有效位數(shù) ［ENOB］ 將小于 8 位）：

　　圖 8：要求提供免費(fèi)的凌力爾特準(zhǔn)確度轉(zhuǎn)換器！在該場合中，它說明了 DAC 有效分辨率會(huì)怎樣限制調(diào)制準(zhǔn)確度。

　　EVM 測(cè)試結(jié)果與先前公布的測(cè)量結(jié)果相吻合，而且對(duì)于大多數(shù)數(shù)字調(diào)制應(yīng)用來說肯定是足夠好了。

　　進(jìn)一步的 EVM 改善將需要更多的 FIR 濾波器抽頭、更高分辨率的 DAC、也許還包括某種針對(duì) sin（x） / x 滾降和 DAC 重構(gòu)濾波器滾降的數(shù)字濾波器補(bǔ)償。

　　圖 9：在 -4dBm 輸出功率下的 RF 輸出頻譜。請(qǐng)注意，最差 DAC 鏡頻抑制度約為 -70dBc，對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用而言足夠好了。

　　察看一下輸出頻譜，接近噪聲頻譜密度由若干因素決定：FIR 濾波器階數(shù)、LO 相位噪聲和調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電平。

　　編者結(jié)論

　　本篇文章舉例說明了針對(duì)利用 LTC5599 和 LTC5589 等低功率 IQ 調(diào)制器的詳細(xì)設(shè)計(jì)方法。如在這里用實(shí)例介紹的那樣，為了獲得最高的調(diào)制準(zhǔn)確度、最低的噪聲和最低的 DC 功耗，設(shè)計(jì)師必須謹(jǐn)慎地考慮每個(gè)電路功能塊。