據(jù)估計(jì)，化石燃料目前占全球發(fā)電總量的三分之二，而太陽(yáng)能和風(fēng)能僅占發(fā)電量的 7%。然而，要實(shí)現(xiàn)凈零碳排放的目標(biāo)，就需要加速?gòu)幕剂限D(zhuǎn)向可再生能源。提高可再生能源采用率的基礎(chǔ)是降低每瓦轉(zhuǎn)換成本、增加儲(chǔ)能容量和提高能源轉(zhuǎn)換效率。隨著傳統(tǒng)硅電源開(kāi)關(guān)達(dá)到極限，氮化鎵 （GaN） 將在所有這些領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。

太陽(yáng)能和存儲(chǔ)

圖 1 中住宅太陽(yáng)能系統(tǒng)的簡(jiǎn)化圖像 顯示了太陽(yáng)能電池板、儲(chǔ)能系統(tǒng) （ESS） 和整個(gè)家庭的單相交流電源分配。此類住宅系統(tǒng)的容量通常在 3 kW 至 10 kW 之間，目前約占太陽(yáng)能發(fā)電市場(chǎng)總量的 25%，其中包括太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和工業(yè)光伏 （PV） 逆變器。請(qǐng)注意，圖 1中所示的電動(dòng)汽車 進(jìn)一步增加了備用電池/儲(chǔ)能容量，具有雙向車載充電功能。

圖 1：住宅太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)

降低此類系統(tǒng)的每瓦成本需要：

將光伏電池板產(chǎn)生的直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源的效率提高

用于存儲(chǔ)和釋放該能量的解決方案的功率密度和性能得到改善

在這兩種情況下，逆變器設(shè)計(jì)都是應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

在 PV 和 ESS 設(shè)計(jì)中，逆變器通過(guò)切換 DC 輸入，從面板或電池提供的可變 DC 電源產(chǎn)生穩(wěn)定的 AC 電源。逆變器通?；?H 橋電源架構(gòu)，關(guān)鍵組件是功率半導(dǎo)體、用于濾波的無(wú)源組件和用于平滑交流正弦波形的磁性元件。

直到最近，逆變器都使用基于硅技術(shù)的 MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體，但為了優(yōu)化效率和增加功率密度，需要提高逆變器開(kāi)關(guān)頻率。這反過(guò)來(lái)又要求功率開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗——這是硅功率開(kāi)關(guān)的主要問(wèn)題。GaN 在高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)超低開(kāi)關(guān)損耗，因此是系統(tǒng)效率和功率密度的絕佳選擇。使用 GaN 功率晶體管的可再生能源系統(tǒng)不會(huì)在轉(zhuǎn)換過(guò)程中不必要地浪費(fèi)太陽(yáng)能。

選擇氮化鎵

GaN 對(duì)太陽(yáng)能設(shè)計(jì)很重要，因?yàn)榕c傳統(tǒng)硅相比，它能夠提供顯著改進(jìn)的性能，同時(shí)減少實(shí)現(xiàn)該性能所需的能量和物理空間。

在器件級(jí)方面，根據(jù)實(shí)現(xiàn)的不同，從歸一化導(dǎo)通電阻 （R DS（ on ） ） 和柵極電荷 （Q G ）的乘積得出的品質(zhì)因數(shù)對(duì)于 GaN 來(lái)說(shuō)可能比硅好 5 到 20 倍。通過(guò)使用更小的晶體管和更短的電流路徑，實(shí)現(xiàn)了超低電阻和電容，并且開(kāi)關(guān)速度可以提高 100 倍。

除了確保更高的系統(tǒng)性能外，改進(jìn)的開(kāi)關(guān)速度還可以顯著減小無(wú)源和磁性組件的尺寸（并且在某些應(yīng)用中可以取消）。使用 GaN 時(shí)，這種無(wú)源和磁性元件的減少進(jìn)一步降低了系統(tǒng)成本。

選擇集成氮化鎵

在評(píng)估用于太陽(yáng)能應(yīng)用的 GaN 技術(shù)時(shí)，最重要的考慮因素之一是功率晶體管中內(nèi)置的功能和保護(hù)，而不是需要添加多少電路與附加設(shè)備。目標(biāo)是設(shè)計(jì)一個(gè)“理想開(kāi)關(guān)”，結(jié)合 GaN 的優(yōu)點(diǎn)并使器件易于實(shí)施。GaN 器件的保護(hù)是另一個(gè)級(jí)別的性能優(yōu)勢(shì)。

“分立”GaN 功率晶體管，例如 GaN 增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT），通常執(zhí)行單一功能，因此必須與多個(gè)其他電路組件一起實(shí)施以實(shí)現(xiàn)功能系統(tǒng)。雖然 GaN E-HEMT 是將 GaN 的開(kāi)關(guān)性能引入電源系統(tǒng)的早期嘗試，但由于系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜且在高功率系統(tǒng)中性能不佳，它們未能實(shí)現(xiàn)主流采用。此外，GaN E-HEMT 分立器件沒(méi)有保護(hù)功能，并且極易受到靜電放電 （ESD） 的影響?？梢詫?shí)施外部電路來(lái)保護(hù) GaN E-HEMT 的柵極，但這會(huì)引入限速寄生和有損元素，降低 GaN 的潛在性能。

集成 GaN 電源 IC

另一方面，集成 GaN 電源 IC 將多種電力電子功能結(jié)合到單個(gè) GaN 芯片上，并提供單個(gè)設(shè)備所需的最關(guān)鍵功能。因此，除了優(yōu)化太陽(yáng)能系統(tǒng)效率和功率容量外，集成 GaN 電源 IC 還降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性、成本和尺寸（與 GaN E-HEMT 分立設(shè)計(jì)相比）。GaN 功率 IC 的保護(hù)特性和 ESD 穩(wěn)健性進(jìn)一步提升了其作為功率晶體管的首選地位。

最新的 GaN 功率 IC 單片集成了 GaN 功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能，以高速控制和保護(hù) GaN 功率開(kāi)關(guān)。

圖 2：集成 GaNFast 電源 IC

這些 GaNFast 器件由 Navitas 開(kāi)發(fā)，基于橫向 650-V e-mode GaN-on-Si 技術(shù)，并使用該公司專有的 AllGaN 工藝設(shè)計(jì)套件進(jìn)行開(kāi)發(fā)。GaNFast IC 本質(zhì)上是易于使用、高速、高性能、“數(shù)字輸入、電源輸出”的構(gòu)建塊，需要最少的附加電路。除了簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)之外，集成還可以實(shí)現(xiàn)幾乎零關(guān)斷損耗，因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)環(huán)路的阻抗基本上為零。同時(shí)，可以針對(duì)目標(biāo)太陽(yáng)能應(yīng)用的特定要求來(lái)控制和定制開(kāi)啟性能。GaNFast 產(chǎn)品組合適用于額定功率為 350 W 至 10 kW 的太陽(yáng)能實(shí)施方案。

與大多數(shù)大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用一樣，太陽(yáng)能電池板和存儲(chǔ)逆變器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)之一是有效的熱管理，這樣任何多余的熱量都不會(huì)影響性能或使用壽命?；?GaN 的解決方案的高效率有助于簡(jiǎn)化這一挑戰(zhàn)，但這可能會(huì)被增加的功率密度所抵消，并且不一定完全消除它。為此，Navitas 創(chuàng)建了其 GaN 功率 IC 的熱增強(qiáng)版本。這些器件包含一個(gè)大型冷卻墊，支持頂部和底部冷卻，并在使用電流檢測(cè)電阻器時(shí)確保增強(qiáng)的熱性能。

最近，Navitas 發(fā)布了集成精密傳感的集成電源 IC，將提高太陽(yáng)能應(yīng)用的效率、自主性和可靠性，并進(jìn)一步降低每瓦成本。當(dāng)與集成驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合時(shí)，專有的片上 GaNSense 技術(shù)可對(duì)系統(tǒng)電流、電壓和溫度進(jìn)行精確和可配置的傳感，使 GaN IC 不僅能夠檢測(cè)高風(fēng)險(xiǎn)條件，而且可以根據(jù)該信息采取行動(dòng)，從而保護(hù) IC和系統(tǒng)免受任何故障條件的影響。結(jié)果是一個(gè)非常堅(jiān)固、保護(hù)良好且高度可靠的設(shè)備，無(wú)需外部監(jiān)控組件，這些組件傳統(tǒng)上會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗、設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本。

可靠性

在采用任何新技術(shù)時(shí)，客戶尋求長(zhǎng)期可靠性保證是很自然的。Navitas 的質(zhì)量方法基于六個(gè)基本要素：

通過(guò)定義具有設(shè)計(jì)質(zhì)量和可靠性的產(chǎn)品來(lái)超越客戶的期望。

與客戶合作，共同開(kāi)發(fā)質(zhì)量?jī)?yōu)化的系統(tǒng)解決方案。

與主要供應(yīng)商合作，共同開(kāi)發(fā)確保質(zhì)量和可靠性的流程。

開(kāi)發(fā)針對(duì)新技術(shù)和目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化的關(guān)鍵和專有測(cè)試技術(shù)。

以持續(xù)的風(fēng)險(xiǎn)識(shí)別和緩解為重點(diǎn)，進(jìn)行持續(xù)而詳盡的資格認(rèn)證、驗(yàn)證和監(jiān)控。

逐個(gè)客戶、逐個(gè)應(yīng)用程序和逐個(gè)市場(chǎng)地展示基準(zhǔn)可靠性。

質(zhì)量至關(guān)重要。截至 2021 年 10 月，超過(guò) 3000 萬(wàn)個(gè) GaNFast 功率 IC 出貨時(shí)報(bào)告的 GaN 場(chǎng)故障為零。自 2015 年以來(lái)，該公司一直與主要的太陽(yáng)能原始設(shè)備制造商合作，以展示特定應(yīng)用的可靠性。其中一家公司 Enphase 是全球領(lǐng)先的基于微型逆變器的太陽(yáng)能加儲(chǔ)能系統(tǒng)供應(yīng)商，最近評(píng)論說(shuō) “這是硅的終點(diǎn)” ，并且“氮化鎵在重要系統(tǒng)中提供十倍的開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)勢(shì)成本優(yōu)勢(shì) ［并且］ 因此針對(duì) Enphase 微型逆變器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化?！?/p>

圖 3：納維質(zhì)量理念的六個(gè)關(guān)鍵要素

未來(lái)

展望未來(lái)，GaN 將在實(shí)現(xiàn)加速采用太陽(yáng)能的目標(biāo)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。Navitas 估計(jì)，住宅太陽(yáng)能應(yīng)用中的 GaN 芯片市場(chǎng)每年可達(dá)到 10 億美元，并且 GaN 電源 IC 有可能將逆變器成本降低多達(dá) 25%，同時(shí)節(jié)省 40% 或更多的能源。

圖 4：GaN 可降低逆變器成本和功耗。

每瓦成本的這些改進(jìn)將使住宅客戶的太陽(yáng)能投資回收期（收回硬件安裝成本所需的時(shí)間）減少約 10%。

圖 5：GaNFast IC 為 PV 逆變器和 ESS 提供解決方案?！　?/p>