? 三、 無(wú)源器件的大功率實(shí)時(shí)測(cè)量方法 無(wú)源器件的大功率性能可以通過(guò)其在大功率條件下S參數(shù)的變化量來(lái)表征,因此無(wú)源器件的大功率實(shí)時(shí)測(cè)量可以采用標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析儀的原理。圖2是一個(gè)標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析
2023-08-21 09:29:49
983 
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體管)。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:21
2799 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:11
3112 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
1220 極大地增加了GaN晶體管柵極的應(yīng)力。需要注意的一點(diǎn)是,任何FET的柵極上的過(guò)應(yīng)力都會(huì)對(duì)可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。柵極環(huán)路電感還會(huì)對(duì)關(guān)斷保持能力產(chǎn)生巨大影響。當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">管器件的柵極保持在關(guān)閉電壓時(shí),并且高管器件接通
2018-08-30 15:28:30
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài),對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析,并同其他微波器件進(jìn)行了比較,展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器,轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs,這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步,我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì),從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識(shí)”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET))的功率電平的日益增加,當(dāng)安裝在精心設(shè)計(jì)的放大器電路中時(shí),它們也將受到連接器等器件甚至印刷電路板(PCB)材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率器件或系統(tǒng)的不同部件的限制
2019-06-21 07:43:10
MOSFET又叫功率場(chǎng)效應(yīng)管或者功率場(chǎng)控晶體管。其特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)功率小,速度高,安全工作區(qū)寬。但高壓時(shí),導(dǎo)通電阻與電壓的平方成正比,因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難。適合低壓100V以下,是比較理想的器件
2018-05-08 10:08:40
大功率晶體三極管的檢測(cè) 利用萬(wàn)用表檢測(cè)中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法,對(duì)檢測(cè)大功率三極管來(lái)說(shuō)基本上適用。但是,由于大功率三極管的工作電流比較大,因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
功率器件從整體上可以分為不可控器件、半可控器件和全可控器件。
2019-09-17 09:01:55
1200AC:脈沖恒流源50uS~300uSD:Vce測(cè)量精度2mVE:Vce測(cè)量范圍0~8VF:電腦圖形顯示界面G:被測(cè)量器件智能保護(hù)二:應(yīng)用范圍A:大功率IGBT(雙極型晶體管)B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管
2015-03-11 13:51:32
有做大功率PCB板的朋友嗎,電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
與小功率TVS管有何區(qū)別等等問(wèn)題。小編今天帶來(lái)的是大功率TVS管方方面面知識(shí),一起來(lái)看看吧。何為大功率TVS二極管?TVS二極管,是一種新型高效電路保護(hù)器件,憑借快速響應(yīng)時(shí)間、大瞬態(tài)功率、低漏電
2018-09-27 17:36:26
一、PN結(jié):大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣,大功率TVS二極管有很大的散熱片,而小功率TVS二極管沒(méi)有;二、結(jié)電容:大功率TVS的結(jié)電容可高達(dá)上百pF;小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18
在小型的升降壓電路中,BUCK和BOOST電路利用電感實(shí)現(xiàn)主拓?fù)浠芈返纳祲?,區(qū)別在于電感和開(kāi)關(guān)管的位置不一樣,但是請(qǐng)問(wèn)在大功率例如幾十上百KW的DC-DC或者有源整流和同步整流,也是利用大功率電感
2024-01-17 16:26:41
與封裝材料。大的耗散功率,大的發(fā)熱量,高的出光效率給LED封裝工藝,封裝設(shè)備和封裝材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片,國(guó)際上通常的制造大功率LED芯片
2013-06-10 23:11:54
全國(guó)電子設(shè)計(jì)比賽要到了,不知道要備些哪些芯片,不管賽題類(lèi)型。大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2015-06-03 18:13:47
尋求有做過(guò)大功率短波項(xiàng)目的人員,27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦,主要涉及信號(hào)震蕩,選頻,放大,耦合,控制精度較高,需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開(kāi)關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類(lèi)元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中,將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。 先來(lái)看一下晶體管的分類(lèi)與特征
2020-06-09 07:34:33
題,從眾多晶體管中選取功率類(lèi)元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中,將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容,來(lái)看一下晶體管的分類(lèi)與特征。Si晶體管的分類(lèi)Si晶體管的分類(lèi)根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
彩色電視機(jī)中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V,耗散功率應(yīng)大于或等于50W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機(jī)行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
效率低下,發(fā)熱嚴(yán)重。GaN HEMT(氮化鎵晶體管)可以替代高壓高頻電動(dòng)機(jī)應(yīng)用中的MOSFET和IGBT器件,這類(lèi)參數(shù)比較寬的半導(dǎo)體器件為大功率密度電動(dòng)機(jī)開(kāi)辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域,它們可以處理更高的電壓、電流
2019-07-16 20:43:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類(lèi)模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類(lèi)模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專(zhuān)為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類(lèi)模式運(yùn)行時(shí),此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專(zhuān)為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類(lèi)模式下工作時(shí),該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專(zhuān)為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
,維修費(fèi)用高,器件參數(shù)把控難,供貨時(shí)間長(zhǎng)等因素都應(yīng)該在產(chǎn)品化時(shí)慎重考慮。盡管普通晶閘管存在關(guān)斷困難的缺點(diǎn),如果能夠加以解決,仍然是近期大功率斬波應(yīng)用的主導(dǎo)方向,理由是普通晶閘管的其它優(yōu)點(diǎn)是晶體管無(wú)法替代的。
2018-10-17 10:05:39
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿(mǎn)足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線(xiàn)借助于
2017-08-14 14:41:32
`產(chǎn)品型號(hào):NPTB00025B產(chǎn)品名稱(chēng): 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100%射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
為滿(mǎn)足晶體管用戶(hù)的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線(xiàn)通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言,為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿(mǎn)足晶體管用戶(hù)的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線(xiàn)通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言,為這些
2019-07-09 08:17:05
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識(shí)”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是
2018-11-28 14:34:33
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹?!钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗,但阻值相同的話(huà)就可以縮小元件(芯片)的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí),有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
及不可控型;或按驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)性質(zhì)分為電壓驅(qū)動(dòng)型、電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類(lèi)別。常用到的功率半導(dǎo)體器件有Power Diode(功率二極管)、SCR(晶閘管)、GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(大功率電力
2019-02-26 17:04:37
中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
,GaN完勝。塊體GaN電子遷移率是硅的兩倍多,而二維電子氣形態(tài)的GaN電子遷移率則是硅的四倍。正如GaN具有高臨界擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率,GaN也具有遠(yuǎn)高于硅的載流子飽和速度?! ⊥该?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的障礙
2020-11-27 16:30:52
大于5W的晶體管稱(chēng)為大功率晶體管。4.4 特性頻率(fT)當(dāng)晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,電流放大因子β會(huì)隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的微小變化非常敏感。由于這個(gè)原因,達(dá)林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達(dá)林頓專(zhuān)為光敏電路而設(shè)計(jì)。 輸出側(cè)通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管,它可以控制電機(jī),電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等功率
2023-02-16 18:19:11
的瞬變電壓,以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過(guò)電壓?! VS管根據(jù)環(huán)境需要,大功率TVS管和小功率TVS管應(yīng)該區(qū)分使用,那么他們有哪些區(qū)別? 1、結(jié)電容:小功率TVS管結(jié)電容可做到0.3pF以下;大功率TVS管
2019-01-07 14:51:11
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開(kāi)啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
在過(guò)去的十多年里,行業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么?小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么?
2022-01-14 07:09:46
能,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的IGCT仿真模型,不能滿(mǎn)足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現(xiàn)象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學(xué)模型法、集
2010-04-24 09:07:39
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位,但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率,但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器(如LLC)對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
650V的MOSFET。根據(jù)應(yīng)用程序的要求,開(kāi)發(fā)人員可以針對(duì)最高效率,最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復(fù)”行為,GaN晶體管使得一些拓?fù)鋵?shí)際上可用,例如圖騰柱PFC,其需要比傳統(tǒng)
2023-02-27 15:53:50
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管和氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET))的功率電平的日益增加,當(dāng)安裝在精心設(shè)計(jì)的放大器電路中時(shí),它們也將受到連接器等元件甚至印刷電路板(PCB)材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率元件或系統(tǒng)的不同部件的限制有助于回答這個(gè)長(zhǎng)久以來(lái)的問(wèn)題。
2019-06-21 08:03:27
,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類(lèi)似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制,單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
的瞬變電壓,以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過(guò)電壓。 TVS二極管根據(jù)環(huán)境需要,大功率TVS管和小功率TVS管可以這樣區(qū)分選擇: 1、結(jié)電容:小功率TVS管結(jié)電容可做到0.3pF以下;大功率TVS管寄結(jié)電容高達(dá)上百
2020-08-14 16:55:28
大功率容量等特點(diǎn),成為發(fā)較快的寬禁帶器件。GaN功率管因其高擊穿電壓、高線(xiàn)性性能、高效率等優(yōu)勢(shì),已經(jīng)在無(wú)線(xiàn)通信基站、廣播電視、電臺(tái)、干擾機(jī)、大功率雷達(dá)、電子對(duì)抗、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用和良好
2017-06-16 10:37:22
導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33
在風(fēng)力發(fā)電儲(chǔ)能的場(chǎng)合中,大功率DC-DC的拓?fù)鋱D是怎么樣的,主要功率器件是用的什么?
2024-01-23 10:16:57
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開(kāi)關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;
(1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 大功率器件的關(guān)鍵是準(zhǔn)直器,而準(zhǔn)直器的關(guān)鍵是功率場(chǎng)的分布,而光功率場(chǎng)的分布取決于加熱源溫度場(chǎng)的分布,本文提出的加熱源可以提高光功率分布性能,從而廉價(jià)獲得高性
2010-11-23 16:04:22
0
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:40
3188 
大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;
(1)容易關(guān)斷,
2009-07-29 16:09:52
1762 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06
349 
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線(xiàn)性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:56
10381 
晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:15
0 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
15 IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔,是一份不錯(cuò)的參考資料,感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:19
50 在知道大功率器件之前,我們要先知道功率器件是什么意思,功率器件是電子元件和電子器件的總稱(chēng),是電子裝置中,電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦愿淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等的功能。
2022-06-10 14:21:25
2554 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11
426 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:38
1 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:24
1038 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:59
2056 如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力
2023-11-23 09:04:48
148 
晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41
667
評(píng)論