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編輯：黃飛
高功率GaN晶體管大功率器件的器件設(shè)計
- GaN晶體管(7885)
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GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件
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2023-12-27 09:11:366224
62242SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管
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2025-06-05 10:18:15
GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性
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2018-01-15 11:59:52
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大功率TVS管與小功率TVS管的區(qū)別
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IB0810M210功率晶體管
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IB2729M170大功率脈沖晶體管
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2021-04-01 09:48:36
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IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用
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2018-10-17 10:05:39
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
RF功率晶體管耐用性的三個電氣參數(shù)驗證
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Si功率元器件前言
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什么是RF功率晶體管耐用性驗證方案？
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2019-08-22 06:13:27
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2023-02-27 09:37:29
氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢
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消費類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
大功率容量等特點，成為發(fā)較快的寬禁帶器件。GaN功率管因其高擊穿電壓、高線性性能、高效率等優(yōu)勢，已經(jīng)在無線通信基站、廣播電視、電臺、干擾機、大功率雷達、電子對抗、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用和良好
2017-06-16 10:37:22
高頻中、大功率晶體管
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計算機領(lǐng)
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24大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
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2010-02-06 10:23:4943
43大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設(shè)計，分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:404644
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大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖
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2009-07-29 16:09:522117
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TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
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TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5612279
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大功率晶體管的步進應(yīng)力加速壽命試驗
加速壽命試驗廣泛地用于在短時間內(nèi)預(yù)測元器件的壽命。本文介紹用步進應(yīng)力加速壽命試驗估計 大功率晶體管 的激活能和壽命。本試驗采用溫度斜坡模型，試驗結(jié)果在和經(jīng)驗數(shù)據(jù)做比
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50晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放
晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放開關(guān)。
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0Ampleon推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管
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2018-09-30 16:41:003380
3380大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
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2247大功率晶體管優(yōu)缺點及輸出形式
大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:594137
4137森國科推出大功率IGBT分立器件
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:131041
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GaN晶體管的優(yōu)點是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實現(xiàn)上述目標，隨著該項技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694
694GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439
3439GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景，并結(jié)合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203066
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