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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>高功率GaN晶體管大功率器件的器件設(shè)計(jì)

高功率GaN晶體管大功率器件的器件設(shè)計(jì)

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有做大功率PCB板的朋友嗎,電流要200A左右
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2020-06-09 07:34:33

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2020-11-27 16:30:52

什么是晶體管 晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)

大于5W的晶體管稱(chēng)為大功率晶體管。4.4 特性頻率(fT)當(dāng)晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,電流放大因子β會(huì)隨著頻率的增加而降低。特征頻率是晶體管β值降低到1的頻率。特征頻率小于或等于
2023-02-03 09:36:05

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

什么是基于SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiC 和 GaN功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

什么是達(dá)林頓晶體管?

的微小變化非常敏感。由于這個(gè)原因,達(dá)林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達(dá)林頓專(zhuān)為光敏電路而設(shè)計(jì)。  輸出側(cè)通常是功率、低增益的。使用非常功率晶體管,它可以控制電機(jī),電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等功率
2023-02-16 18:19:11

分析大功率TVS和小功率TVS管有何區(qū)別?

的瞬變電壓,以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過(guò)電壓?! VS根據(jù)環(huán)境需要,大功率TVS和小功率TVS應(yīng)該區(qū)分使用,那么他們有哪些區(qū)別?  1、結(jié)電容:小功率TVS結(jié)電容可做到0.3pF以下;大功率TVS
2019-01-07 14:51:11

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開(kāi)啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20

基于GaN的開(kāi)關(guān)器件

在過(guò)去的十多年里,行業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)大功率寬頻帶線(xiàn)性射頻放大器設(shè)計(jì)概述

情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么?

大功率TVS和小功率TVS是有應(yīng)用區(qū)別是什么?小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么?
2022-01-14 07:09:46

新型高壓大功率器件IGCT的建模與仿真

能,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的IGCT仿真模型,不能滿(mǎn)足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現(xiàn)象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學(xué)模型法、集
2010-04-24 09:07:39

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位,但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率,但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器(如LLC)對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

650V的MOSFET。根據(jù)應(yīng)用程序的要求,開(kāi)發(fā)人員可以針對(duì)最高效率,最大功率密度或兩者之間的折衷。  由于其“0反向恢復(fù)”行為,GaN晶體管使得一些拓?fù)鋵?shí)際上可用,例如圖騰柱PFC,其需要比傳統(tǒng)
2023-02-27 15:53:50

消費(fèi)類(lèi)電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN晶體管

針對(duì)可靠的功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25

電子元件能處理多大的功率?

半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管和氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET))的功率電平的日益增加,當(dāng)安裝在精心設(shè)計(jì)的放大器電路中時(shí),它們也將受到連接器等元件甚至印刷電路板(PCB)材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率元件或系統(tǒng)的不同部件的限制有助于回答這個(gè)長(zhǎng)久以來(lái)的問(wèn)題。
2019-06-21 08:03:27

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類(lèi)似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制,單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。電壓(600V)氮化鎵(GaN電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

瞬態(tài)抑制二極大功率和小功率的選擇

的瞬變電壓,以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過(guò)電壓。 TVS二極根據(jù)環(huán)境需要,大功率TVS和小功率TVS可以這樣區(qū)分選擇: 1、結(jié)電容:小功率TVS結(jié)電容可做到0.3pF以下;大功率TVS寄結(jié)電容高達(dá)上百
2020-08-14 16:55:28

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

大功率容量等特點(diǎn),成為發(fā)較快的寬禁帶器件。GaN功率管因其擊穿電壓、線(xiàn)性性能、高效率等優(yōu)勢(shì),已經(jīng)在無(wú)線(xiàn)通信基站、廣播電視、電臺(tái)、干擾機(jī)、大功率雷達(dá)、電子對(duì)抗、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用和良好
2017-06-16 10:37:22

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

  導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26

請(qǐng)問(wèn)大功率的電子元器件有哪些

大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33

請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有大功率DC-DC的拓?fù)鋱D?

在風(fēng)力發(fā)電儲(chǔ)能的場(chǎng)合中,大功率DC-DC的拓?fù)鋱D是怎么樣的,主要功率器件是用的什么?
2024-01-23 10:16:57

高頻中、大功率晶體管

高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開(kāi)關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19

中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:3824

大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù)

大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù) 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是; (1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943

大功率器件中改進(jìn)光功率場(chǎng)分布的方法

大功率器件的關(guān)鍵是準(zhǔn)直器,而準(zhǔn)直器的關(guān)鍵是功率場(chǎng)的分布,而光功率場(chǎng)的分布取決于加熱源溫度場(chǎng)的分布,本文提出的加熱源可以提高光功率分布性能,從而廉價(jià)獲得高性
2010-11-23 16:04:220

大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用 摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:403188

大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖

大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù) (一)控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是; (1)容易關(guān)斷,
2009-07-29 16:09:521762

大功率晶體管的修理

大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì) 0 引言   TIP41C是一種中壓低頻大功率線(xiàn)性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381

晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放

晶體管,大功率晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150

耐用型大功率LDMOS晶體管介紹

  本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515

IGBT器件大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)

IGBT器件大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔,是一份不錯(cuò)的參考資料,感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950

典型的大功率器件包括哪些 其優(yōu)勢(shì)是什么

在知道大功率器件之前,我們要先知道功率器件是什么意思,功率器件是電子元件和電子器件的總稱(chēng),是電子裝置中,電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦愿淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等的功能。
2022-06-10 14:21:252554

深度解析GaN功率晶體管技術(shù)及可靠性

GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C

100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038

大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式

大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592056

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力
2023-11-23 09:04:48148

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41667

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