;2024一起加油\"則表達(dá)了大家共同努力，相互支持的決心和信念。
在2024年，無(wú)論你的目標(biāo)是什么，都希望你能保持這種積極的心態(tài)，勇敢地面對(duì)挑戰(zhàn)，不斷地學(xué)習(xí)和進(jìn)步。同時(shí)，也希望大家能夠相互鼓勵(lì)，共同前進(jìn)，一起創(chuàng)造更美好的未來(lái)。
所以，讓我們在2024年一起加油，為實(shí)現(xiàn)我們的夢(mèng)想和目標(biāo)而努力！
2024-02-26 21:01:12
任何工具和工具知識(shí)。將ECAD設(shè)計(jì)人員，采購(gòu)人員，電路板制造商和裝配商連接在一起，使他們能以前所未有的方式一起協(xié)同工作。這是一個(gè)隔離且安全的環(huán)境，您可在其中定義團(tuán)隊(duì)成員，配置等。它是一個(gè)存儲(chǔ)您所有
2021-03-12 15:59:24
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在減小尺寸和重量的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于倉(cāng)儲(chǔ)和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)自行車(chē)和電動(dòng)滑板車(chē)、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
的器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，我們所使用的GaN特定測(cè)試方法遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了傳統(tǒng)硅質(zhì)量鑒定做法。
借助于合格的器件，電源設(shè)計(jì)人員能夠實(shí)現(xiàn)GaN的滿功率運(yùn)行，打破市場(chǎng)普及阻礙，而最為重要的一點(diǎn)是，使我們有可能生活在一個(gè)能效
2018-08-31 06:50:34
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今，已過(guò)去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一
2022-06-14 11:11:16
早已摩拳擦掌，嚴(yán)陣以待，紛紛推出了順應(yīng)市場(chǎng)的配件產(chǎn)品。而當(dāng)各大主流手機(jī)廠商把氮化鎵快充做為手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配件時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈將迎來(lái)一個(gè)新的發(fā)展高峰。面對(duì)氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā)，你準(zhǔn)備好了嗎？我準(zhǔn)備好了，你呢？我們一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)，如主動(dòng)有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡(jiǎn)單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場(chǎng)發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟(jì)高效的替代品，并成為實(shí)現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計(jì)人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
德州儀器在線支持社區(qū)氮化鎵解決方案論壇，與同行工程師和TI專家一起尋找解決方案、獲得幫助、分享知識(shí)和解決問(wèn)題。
1-分布式能源系統(tǒng)和輸配電應(yīng)用的電力電子技術(shù)，ORNL，2005年
?
原文鏈接
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
應(yīng)對(duì)能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施獨(dú)一無(wú)二的出色半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴(kuò)展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
。為了確保可靠性和穩(wěn)健耐用性，在對(duì)TI的器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，TI所使用的GaN特定測(cè)試方法的有效性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了傳統(tǒng)硅質(zhì)量鑒定做法。借助于合格的器件，電源設(shè)計(jì)人員能夠實(shí)現(xiàn)GaN的滿功率運(yùn)行，從而打破市場(chǎng)普及阻礙，而最為重要的一點(diǎn)是，這使我們有可能生活在一個(gè)能效更高的世界中。
2018-08-30 15:28:26
大家一起來(lái)學(xué)哈
2013-03-14 00:04:56
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長(zhǎng)征程中的一個(gè)里程碑。截至今天，MACOM通過(guò)化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，射頻性能和可靠
2018-02-12 15:11:38
工具包也可以單獨(dú)，或者與其他遠(yuǎn)程編程或嵌入任意數(shù)量的射頻矢量（功率、相位、頻率、時(shí)間和能量）的控制器一起運(yùn)行復(fù)雜配方，以控制復(fù)雜或可變的過(guò)程。該工具連接到功率放大器 - 無(wú)需特殊集成。我將它看作射頻能量
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說(shuō)是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯
VS1053 Hifi Player 資料共享 讓我們一起打造完美聽(tīng)覺(jué)感受
2012-12-27 10:55:43
這些成年程序猿，攻城獅來(lái)說(shuō)，學(xué)習(xí)好，掌握好鴻蒙并不是一件很困難的事。期待國(guó)產(chǎn)系統(tǒng)光芒萬(wàn)丈，讓我們一起參與進(jìn)來(lái)吧！
2021-05-10 15:11:15
`歡樂(lè)可以無(wú)限放大，因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">一起。大學(xué)四年了，直到臨近畢業(yè)才發(fā)現(xiàn)我們四班是如此的團(tuán)結(jié)，耳邊響起班歌《愛(ài)因?yàn)樵谛闹小?，大學(xué)在一起的點(diǎn)點(diǎn)滴滴就在眼前。。。我的大學(xué)我的班。`
2012-05-16 08:37:48
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領(lǐng)著提倡開(kāi)發(fā)和實(shí)施全面性方法，確保在嚴(yán)苛操作環(huán)境下，GaN設(shè)備也能夠可靠地運(yùn)行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34
推廣應(yīng)用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學(xué)的森勇介教授，一直在從事高品質(zhì)的半導(dǎo)體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對(duì)未來(lái)的應(yīng)用前景產(chǎn)生的影響，森教授進(jìn)行了訪談。目前，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
并排放在一起看看，內(nèi)置氮化鎵充電器輸出功率達(dá)到27W，APPLE USB-C充電器輸出功率30W，兩者功率相差不大，但體積上卻是完全不同的級(jí)別，內(nèi)置氮化鎵充電器比蘋(píng)果充電器體積小40%。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。第一步：元器件選型對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢(shì)，但在設(shè)計(jì)上也帶來(lái)一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管后，只需一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管就能取代兩顆傳統(tǒng)硅MOS了。氮化鎵開(kāi)關(guān)管內(nèi)部沒(méi)有體二極管，只需一顆即可實(shí)現(xiàn)雙向開(kāi)關(guān)，完全阻斷電池的充電和放電電流。氮化鎵具有低導(dǎo)阻高效率優(yōu)勢(shì)，使用一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管
2023-02-21 16:13:41
過(guò)程中不可或缺的一部分，因?yàn)殡娚唐放颇軌蚋鶕?jù)客戶的痛點(diǎn)，更加快速開(kāi)發(fā)出貼近市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。比如為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的便攜性，氮化鎵快充配件越來(lái)越趨向于采用折疊插腳。同時(shí)為了讓產(chǎn)品能夠全球通用，部分產(chǎn)品還設(shè)計(jì)了可
2021-04-16 09:33:21
降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過(guò)加大控制來(lái)改進(jìn)工藝的機(jī)會(huì)持續(xù)增多，MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，以應(yīng)用最佳實(shí)踐并通過(guò)我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實(shí)現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28
考慮問(wèn)題。TI將系統(tǒng)組件與行業(yè)專業(yè)知識(shí)很好地融合在一起，為我們在這一領(lǐng)域取得成功提供了保障。同時(shí)，TI也正針對(duì)電源應(yīng)用領(lǐng)域加速采用并推廣具有合適封裝方式、高性能和高可靠性的GaN技術(shù)，從而為其提供更廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間。
2018-08-30 15:05:40
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動(dòng)硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異?！ ◎?qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
會(huì)可以組織線下活動(dòng)，認(rèn)識(shí)更多志同道合的工程師哦那么版主們需要做些什么才能一起推動(dòng)我們共同目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)呢？1、我們可以一起策劃話題，提高論壇活躍度2、平時(shí)在論壇逛的時(shí)候，可以多多與壇友交流，維護(hù)論壇氛圍3
2017-02-24 14:25:33
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
回融反應(yīng)。 氮化鎵和硅整合在一起很困難，前面做了很多工作，比如硅襯底表面刻槽，氮化鎵超晶格緩沖層，這些可以實(shí)現(xiàn)無(wú)裂紋，這是基本可行的路線。晶格失配17%，這個(gè)會(huì)影響材料的性能，現(xiàn)在生產(chǎn)到4微米氮化鎵沒(méi)有
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
前景，但氧化鎵不太可能挑戰(zhàn)砷化鎵或氮化鎵在所有射頻應(yīng)用中的地位。了解到它本質(zhì)上是一款很好的開(kāi)關(guān)后，我們希望它在開(kāi)關(guān)模式放大器（如D類、E類，或F類）中具備優(yōu)勢(shì)。在這些放大器中，該器件運(yùn)行時(shí)的導(dǎo)通電阻非常
2023-02-27 15:46:36
` 好久沒(méi)發(fā)帖了，今天也來(lái)曬曬那些年我們一起做過(guò)的垃圾示波器，廢話不多說(shuō)，直接上圖`
2013-06-09 21:02:53
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我們全新的白皮書(shū)：“用一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過(guò)閱讀博文“我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
2022-11-02 08:16:30
1 我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
2022-11-03 08:04:272
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