DCM及CRM的關(guān)斷階段 - 智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B介紹

3.4 DCM及CRM的關(guān)斷階段

　　一旦SR的MOSFET導(dǎo)通，會一直保持到整流電流減下來使VDS達到閾值VTH1時進入關(guān)斷，這和導(dǎo)通時工作模式相關(guān)。

　　在DCM中，電流跨過閾值有相對低的di/dt。一旦跨過閾值，電流會再次流入體二極管，又使VDS電壓跳向負(fù)電平，它取決于電流總量。為防VDS又去觸發(fā)MOSFET到導(dǎo)通，在VTH2之后加入一段消隱時間tblank，在到達VTH1后。消隱時間由IC內(nèi)設(shè)置。當(dāng)VDS電壓變正進入VTH2時，消隱時間也由IC內(nèi)設(shè)置，當(dāng)VDS電壓變正進入VTH3時，消隱時間終止。IC進入下一周期工作。DCM模式的工作波形見圖4。

　　3.5 CCM關(guān)斷階段

　　在CCM模式時，關(guān)斷過程要陡峭得多，di/dt免不了會更高。導(dǎo)通階段對DCM及CRM是理想的，但此時不能重復(fù)。在同步整流MOSFET導(dǎo)通階段，電流將線性地衰減，因此同步整流MOSFET的VDS將升上來。一旦初級開關(guān)開始返回導(dǎo)通狀態(tài)。同步整流MOSFET的電流會迅速減小，其壓降跨過VTH閾值而關(guān)斷，具體見圖5。

　　關(guān)斷速度較臨界，為防止初級的交叉導(dǎo)通，并減少開關(guān)損耗，此時要一段消隱時間加入，但此階段要給出非常快的動作速度，隨著VDS達到VTH3迅速復(fù)位。

　　圖6給出二次側(cè)的DCM、CRM和CCM的工作波形。圖7給出最大允許的VCC電壓和不同負(fù)載的最高開關(guān)頻率關(guān)系。

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30W快充應(yīng)用同步整流icU711X30W快充應(yīng)用同步整流icU711X推薦應(yīng)用范圍：U7116，輸出電壓3~21V，輸出電流≤3A；U7110，輸出電壓3~21V，輸出電流≤4A，是一款高頻率

2023-09-08 08:12:29

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LP35118L 隔離型的同步整流IC

一級代理商原裝，庫存現(xiàn)貨，技術(shù)支持，價格優(yōu)勢 LP35118L 隔離型的同步整流IC 產(chǎn)品介紹：LP35118L 是一款高性能高耐壓的

2022-07-08 10:49:42

銀聯(lián)寶同步整流ic U7610的技術(shù)與應(yīng)用

同步整流電源能夠在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的機架內(nèi)，先進的同步整流電源的功率是傳統(tǒng)非同步電源功率的兩倍。

2023-05-26 09:59:01

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同步整流技術(shù)的新進展

同步整流技術(shù)的出現(xiàn),正好順應(yīng)了這個要求。該技術(shù)采用低導(dǎo)通阻抗的功率MOS 管代替肖管,起整流管的作用,使MOS 整流管上的損耗降到肖管損耗的1/ 3 以下。50V/ 70A/ 8mΩ ,30V/ 70A/ 7mΩ 等系

2009-10-17 15:06:47

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器損耗的探討

PIC是電源用IC（在這里為功率晶體管外置同步整流降壓轉(zhuǎn)換器用控制器IC）的電源電流?；旧鲜?b style="color: red">IC本身消耗的電流，是自身消耗電流。

2020-04-05 10:04:00

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IR推出高度緊湊的10A AUIR08152S柵級驅(qū)動IC

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出高度緊湊的AUIR08152S車用柵級驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具備超過10A的大電流輸出，可以幫助汽車級和工業(yè)級大功率開關(guān)應(yīng)用縮減系統(tǒng)尺寸、提升性能。

2013-12-10 15:13:45

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