EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth的縮寫。 用這個(gè)方法可以從硅中熔煉出8角形的管子, 棱長(zhǎng)10厘米, 總長(zhǎng)可以到5米,可以切割成10x10厘米晶片。優(yōu)點(diǎn)是切割損耗少。

　　EG-Si, Elecronic Grade Silizium的縮寫, 用于芯片制作的高純度硅。

　　Electrolyte, 電解質(zhì)。

　　Elektron, 電子。

　　Elektronen-Loch-Paar, 電子空穴對(duì), 半導(dǎo)體吸收一個(gè)光子, 釋放出一個(gè)電子和一個(gè)空穴。

　　Enclosure, 包裝，防風(fēng)雨模塊的保護(hù)。 例如玻璃，等材料。

　　EVA, Ethylen-Venyl-Acetat的縮寫。 封裝太陽(yáng)能電池板的薄膜。

　　F

　　Fresnel lens:菲涅爾透鏡;用微分切割原理制成的薄板式透鏡。

　　FZ, float-zone-procedure的縮寫。

　　G

　　GaAs, Galllium Arsenid的縮寫。半導(dǎo)體, 被用于太陽(yáng)能電池板時(shí), 效率可達(dá)22%。

　　Geometrical concentrator ratio:幾何聚光率;聚光器面積與太陽(yáng)電池面積之比叫幾何聚光率。

　　Grid, 太陽(yáng)能電池板上的金屬導(dǎo)線。電阻越小越好, 這樣能量損失少。

　　H

　　Hole saw, 空穴鋸，空穴鋸是一個(gè)非常薄的金屬片，就像耳膜一樣薄，這個(gè)薄片在正中央有一個(gè)洞，它的邊緣使用金剛石刀。使用該薄片切割使損耗在0.2到0.3微米之間。

　　Hole, 空穴，正的帶電體，在半導(dǎo)體接收光照后，和電子同時(shí)出現(xiàn)的帶電體，一般成為空穴電子對(duì)。

　　Hot Spot, 熱點(diǎn)，在電池板部分被陰影遮擋時(shí)，被遮擋的單元不能發(fā)電同時(shí)有很大的電阻，對(duì)于串聯(lián)的電路會(huì)有很大的熱損耗，甚至燒壞該點(diǎn)的電池板。 為了避免此情況的發(fā)生，旁路二極管與各自的單元并聯(lián)。從而便免歐姆的熱損失。

　　I

　　I：電流的縮寫，國(guó)際單位為安培

　　Indium-Zinn-Oxid： 縮寫(ITO)， 銦鋅氧化物，透明的半導(dǎo)體，并具有很高的導(dǎo)電性，作為透明接觸層應(yīng)用于對(duì)很薄的電池板單元或是彩色物質(zhì)單元。

　　Ingo: 從多晶硅或是單晶硅提煉出的塊狀物。

　　Integrated serial switching：集成的串聯(lián)技術(shù)，在生產(chǎn)大面積的電池板時(shí)應(yīng)用于薄膜技術(shù)。 在生產(chǎn)過(guò)程中大面積的電池板單元被激光束裁成單個(gè)的薄片，但是這個(gè)薄片的上表面要和鄰居薄片的下表面組成串聯(lián)。集成的串聯(lián)技術(shù)是除了節(jié)省材料外的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)的薄膜技術(shù)。

　　Intensity： 光照強(qiáng)度， 物理測(cè)量的單位面積的光照功率，單位是瓦特每平方米。

　　Intrinsic：描述一個(gè)沒(méi)有摻雜的半導(dǎo)體和一個(gè)摻雜半導(dǎo)體的對(duì)比。

　　Inverter：逆變器，將變化的MPP由太陽(yáng)能電池板提供的直流電轉(zhuǎn)化為電網(wǎng)交流電的變頻器。

　　Ion： 離子，分正和負(fù)的原子或者分子，離子在電解液里起到導(dǎo)電的作用。

　　ISC：短路電流。

　　Island system：孤島系統(tǒng)，是不和大電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，只是供自己使用的光伏系統(tǒng)，例如只是在山里或是小島上的光伏發(fā)電系統(tǒng)。

　　ITO：是銦銻氧化物的縮寫。

　　I-U-characteristic curve： 電池板I-U特征曲線，代表太陽(yáng)能電池的典型特征。 在這里太陽(yáng)能電池板的輸出的電壓和電流的關(guān)系。 從I-U-曲線里可以看出該電池板以下的特征：電池板最大利用率，短路電流，開(kāi)路電壓，電池板效率等。

　　K

　　kT, 熱學(xué)能量(k= Boltzmann常數(shù), 1.381x10-23 J/K, T = Kelvin絕對(duì)溫度)

　　kWh：千瓦時(shí)，能量的單位。1kW=1000瓦，是一千瓦的燈泡亮一個(gè)小時(shí)鎖消耗的能量。

　　kWp, peak：指的是最大的功率點(diǎn)，單位是千瓦，一般太陽(yáng)能逆變器的功率就是指的是最大功率。

　　L

　　Laminate：一種薄片材料，來(lái)保護(hù)電池板芯片，例如EVA或Tedlar。 通過(guò)該物質(zhì)將電池板芯片整個(gè)用透明的物質(zhì)密封起來(lái)，一方面保護(hù)電池板芯片，另外一方面還要保持陽(yáng)光的穿透力。

　　Light trapping： 光的增透，在光完全被電池板吸收前，進(jìn)入電池板的光通過(guò)反射和內(nèi)表面的阻礙，光的增透對(duì)薄層電池板有著非常特別的意義，表面處理技術(shù)起著重要的作用。

　　M

　　Majority charge carrier：多子，描述半導(dǎo)體里的帶電體，通常決定于摻雜的類型，例如在p型多子是空穴，n型多子則是電子。

　　Marginal cost payment time： 接收太陽(yáng)能發(fā)電，向電網(wǎng)傳輸所獲的收益，因此到一定的是將將收回太陽(yáng)能設(shè)備的投資成本，這段時(shí)間叫做成本收回時(shí)間。

　　Metal-Insolator-Silicon：縮寫MIS，金屬絕緣硅，這種電池板類型包含與傳統(tǒng)電池板的不同是沒(méi)有PN結(jié)，這個(gè)電荷分離功能滿足這里從打入銫原子的氧化硅里出來(lái)的電子反轉(zhuǎn)層。優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程，不需要高溫來(lái)?yè)诫s。

　　Minority charge carrier：少子，描述半導(dǎo)體里的帶電體，通常決定于摻雜的類型，例如在n型多子是空穴，p型多子則是電子。

　　Module effinciency：電池板模塊的效率。

　　Module rated power：額定功率，電池板最大可能的輸出功率，當(dāng)太陽(yáng)垂直照在電池板上時(shí)，單位為瓦特。

　　Module：電池板模塊，將很多的太陽(yáng)能發(fā)電單元聯(lián)接，然后封閉后的電池板單元。之后可以靈活串聯(lián)并聯(lián)。

　　Mono crystal silicon： 單晶硅

　　Mono crystal Silicon：?jiǎn)尉Ч?，純凈的晶體硅

　　MPP (max power point)：最大功率點(diǎn)，在這個(gè)點(diǎn)上更具I-U曲線，電池板可以提供最大的功率，通過(guò)MPP的跟蹤和控制可以在各種情況下找到最大功率點(diǎn)從而使電池板的發(fā)電效率提高。

　　N

　　N-endowment：N摻雜。

　　Net coupling：聯(lián)網(wǎng)，太陽(yáng)能發(fā)電裝置通過(guò)逆變器把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能輸送到電網(wǎng)上的過(guò)程，和電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)電裝置不需要電能的儲(chǔ)存。

　　O

　　Omic loss：歐姆損耗，電流通過(guò)電阻的損耗，電能變成了熱能。

　　Open circuit voltage：電池板開(kāi)路電壓，當(dāng)電池板沒(méi)有聯(lián)通負(fù)載時(shí)，或者說(shuō)沒(méi)有電流流過(guò)時(shí)的正負(fù)極間的電壓，根據(jù)I-U曲線就是電流為零的那個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓。

　　P

　　Passivation：失活性，在每一個(gè)半導(dǎo)體的表面都有一個(gè)打開(kāi)的連接，因?yàn)樗鼮橄乱粋€(gè)原子打開(kāi)。這樣加速了帶電粒子的復(fù)合。最簡(jiǎn)單的失活性的方法是在半導(dǎo)體的表面增添二氧化硅層。

　　P-endowment：p摻雜。

　　Performance Ratio：光伏系統(tǒng)的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)，是實(shí)際收益率除以理論收益率。

　　Photo- conductive effect:光電導(dǎo)效應(yīng) ;以導(dǎo)電率變化為特征的光電效應(yīng)。

　　Photo effect： 光子效應(yīng)，足夠的光能能從金屬的表面里打出電子，這和光電效應(yīng)不可混淆，是兩個(gè)概念。

　　Photo electronics chemical solar cell： 光電子化學(xué)光電池板，這是以電解液為基礎(chǔ)，吸收光子，產(chǎn)生電子和空穴對(duì)，吸收光子是在敏感的表面層，在電解液里出現(xiàn)電荷流動(dòng)。

　　Photon：光子，是以能量的形式并以光的速度運(yùn)動(dòng)，并且進(jìn)入電池板內(nèi)激發(fā)電子和空穴對(duì)的物質(zhì)。

　　Photo-electric emission:光電發(fā)射;僅僅由于輻射能的射入而引起的電子發(fā)射。

　　Photo-electron:光電子;由光電效應(yīng)放出的電子。

　　Photovoltaic effect： 光生伏特效應(yīng)，簡(jiǎn)稱“光伏效應(yīng)”。指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。它首先是由光子(光波)轉(zhuǎn)化為電子、光能量轉(zhuǎn)化為電能量的過(guò)程;其次，是形成電壓過(guò)程。有了電壓，就像筑高了大壩，如果兩者之間連通，就會(huì)形成電流的回路。

　　Photovoltaik： 是一項(xiàng)技術(shù)，將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換成為電能的一項(xiàng)技術(shù)。

　　Photo-voltaic concentrator array:聚光太陽(yáng)電池方陣:由若干聚光電池組件組合在一起，構(gòu)成的供電裝置叫聚光太陽(yáng)電池方陣。

　　Photovoltaic concentrator array field:聚光太陽(yáng)電池方陣場(chǎng)。 由一系列聚光太陽(yáng)電池方陣組成的聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)叫聚光太陽(yáng)電池方陣場(chǎng)。

　　Photovoltaic concentrator module:聚光太陽(yáng)電池組件。系指組成聚光太陽(yáng)電池，方陣的中間組合體，由聚光器、太陽(yáng)電池、散熱器、互連引線和殼體等組成。

　　PN junction： 采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

　　Polycrystalline silicon： 多晶硅，是主要的光伏材料，由連續(xù)的晶體組成，從幾微米到厘米級(jí)。生產(chǎn)多晶硅的方法是塊澆方法。

　　Polycrystalline silicon solar cell:多晶硅太陽(yáng)電池。多晶硅太陽(yáng)電池是以多晶硅為基體材料的太陽(yáng)電池。