IR2110是美國(guó)國(guó)際整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身獨(dú)有的高壓集成電路及無(wú)門鎖CMOS 技術(shù)，于1990 年前后開發(fā)并投放市場(chǎng)的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，已在電源變換、馬達(dá)調(diào)速等功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用。該電路芯片體積小（DIP-14、SOIC-16），集成度高（可驅(qū)動(dòng)同一橋臂兩路），響應(yīng)快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值電壓高（《 600 V ），驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，內(nèi)設(shè)欠壓封鎖，而且其成本低，易于調(diào)試，并設(shè)有外部保護(hù)封鎖端口。

　　尤其是上管驅(qū)動(dòng)采用外部自舉電容上電，使得驅(qū)動(dòng)電源路數(shù)目較其他IC驅(qū)動(dòng)大大減小。對(duì)于發(fā)射機(jī)的4 管構(gòu)成的全橋電路，采用2片IR2110驅(qū)動(dòng)2個(gè)橋臂，僅需要一路10一20V電源，從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數(shù)目， 降低了產(chǎn)品成本， 提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　（1）R 2110的典型應(yīng)用連接見圖。通常，它的輸出級(jí)的工作電源是一懸浮電源，這是通過(guò)一種自舉技術(shù)由固定的電源得來(lái)的。充電二極管VD的耐壓能力必須大于高壓母線的峰值電壓，為了減小功耗，推薦采用一個(gè)快恢復(fù)的二極管。自舉電容C的值依賴于開關(guān)頻率，占空比和功率MOSFET或IGBT柵極的充電需要，應(yīng)注意的是電容兩端耐壓不允許低于欠電壓封鎖臨界值，否則將產(chǎn)生保護(hù)性關(guān)斷。對(duì)于5kHz以上的開關(guān)應(yīng)用，通常采用。．1f/F的電容是合適的。

　　（2）為了向需開關(guān)的容性負(fù)載提供瞬態(tài)電流，應(yīng)用中應(yīng)在vcc和COM間、VDD和y鵝間連接兩個(gè)旁路電容，這兩個(gè)電容及VB和Vs間的儲(chǔ)能電容都要與器件就近連接。建議Vcc上的旁路電容用一個(gè)n 1VF的陶瓷電容和一個(gè)iFeF的鉭電容并聯(lián)，而邏輯電源V∞上有一個(gè)o_ ipiF的陶瓷電容就足夠了。

　?。?）大電流的MOSFET或IGBT相對(duì)需要較大的柵極驅(qū)動(dòng)能力，IR 2110的輸出即使對(duì)這些器件也可進(jìn)行快速的驅(qū)動(dòng)。為了盡量減小柵極驅(qū)動(dòng)電路中的電感，每個(gè)MOSFET應(yīng)分別連接到JR 2110的2腳和5腳作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的反饋。對(duì)于較小功率的MOSFET或IGBT可在輸出處串一個(gè)柵極電阻，柵極電阻的值依賴于電磁兼容（EMI）的需要、開關(guān)損耗及最大允許dvldt值。