本文基于IEEEl801標準Uni-fied Power Format(UPF)，采用Synopsys和Mentor Graphics的EDA工具實現(xiàn)了包括可測性設計在內的“從RTL到GDSII”的完整低功耗流程設計。本論文第1部分描述了低功耗技術和術語。第2部分描述了本文設計的系統(tǒng)芯片的情況。第3部分描述了整個設計的流程和采用的EDA工具。第4部分為總結。

　　1 低功耗技術

　　數(shù)字CMOS電路的功耗主要有三個來源，分別是開關功耗Pswitching、短路功耗Pshort-circuit和泄漏功耗Pleakage，分為動態(tài)功耗(Psw itching+Pshort-circuit)和靜態(tài)功耗(Pleakage)兩大類，如式(1)所示。

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　　其中，α是開關活動因子，CL是有效電容，VDD是工作電壓，fclk是時鐘頻率，ISC是平均短路電流，Ileak是平均漏電流。目前提出了各種降低功耗的方法，主流的技術有門控時鐘(Clock-Gating)、多閾值電壓(Multi-threshold)，先進的技術包括多電壓(Mulit- Voltage，MV)電源關斷(MTCMOS Pwr Gating)、多電壓和帶狀態(tài)保持功能的電源關斷(MV&Pwr Gating with State Retention)、低電壓待機(Low-VDD Stan-dby)、動態(tài)或自適應電壓和頻率調整(Dynamic or Adaptive Voltage&Frequency Scaling,DVS、DVFS、AVS、AVFS)、阱偏置(Well Biasing，VTCMOS)等。為了實現(xiàn)這些技術，需要在設計的時候劃分電壓域(Power Domain,PD)，組成不同的工作模式(Power Mode,PM)和加入特殊器件，比如電源關斷器件(Power Switches)、電平轉換器件(Level Shifter，LS)、隔離器件(Isolation Cell)和狀態(tài)保持器件(State Ret-ention Cell)等。在本文的芯片設計中采用了門控時鐘、多電壓和電源關斷技術。

　　2 本次設計的概括

　　本文的芯片設計如圖1所示，有4萬個寄存器、20萬邏輯門，共分七個電壓域，PD TOP(頂層)、PD1、PD2、PD3、PD4、PD5和PD6，其中PD6工作在1.2V，其余的工作在1.8V。在正常工作模式下有三種電壓模式，分別為PM1(PD1關斷，其余開啟)、PM2(PD TOP和PD1開啟，其余關斷)和PM3(PD TOP開啟，其余關斷)。電源關斷器件和隔離器件的使能信號(ps en和iso en)由處于常開區(qū)PD TOP的功耗模式控制器(PMC)產生。

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　　3 低功耗設計流程

　　如圖1所示，每個關斷電壓域的輸出要插入隔離器件，以防止該電壓域電源關斷后輸出的不定態(tài)影響別的電壓域正常工作，由于PD6的工作電壓是1.2V，其余的是1.8V，因此要在PD6的輸入和輸出插入電平轉換器件。這些低功耗的設計意圖寫入UPF文件，EDA工具根據(jù)UPF實現(xiàn)設計者的想法。整個設計實現(xiàn)過程中包括RTL代碼的綜合、可測試性設計、布局布線、物理驗證和網表的等價形式驗證，如圖2所示。

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　　3.1 綜合

　　RTL代碼的綜合使用Design Compiler(DC)，輸入文件為UPF、帶電源信息的庫文件(pg.db)、RTL代碼和時序約束文件(SDC。在綜合優(yōu)化的過程中，工具會根據(jù) UPF自動地在相應的位置插入電平轉換器件和隔離器件，優(yōu)化完成后，可以用check_mv_desing命令進行正確性檢查。 DC輸出的網表與RTL代碼使用Formality進行等價形式驗證。

　　3.2 可測試性設計

　　在通過等價形式驗證的綜合網表中做可測性設計。首先利用MBISTArchitect做靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的內在自測試(MBIST)。輸入文件包括網表、SRAM的模型，輸出帶自測試電路的網表。其次利用BSDArchitect完成邊界掃描測試，輸入文件包括網表和輸入/輸出接口電路的模型，輸出包含邊界掃描電路的網表。最后利用DFTCompiler完成邏輯掃描測試，輸入文件為UPF、時序約束文件和網表，利用insert dft命令完成掃描鏈的連接。由于做內在自測試和邊界掃描測試電路時沒有用到UPF，因此在掃描鏈插入后要用check mv desing命令進行檢查，電平轉換器件和隔離器件如果缺少用insert_mv_cell插入，如果多余用remove_mv_cell命令刪除。DFT Compiler輸出為網表、新的UPF'、SPF、DEF和時序約束文件。做完可測試性設計的網表和綜合的網表進行等價形式驗證。

　　3.3 布局布線

　　利用IC Compiler進行布局布線，輸入文件有UPF'、時序約束文件、網表，輸出文件為網表和時序約束文件。輸出網表要完成等價形式驗證。完成布局布線后的網表使用MVRIC進行低功耗設計的檢查，用Star-RCXT抽取寄生參數(shù)，用PrimeTime進行時序和功耗的簽收，最后用MVSIM和VCS完成后仿真。最后使用Calibre完成物理驗證，輸出GDSII文件。最終的芯片版圖如圖3所示。

　　3.4 自動測試向量的生成

　　完成布局布線后的網表和DFT Compiler輸出的SPF文件送入TetraMAX中進行自動測試向量的生成。本文的設計生成2576個向量，故障覆蓋率為98%，并用VCS完成了測試向量的后仿真。

　　4 結論

　　本文闡述了一種低功耗系統(tǒng)芯片的實現(xiàn)流程。利用該流程實現(xiàn)了一個包含4萬寄存器、20萬等效邏輯門的系統(tǒng)芯片，并流片驗證，結果達到預期目標。