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2.2?劃分子頁方案
在Flash 中劃分出至少2 個頁（Page）用作模擬EEPROM，根據(jù)應用需求將需寫入EEPROM 進行保存的變量數(shù)據(jù)劃分成一個定長的數(shù)組（子頁），例如16 個字節(jié)或者32 字節(jié)，將頁劃分成若干子頁后，需對Flash 中的所有子頁按照地址順序進行逐次編號。每個子頁的第一個字節(jié)通常用來指示該子頁的狀態(tài)，子頁狀態(tài)可以為：空、已寫入或者失效。
在芯片上電初始化時，首先查找出第一個尚未寫入數(shù)據(jù)的子頁，并進行標識，在進行寫EEPROM操作時，應用程序需將待寫入EEPROM 子頁的所有數(shù)據(jù)按照事先約定好的順序整理好，再一次性將所有變量數(shù)據(jù)寫入空的子頁中，最后將模擬EEPROM 的操作指針指向下一個空閑的子頁，等待下一次寫入。待將一個頁的數(shù)據(jù)寫滿后，再進行一次擦除操作。需要處理好指向子頁的指針的跳轉。
每個頁存在3 種可能狀態(tài)：
擦除態(tài)：該頁是空的。
已寫滿數(shù)據(jù)狀態(tài)：該頁已經(jīng)寫滿數(shù)據(jù)。
有效頁狀態(tài)：該頁包含著有效數(shù)據(jù)并且該頁尚未寫滿，仍可向子頁寫入數(shù)據(jù)。
圖三介紹了使用子頁的方式實現(xiàn)Flash 模擬EEPROM的數(shù)據(jù)處理方法。
?
2.2.1?軟件描述
在軟件實現(xiàn)上，為了便于軟件處理，建議定義一些關鍵宏定義和結構體，指定Flash 模擬EEPROM 的起始、結束地址、頁的大小、子頁的大小、每個頁的子頁數(shù)目等參數(shù)，同時將需要操作的參數(shù)封裝起來，便于軟件操作和管理，不建議定義許多離散的標志變量。
?
在軟件操作上，F(xiàn)lash 模擬EEPROM模塊需要提供幾個API 接口給應用程序調用。
? 通過typedef 關鍵字定義設備類型，typedef unsigned char u8;
? ChkFstPowerOnInfo（）用于檢測芯片是否為第一次上電并初始化EEPROM 參數(shù)到內存，原型如下。
Void ChkFstPowerOnInfo(void);
? FlashWrite（）用于寫Flash，傳遞的形參包括指向待寫入數(shù)據(jù)的指針，待寫入數(shù)據(jù)在子頁中的起始字節(jié)編號，寫入數(shù)據(jù)的長度，原型如下。
void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );
? FlashErase（）用于擦除Flash，傳遞的形參是子頁的編號，在擦除函數(shù)中需要根據(jù)子頁的編號判斷是否需要執(zhí)行頁的擦除操作，原型如下。
void FlashErase(u8 seg_sn);
?
2.2.2?軟件流程圖
軟件啟動后，初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。
調用API，向模擬EEPROM 寫入數(shù)據(jù)的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中，要特別注意目標指針的切換和保證寫入數(shù)據(jù)的正確性，在代碼空間允許的情況下，可以增加一些校驗算法來保證。
采用劃分子頁的方案總結如下。
? 每次寫入模擬EEPROM的數(shù)據(jù)長度為定長，即為子頁的長度。
? 軟件需要定義一個存儲變量結構體，用于刷新和同步模擬EEPROM內容。在將數(shù)據(jù)寫入模擬EEPROM之前，程序員需要按照約定的數(shù)據(jù)格式，在內存中將所有的目標存儲變量進行整理。
? 在軟件處理上，需要計算當前寫入和下一次寫入的物理地址；在每一次執(zhí)行寫入操作后，根據(jù)子頁長度大小，將指向子頁的目的操作指針自動累加。
? 待一個頁（Page）寫滿后，需要將最后更新的模擬EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個頁，再對寫滿頁執(zhí)行一次擦除操作。
? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗機制，保證寫入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)測用于模擬EEPROM功能的Flash 子頁是否已經(jīng)失效。
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在Flash 中劃分出至少2 個頁（Page）用作模擬EEPROM，根據(jù)應用需求將需寫入EEPROM 進行保存的變量數(shù)據(jù)劃分成一個定長的數(shù)組（子頁），例如16 個字節(jié)或者32 字節(jié)，將頁劃分成若干子頁后，需對Flash 中的所有子頁按照地址順序進行逐次編號。每個子頁的第一個字節(jié)通常用來指示該子頁的狀態(tài)，子頁狀態(tài)可以為：空、已寫入或者失效。
在芯片上電初始化時，首先查找出第一個尚未寫入數(shù)據(jù)的子頁，并進行標識，在進行寫EEPROM操作時，應用程序需將待寫入EEPROM 子頁的所有數(shù)據(jù)按照事先約定好的順序整理好，再一次性將所有變量數(shù)據(jù)寫入空的子頁中，最后將模擬EEPROM 的操作指針指向下一個空閑的子頁，等待下一次寫入。待將一個頁的數(shù)據(jù)寫滿后，再進行一次擦除操作。需要處理好指向子頁的指針的跳轉。
每個頁存在3 種可能狀態(tài)：
擦除態(tài)：該頁是空的。
已寫滿數(shù)據(jù)狀態(tài)：該頁已經(jīng)寫滿數(shù)據(jù)。
有效頁狀態(tài)：該頁包含著有效數(shù)據(jù)并且該頁尚未寫滿，仍可向子頁寫入數(shù)據(jù)。
圖三介紹了使用子頁的方式實現(xiàn)Flash 模擬EEPROM的數(shù)據(jù)處理方法。
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2.2.1?軟件描述
在軟件實現(xiàn)上，為了便于軟件處理，建議定義一些關鍵宏定義和結構體，指定Flash 模擬EEPROM 的起始、結束地址、頁的大小、子頁的大小、每個頁的子頁數(shù)目等參數(shù)，同時將需要操作的參數(shù)封裝起來，便于軟件操作和管理，不建議定義許多離散的標志變量。
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在軟件操作上，F(xiàn)lash 模擬EEPROM模塊需要提供幾個API 接口給應用程序調用。
? 通過typedef 關鍵字定義設備類型，typedef unsigned char u8;
? ChkFstPowerOnInfo（）用于檢測芯片是否為第一次上電并初始化EEPROM 參數(shù)到內存，原型如下。
Void ChkFstPowerOnInfo(void);
? FlashWrite（）用于寫Flash，傳遞的形參包括指向待寫入數(shù)據(jù)的指針，待寫入數(shù)據(jù)在子頁中的起始字節(jié)編號，寫入數(shù)據(jù)的長度，原型如下。
void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );
? FlashErase（）用于擦除Flash，傳遞的形參是子頁的編號，在擦除函數(shù)中需要根據(jù)子頁的編號判斷是否需要執(zhí)行頁的擦除操作，原型如下。
void FlashErase(u8 seg_sn);
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2.2.2?軟件流程圖
軟件啟動后，初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。
調用API，向模擬EEPROM 寫入數(shù)據(jù)的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中，要特別注意目標指針的切換和保證寫入數(shù)據(jù)的正確性，在代碼空間允許的情況下，可以增加一些校驗算法來保證。
采用劃分子頁的方案總結如下。
? 每次寫入模擬EEPROM的數(shù)據(jù)長度為定長，即為子頁的長度。
? 軟件需要定義一個存儲變量結構體，用于刷新和同步模擬EEPROM內容。在將數(shù)據(jù)寫入模擬EEPROM之前，程序員需要按照約定的數(shù)據(jù)格式，在內存中將所有的目標存儲變量進行整理。
? 在軟件處理上，需要計算當前寫入和下一次寫入的物理地址；在每一次執(zhí)行寫入操作后，根據(jù)子頁長度大小，將指向子頁的目的操作指針自動累加。
? 待一個頁（Page）寫滿后，需要將最后更新的模擬EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個頁，再對寫滿頁執(zhí)行一次擦除操作。
? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗機制，保證寫入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)測用于模擬EEPROM功能的Flash 子頁是否已經(jīng)失效。
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工商網(wǎng)監(jiān)
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