在我們應(yīng)用開發(fā)時(shí)，經(jīng)常會(huì)有一些程序運(yùn)行參數(shù)需要保存，如一些修正系數(shù)。這些數(shù)據(jù)的特點(diǎn)是：數(shù)量少而且不需要經(jīng)常修改，但又不能定義為常量，因?yàn)槊颗_(tái)設(shè)備可能不一樣而且在以后還有修改的可能。將這類數(shù)據(jù)存在指定的位置，需要修改時(shí)直接修改存儲(chǔ)位置的數(shù)值，需要使用時(shí)則直接讀取，會(huì)是一種方便的做法?？紤]到這些數(shù)據(jù)量比較少，使用專門的存儲(chǔ)單元既不經(jīng)濟(jì)，也沒有必要，而STM32F103內(nèi)部的Flash容量較大，而且ST的庫函數(shù)中還提供了基本的Flash操作函數(shù)，實(shí)現(xiàn)起來也比較方便。

　　以大容量產(chǎn)品STM32F103ZET為例，其Flash容量達(dá)到512K，可以將其中一部分用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。如下是大容量的Flash組織模式：

　　STM32的閃存模塊由：主存儲(chǔ)器、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存器等 3 部分組成。

　　1）主存儲(chǔ)器，該部分用來存放代碼和數(shù)據(jù)常數(shù)（如 const 類型的數(shù)據(jù)）。對于大容量產(chǎn)品，其被劃分為 256 頁，每頁 2K 字節(jié)。注意，小容量和中容量產(chǎn)品則每頁只有 1K 字節(jié)。從上圖可以看出主存儲(chǔ)器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的時(shí)候，就是從 0X08000000開始運(yùn)行代碼的。

　　2）信息塊，該部分分為 2 個(gè)小部分，其中啟動(dòng)程序代碼，是用來存儲(chǔ) ST 自帶的啟動(dòng)程序，用于串口下載代碼，當(dāng) B0 接 V3.3，B1 接 GND 的時(shí)候，運(yùn)行的就是這部分代碼。用戶選擇字節(jié)，則一般用于配置寫保護(hù)、讀保護(hù)等功能，本章不作介紹。

　　3）閃存存儲(chǔ)器接口寄存器，該部分用于控制閃存讀寫等，是整個(gè)閃存模塊的控制機(jī)構(gòu)。對主存儲(chǔ)器和信息塊的寫入由內(nèi)嵌的閃存編程/擦除控制器（FPEC）管理；編程與擦除的高電壓由內(nèi)部產(chǎn)生。

　　在執(zhí)行閃存寫操作時(shí)，任何對閃存的讀操作都會(huì)鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進(jìn)行；既在進(jìn)行寫或擦除操作時(shí)，不能進(jìn)行代碼或數(shù)據(jù)的讀取操作。

　　根據(jù)上面的Flash組織模式，我們可以根據(jù)自己的使用方便來作相應(yīng)的定義。因?yàn)榇笕萘棵總€(gè)扇區(qū)定義為2K，而小容量和中容量都定義為1K，所以我們做如下宏定義：

　　#define FLASH_SIZE 512 //所選MCU的FLASH容量大?。▎挝粸镵）

　　#if FLASH_SIZE《256

　　#define SECTOR_SIZE 1024 //字節(jié)#else

　　#define SECTOR_SIZE 2048 //字節(jié)#endif

　　雖然ST的庫函數(shù)比較全面，但都是基本操作，為了使用方面，根據(jù)我們自己的需要對其進(jìn)行再次封裝。

　　對于讀操作相對比較簡單，內(nèi)置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，就像讀取變量一樣。

　　//從指定地址開始讀取多個(gè)數(shù)據(jù)void FLASH_ReadMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *readData，uint16_t countToRead）

　　{

　　uint16_t dataIndex;

　　for（dataIndex=0;dataIndex《countToRead;dataIndex++）

　　{

　　readData［dataIndex］=FLASH_ReadHalfWord（startAddress+dataIndex*2）;

　　}

　　}

　　//讀取指定地址的半字（16位數(shù)據(jù)）uint16_t FLASH_ReadHalfWord（uint32_t address）

　　{

　　return *（__IO uint16_t*）address;

　　}

　　//讀取指定地址的全字（32位數(shù)據(jù)）uint32_t FLASH_ReadWord（uint32_t address）

　　{

　　uint32_t temp1，temp2;

　　temp1=*（__IO uint16_t*）address;

　　temp2=*（__IO uint16_t*）（address+2）;

　　return （temp2《《16）+temp1;

　　}

　　對于寫操作相對來說要復(fù)雜得多，寫操作包括對用戶數(shù)據(jù)的寫入和擦除。為了防止誤操作還有寫保護(hù)鎖。但這些基本的操作ST的庫函數(shù)已經(jīng)為我們寫好了，我們只需要調(diào)用即可。

　　STM32復(fù)位后，F(xiàn)PEC模塊是被保護(hù)的，只有在寫保護(hù)被解除后，我們才能操作相關(guān)寄存器。STM32閃存的編程每次必須寫入16位，任何不是半字的操作都會(huì)造成錯(cuò)誤。如下圖是Flash寫的過程：

　　STM32的FLASH在編程的時(shí)候，也必須要求其寫入地址的FLASH 是被擦除了的（也就是其值必須是0XFFFF），否則無法寫入。Flash的擦除要求必須整頁擦除，所以也必須整頁寫入，否則可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。如下圖是Flash頁擦除過程：

　　如下為Flash全擦除過程，

　　根據(jù)以上圖示我們便寫數(shù)據(jù)寫入函數(shù)如下：

　　//從指定地址開始寫入多個(gè)數(shù)據(jù)void FLASH_WriteMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *writeData，uint16_t countToWrite）

　　{

　　if（startAddress《FLASH_BASE||（（startAddress+countToWrite*2）》=（FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE）））

　　{

　　return;//非法地址 }

　　FLASH_Unlock（）; //解鎖寫保護(hù)

　　uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE; //計(jì)算去掉0X08000000后的實(shí)際偏移地址

　　uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE; //計(jì)算扇區(qū)地址，對于STM32F103VET6為0~255

　　uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE; //對應(yīng)扇區(qū)的首地址

　　FLASH_ErasePage（sectorStartAddress）;//擦除這個(gè)扇區(qū)

　　uint16_t dataIndex;

　　for（dataIndex=0;dataIndex《countToWrite;dataIndex++）

　　{

　　FLASH_ProgramHalfWord（startAddress+dataIndex*2，writeData［dataIndex］）;

　　}

　　FLASH_Lock（）;//上鎖寫保護(hù)

　　}

　　在擦除之前應(yīng)該將頁面上的數(shù)據(jù)讀取出來與要寫入的數(shù)據(jù)合并，待擦除后再寫入，但這樣數(shù)據(jù)量很大（大容量是2K一個(gè)扇區(qū)），所以考慮到是少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所以每次都將全部數(shù)據(jù)同時(shí)寫入，簡化操作，也減少數(shù)據(jù)處理量。經(jīng)測試以上程序?qū)懭牒妥x出數(shù)據(jù)均正確，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部Flash的讀寫操作。